脱模膜和使用该脱模膜的半导体器件的制造方法
【专利摘要】本发明提供即使模具大型化、复杂化，拉伸脱模膜时脱模膜的厚度也不易产生不均的脱模膜，以及可制造即使树脂密封部大型化、复杂化，树脂密封部的表面变形也得到抑制的半导体器件的方法。使用在将半导体器件(包括发光二极管(1)等)的半导体元件(发光元件(12)等)用固化性密封树脂密封而形成树脂密封部(透镜部(14)等)的模具的腔面(26)所配置的脱模膜(30)，该脱模膜(30)的按照JIS?K?7127测定的132℃时的拉伸弹性模量为10～24MPa，剥离力的最大值在0.8N/25mm以下。
【专利说明】脱模膜和使用该脱模膜的半导体器件的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及在将半导体器件的半导体元件用密封树脂密封而形成树脂密封部的模具的腔面所配置的脱模膜，和使用该脱模膜的半导体器件的制造方法。
【背景技术】
[0002]半导体器件(包括发光二极管)具有为了保护半导体元件(包括发光元件)而将半导体元件用密封树脂密封而得的树脂密封部。此外，发光二极管中，该树脂密封部也具有作为将从发光元件发射的光的方向统一至发光二极管的正面方向而使正面亮度提高的透镜部的功能。
[0003]最近，发光二极管不断扩展至比以往更强光束的照明用途(家庭用天花板照明、汽车用前灯、室外灯等)。为了实现发光二极管的强光束，必然要聚集发光元件，透镜部也随之大型化,透镜部的结构也复杂化。
[0004]作为发光二极管的制造方法，已知例如将安装有发光元件的基板以该发光元件位于模具的腔内的规定位置的方式配置，向腔内填充密封树脂而形成透镜部，即采用所谓的压缩成形法或传递成形法的方法。该方法中，通常为了防止密封树脂与模具的固着而在模具的腔面配置脱模膜(专利文献I)。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:国际公开第2011/037034号
【发明内容】
[0008]发明所要解决的技术问题
[0009]但是，以往的方法所用的脱模膜的话，模具为了适应透镜部的大型化或复杂化而大型化或其结构复杂的情况下，将脱模膜以大面积地展开并覆盖模具的腔的方式配置时，或使脱模膜适应大面积或复杂结构的腔面时，脱模膜整体不均匀地展开，因此脱模膜的厚度产生不均。另外，脱模膜的厚度不均被转印至透镜部的表面，作为透镜部的表面的变形呈现。像以往那样透镜部小且形状不复杂的情况下，脱模膜的厚度不均不易被转印至透镜部的表面，不会造成大问题，但透镜部较大或其结构复杂的情况下，脱模膜的厚度不均容易被转印至透镜部的表面，透镜部表面的变形导致发光二极管的发光效率下降、配光偏差等。
[0010]本发明提供即使模具的腔大型化、复杂化，拉伸脱模膜时脱模膜的厚度也不易产生不均的脱模膜，以及可制造即使树脂密封部大型化、复杂化，树脂密封部的表面变形也得到抑制的半导体器件的方法。
[0011 ] 解决技术问题所采用的技术方案
[0012]本发明提供具有下述[I]?[14]的构成的脱模膜和使用该脱模膜的半导体器件的制造方法。
[0013][I]脱模膜，它是在将半导体器件的半导体元件用固化性密封树脂密封而形成树脂密封部的模具的腔面所配置的脱模膜，其中，
[0014]按照JIS K 7127测定的132°C时的拉伸弹性模量为10?24MPa，
[0015]剥离力的最大值在0.8N/25mm以下。
[0016][2]如[I]的脱模膜，该脱模膜由氟树脂形成。
[0017][3]如[2]的脱模膜，其中，所述氟树脂是具有基于四氟乙烯的单元、基于乙烯的单元、基于除它们以外的第三单体的单元的共聚物。
[0018][4]如[3]的脱模膜，其中，所述第三单体为(全氟丁基)乙烯。
[0019][5]如[4]的脱模膜，其中，所述共聚物为基于四氟乙烯的重复单元与基于乙烯的重复单元的摩尔比(四氟乙烯/乙烯)为80/20?40/60，基于(全氟丁基)乙烯的重复单元的比例在全部重复单元100摩尔％中为5?10摩尔％的共聚物。
[0020][6]半导体器件的制造方法，它是使用模具将半导体元件用固化性密封树脂密封来制造半导体器件的方法，
[0021]其特征在于，在模具的密封树脂接触的腔面配置按照JIS K 7127测定的132°C时的拉伸弹性模量为10?24MPa、且剥离力的最大值在0.8N/25mm以下的脱模膜，使所述密封树脂在与所述脱模膜接触的状态下固化而形成树脂密封部。
[0022][7]如[6]的半导体器件的制造方法，其中，所述半导体器件为发光二极管，所述半导体元件为发光元件，所述树脂密封部为透镜部。
[0023][8]如[7]的半导体器件的制造方法，其中，所述透镜部的露出于外侧的部分的面积在56mm2以上。
[0024][9]如[6]?[8]中的任一项的半导体器件的制造方法，其中，密封树脂为热固性树脂，使该密封树脂在与所述脱模膜接触的状态下热固化。
[0025][10]如[6]?[9]中的任一项的半导体器件的制造方法，其中，使用模具形成树脂密封部的方法为压缩成形法。
[0026][11]如[6]?[9]中的任一项的半导体器件的制造方法，其中，使用模具形成树脂密封部的方法为传递成形法。
[0027][12]半导体器件的制造方法，其中，包括下述的工序(α I)?(α 5):
[0028](α I)将[I]?[5]中的任一项的脱模膜以覆盖模具的腔的方式配置的工序；
[0029](α 2)通过抽真空将所述脱模膜朝所述模具的腔面侧吸引的工序；
[0030]( α 3)向所述腔内填充密封树脂的工序；
[0031](α 4)将半导体元件配置于所述腔内的规定位置，通过所述密封树脂密封所述半导体元件而形成树脂密封部，获得半导体器件的工序；
[0032](α 5)将所述半导体器件从所述模具内取出的工序。
[0033][13]半导体器件的制造方法，其中，包括下述的工序(β I)?(β5):
[0034](β I)将[I]?[5]中的任一项的脱模膜以覆盖模具的腔的方式配置的工序；
[0035](β 2)通过抽真空将所述脱模膜朝所述模具的腔面侧吸引的工序；
[0036](β 3)将半导体元件配置于所述腔内的规定位置的工序；
[0037](β 4)向所述腔内填充密封树脂，通过该密封树脂密封所述半导体元件而形成树脂密封部，获得半导体器件的工序；
[0038](β 5)将所述半导体器件从所述模具内取出的工序。
[0039][14]如[12]或[13]的半导体器件的制造方法，其中，
[0040]所述半导体器件为发光二极管，
[0041]所述半导体元件为发光元件，
[0042]所述树脂密封部为透镜部，
[0043]该透镜部的露出于外侧的部分的面积在56mm2以上。
[0044]发明的效果
[0045]本发明的脱模膜即使模具的腔大型化、复杂化，拉伸脱模膜时脱模膜的厚度也不易产生不均。
[0046]如果采用本发明的半导体器件的制造方法，则可制造即使树脂密封部大型化、复杂化，树脂密封部的表面变形也得到抑制的半导体器件。
[0047]附图的简单说明
[0048]图1是表示发光二极管的一例的剖视图。
[0049]图2是表示发光二极管的另一例的剖视图。
[0050]图3是表示发光二极管的另一例的剖视图。
[0051]图4是表示发光二极管的另一例的立体图。
[0052]图5是表示发光二极管的另一例的剖视图。
[0053]图6是表示发光二极管的制造方法中的工序(α I)的剖视图。
[0054]图7是表示发光二极管的制造方法中的工序(α 2)的剖视图。
[0055]图8是表示发光二极管的制造方法中的工序(α 3)的剖视图。
[0056]图9是表示发光二极管的制造方法中的工序(α 4)的剖视图。
[0057]图10是表示发光二极管的制造方法中的工序(α 5)的剖视图。
[0058]图11是表示发光二极管的制造方法中使用的模具的一例的剖视图。
[0059]图12是表示发光二极管的制造方法中的工序(β I)的剖视图。
[0060]图13是表示发光二极管的制造方法中的工序(β 2)的剖视图。
[0061]图14是表示发光二极管的制造方法中的工序(β 3)的剖视图。
[0062]图15是表示发光二极管的制造方法中的工序(M)的剖视图。
[0063]图16是表示发光二极管的制造方法中的工序(β 5)的剖视图。
[0064]实施发明的方式
[0065]<脱模膜>
[0066]本发明的脱模膜是在将半导体器件(包括发光二极管)的半导体元件(发光元件)用固化性密封树脂密封而形成树脂密封部(包括透镜部)的模具的腔面所配置的脱模膜。例如，本发明的脱模膜是在形成发光二极管的透镜部时以覆盖具有与该透镜部的形状对应的形状的腔的模具的腔面的方式配置，位于形成的透镜部与腔面之间，从而提高所得的发光二极管从模具的脱模性的膜。
[0067](拉伸弹性模量)
[0068]本发明的脱模膜的按照JIS K 7127测定的132°C时的拉伸弹性模量为10?24MPa，较好是 12 ?20MPa。
[0069]使固化性密封树脂固化时的模具温度通常为100?140°C，如果脱模膜的132°C时的拉伸弹性模量在上述范围内，则在该模具温度范围内脱模膜显示良好的物性。即，如果132°C时的拉伸弹性模量在24MPa以下，则脱模膜均匀拉伸，因此脱模膜的厚度不易产生不均。其结果是，可抑制脱模膜的厚度不均被转印至树脂密封部的表面而导致的树脂密封部的表面的外观不良(变形)。如果132°C时的拉伸弹性模量在1MPa以上，则以拉伸脱模膜的同时覆盖模具的腔的方式配置时，脱模膜不会过于柔软，因此脱模膜上承受的张力均匀，不易产生折皱。其结果是，可抑制脱模膜的折皱被转印至树脂密封部的表面而导致的树脂密封部的表面的外观不良。
[0070]脱模膜的132°C时的拉伸弹性模量具体通过对将脱模膜切成长条形状(试验片型号5)而得的试验片以片温度:132°C、拉伸速度:Imm/分钟的条件进行拉伸试验来测定。
[0071]本发明的脱模膜的拉伸弹性模量可通过调整脱模膜用树脂的结晶度来进行调整。具体来说，脱模膜用树脂的结晶度越低，则脱模膜的拉伸弹性模量越低。对于脱模膜用树脂的结晶度，例如乙烯/四氟乙烯共聚物(以下记作ETFE)的情况下，可通过调整基于第三单体、即除四氟乙烯(以下记作TFE)和乙烯(以下记作E)以外的单体的单元的种类和比例来进行调整。
[0072](剥离力)
[0073]本发明的脱模膜的剥离力的最大值在0.8N/25mm以下，较好是在0.5N/25mm以下。如果剥离力的最大值在0.8N/25mm以下，则实际生产时，与在透镜模具中固化的密封树脂的剥离变得更加容易，因此不易发生脱模膜与固化的密封树脂无法顺利分离而导致装置停止的情况，连续生产性良好。
[0074]本发明中的脱模膜的剥离力是按照JIS K 6854-2、如下以脱模膜与固化的密封树脂的180°剥离试验测定的剥离力。作为固化性密封树脂，以热固性有机硅树脂为例进行说明。
[0075](a)在脱模膜与铝板之间适量涂布热固性有机硅树脂。
[0076](b)将夹着热固性有机硅树脂的脱模膜和铝板以130°C、IMPa压制5分钟而使热固性有机硅树脂固化。以固化的有机硅树脂层的厚度达到100 μ m的条件调整所述热固性有机硅树脂的涂布量。
[0077](c)将由脱模膜、固化的有机硅树脂层、铝板形成的层叠板切割成25_宽而制成试验片。
[0078](d)使用拉伸试验机，以10mm/分钟的剥离速度测定试验片的剥离膜相对于有机硅树脂层的常温下的180°剥离力。
[0079](e)求出力(N)-抓手移动距离曲线中的抓手移动距离25mm?125mm的剥离力的最大值(单位为N/25mm)。
[0080](f)使用5个试验片，求出各脱模膜的剥离力的最大值的算术平均。
[0081](厚度)
[0082]本发明的脱模膜的厚度较好是16?75 μ m,更好是25?50 μ m。如果厚度在16 μ m以上，则脱模膜的处理容易，以拉伸脱模膜的同时覆盖模具的腔的方式配置时，不易产生折皱。如果厚度在75 μ以下，则脱模膜可容易地变形，对模具腔的形状的适应性提高，因此脱模膜可紧密地密合于腔面，可稳定地形成高品质的树脂密封部。此外，模具的腔越大，则本发明的脱模膜的厚度在所述范围内越薄越好。此外，越是具有多个腔的复杂模具，在所述范围内越薄越好。
[0083](表面平滑性)
[0084]本发明的脱模膜的表面较好是平滑。通过使用表面平滑的脱模膜，容易形成高品质的树脂密封部，例如光学特性良好的发光二极管的制造变得容易。如果使脱模膜的一侧表面呈梨纹，将该表面用于模具的腔侧，则对腔的真空吸附变得容易，但该膜的使用使树脂密封部的表面产生凹凸，例如透镜部的情况下，可能会使透镜精度下降。
[0085]本发明的脱模膜的表面的10点平均粗糙度(Rz)在镜面的情况下较好是0.01?
0.1 μ m。梨纹表面的情况下,较好是0.15?3.5 μ m。如果Rz在0.15 μ m以上,则脱模膜向腔的真空吸附得到促进。此外，如果Rz在3.5 μ m以下，则树脂密封部表面形成凹凸的情况得到抑制。Rz按照JIS B 0601测定。
[0086](脱模膜用树脂)
[0087]对于脱模膜要求脱模性、表面平滑性、可耐受作为成形时的模具温度的100?140°C左右的耐热性、可耐受密封树脂的流动和加压力的强度。作为本发明的脱模膜，从脱模性、耐热性、强度、高温下的伸长率的角度来看，较好是由选自聚烯烃和氟树脂的一种以上的树脂形成的膜，更好是由氟树脂形成的膜。本发明的脱模膜可以是并用氟树脂和非氟树脂的膜，也可以是掺有无机添加剂、有机添加剂等的膜。
[0088]作为聚烯烃，从脱模性和模具适应性的角度来看，较好是聚甲基戊烯。聚烯烃可单独使用I种，也可并用2种以上。
[0089]作为氟树脂，可例举ETFE、聚四氟乙烯、全氟(烷基乙烯基醚)/四氟乙烯共聚物等，从高温下的伸长率大的角度来看，特别好是ETFE。氟树脂可单独使用I种，也可并用2种以上。此外，ETFE可单独使用I种，也可并用2种以上。
[0090]作为ETFE，从容易调整脱模膜用树脂的结晶度、S卩、脱模膜的拉伸弹性模量的角度来看，较好是具有基于第三单体的单元，从可通过较少的量进行拉伸弹性模量的调整的角度来看，特别好是具有基于TFE的单元、基于E的单元、基于(全氟丁基)乙烯的单元的共聚物。
[0091]作为第三单体，可例举具有氟原子的单体和不具有氟原子的单体。
[0092]作为具有氟原子的单体的具体例子，可例举下述的单体(al)?(a5)。
[0093]单体(al):碳数3以下的氟代烯烃类。
[0094]单体(a2):以X(CF2)nCY = CH2表示的全氟烷基乙烯，其中，X、Y分别独立为氢原子或氟原子，η为2?8的整数。
[0095]单体(a3):氟乙烯基醚类。
[0096]单体(a4):含官能团的氟乙烯基醚类。
[0097]单体(a5):具有脂肪族环结构的含氟单体。
[0098]作为单体(al)，可例举氟乙烯类(三氟乙烯、偏氟乙烯、氟乙烯、氯三氟乙烯等)、氟丙烯类(六氟丙烯(以下记作HFP)、2_氢五氟丙烯等)等。
[0099]作为单体(a2)，较好是η为2?6的单体，更好是η为2?4的单体。此外，更好是X为氟原子、Y为氢原子的单体，即(全氟烷基)乙烯。
[0100]作为具体例子，可例举下述单体:
[0101]CF3CF2CH = CH2、
[0102]CF3CF2CF2CF2CH = CH2 ((全氟丁基)乙烯，以下记作 PFBE)、
[0103]CF3CF2CF2CF2CF = CH2、
[0104]CF2HCF2CF2CF = CH2、
[0105]CF2HCF2CF2CF2CF = CH2 等。
[0106]作为单体(a3)，可例举下述单体。下述中为二烯的单体是可环化聚合的单体。
[0107]CF2 = CFOCF3 >
[0108]CF2 = CFOCF2CF3'
[0109]CF2 = CF(CF2)2CF3(全氟(丙基乙烯基醚)，以下记作PPVE)、
[0110]CF2 = CFOCF2CF (CF3) O (CF2) 2CF3、
[0111]CF2 = CFO (CF2) 30 (CF2) 2CF3、
[0112]CF2 = CFO (CF2CF (CF3) O) 2 (CF2) 2CF3、
[0113]CF2 = CFOCF2CF (CF3) O (CF2) 2CF3、
[0114]CF2 = CFOCF2CF = CF2、
[0115]CF2 = CFO (CF2) 2CF = CF2 等。
[0116]作为单体(a4)，可例举下述单体:
[0117]CF2 = CFO (CF2) 3C02CH3、
[0118]CF2 = CFOCF2CF (CF3) O (CF2) 3C02CH3、
[0119]CF2 = CFOCF2CF (CF3) O (CF2) 2S02F 等。
[0120]作为单体(a5)，可例举全氟(2，2-二甲基-1，3-间二氧杂环戊烯)、2，2，4_三氟-5-三氟甲氧基-1，3-间二氧杂环戊烯、全氟(2-亚甲基-4-甲基-1，3- 二氧戊环)等。
[0121]作为不具有氟原子的单体的具体例子，可例举下述的单体(bl)?(b4):
[0122]单体(bI):烯烃类。
[0123]单体(b2):乙烯基酯类。
[0124]单体(b3):乙烯基醚类。
[0125]单体(b4):不饱和酸酐。
[0126]作为单体(bl)，可例举丙烯、异丁烯等。
[0127]作为单体(b2)，可例举乙酸乙烯基酯等。
[0128]作为单体(b3)，可例举乙基乙烯基醚、丁基乙烯基醚、环己基乙烯基醚、羟丁基乙烯基醚等。
[0129]作为单体(b4)，可例举马来酸酐、衣康酸酐、柠康酸酐、茯苓酸酐(5-降冰片烯-2，3-二羧酸酐)等。
[0130]第三单体可单独使用I种，也可并用2种以上。
[0131]作为第三单体，从结晶度的调整、S卩、拉伸弹性模量的调整容易的角度来看，较好是单体(a2)、HFP、PPVE、乙酸乙烯基酯，更好是HFP、PPVE, CF3CF2CH = CH2, PFBE,特别好是PFBE0
[0132]基于TFE的重复单元与基于E的重复单元的摩尔比(TFE/E)较好是80/20?40/60，更好是70/30?45/55，特别好是65/35?50/50。如果TFE/E在所述范围内，则ETFE的耐热性和机械物性良好。
[0133]基于第三单体的重复单元的比例在全部重复单元100摩尔％中较好是0.01?20摩尔％，更好是0.10?15摩尔％，特别好是0.20?10摩尔％。如果基于第三单元的重复单元的比例在所述范围内，则ETFE的耐热性和机械物性良好。
[0134]第三单体为PFBE的情况下，基于PFBE的重复单元的比例在全部重复单元100摩尔％中较好是5~10摩尔％，特别好是5~7摩尔％。如果基于PFBE的重复单元的比例在所述范围内，则可将脱模膜的132°C时的拉伸弹性模量调整至所述范围内。
[0135]如果增加基于PFBE的重复单元的比例，则存在(i )膜过于柔软而处理困难、(? )低聚物增加而膜制造的辊容易污染、(iii)耐热性低而作为脱模膜不易使用等问题，因此以往的脱模膜用ETFE中，从未使基于PFBE的重复单元的比例达到5摩尔％以上。即，以往的脱模膜用ETFE中，从未使132°C时的拉伸弹性模量在24MPa以下。
[0136]ETFE的熔体流动速率(MFR)较好是2~40g/10分钟，更好是5~30g/10分钟，特别好是10~20g/10分钟。如果ETFE的MFR在所述范围内，则ETFE的成形性提高，脱模膜的机械特性提高。
[0137]ETFE的MFR是按照ASTM D3159使用5kg负荷在297°C测定的值。
[0138](脱模膜的制造方法)
[0139]本发明的脱模膜例如可使用脱模膜用树脂通过采用具备具有规定模唇宽度的T模的挤出机的熔融成形等制造。
[0140](作用效果)
[0141]对于以上说明的本发明的脱模膜，132°C时的拉伸弹性模量为10~24MPa，因此脱模膜不会发生折皱，可将脱模膜均匀地拉伸。因此，将脱模膜以在大面积拉伸的同时覆盖模具的腔的方式配置时，或使脱模膜适应大面积或复杂结构的腔面时，脱模膜的厚度不易产生不均。其结果是，脱模膜的厚度不均被转印至树脂密封部的表面而出现的树脂密封部的表面的变形得到抑制。如果树脂密封部为发光二极管的透镜部，则可稳定地制造具有良好的透镜部并显示良好的光学特性的发光二极管。
[0142]〈半导体器件〉
[0143]作为通过后述的本发明的半导体器件的制造方法制造的半导体器件，可例举集成有晶体管、二极管等半导体元件的集成电路，具有发光元件的发光二极管等。
[0144](发光二极管)
[0145]以下，作为半导体器件的一例对发光二极管进行说明。
[0146]发光二极管例如具有基板、安装于基板上的发光元件、密封发光元件的透镜部。
[0147]发光二极管采用白色发光二极管的情况下，在用分散有荧光体的树脂封入发光元件的状态下，用密封树脂密封其周围而形成透镜部。
[0148]透镜部的露出于外侧的部分的面积(以下记作表面积)较好是56mm2以上。即使是使用以往的脱模膜的情况下透镜部的表面容易产生变形的表面积为56mm2以上的透镜部，通过使用本发明的脱模膜，透镜部表面也不易发生变形。透镜部的表面积更好是56~628mm2，特别好是 56 ~353mm2。
[0149]作为透镜部的形状，可例举近似半球型、由圆柱状的树脂密封部和其上的近似半球形的透镜部形成的炮弹型、菲涅耳透鏡型、沿轴向将圆柱二等分而得的形状的鱼糕型、多个近似半球形的透镜部连续形成一体排列的近似半球透镜阵列型等。
[0150]图1是表示发光二极管的一例的剖视图。
[0151] 发光二极管I具有基板10、安装于基板10上的发光兀件12、密封发光兀件12的近似半球型的透镜部14。
[0152]图2是表示发光二极管的另一例的剖视图。
[0153]发光二极管I具有基板10、安装于基板10上的发光兀件12、密封发光兀件12的炮弹型的透镜部14。
[0154]图3是表示发光二极管的另一例的剖视图。
[0155]发光二极管I具有基板10、安装于基板10上的发光兀件12、密封发光兀件12的菲涅耳透鏡型的透镜部14。
[0156]图4是表示发光二极管的另一例的立体图。
[0157]发光二极管I具有基板10、安装于基板10上的发光兀件12、密封发光兀件12的鱼糕型的透镜部14。
[0158]图5是表示发光二极管的另一例的立体图。
[0159]发光二极管I具有基板10、安装于基板10上的多个发光元件12、将多个发光元件12 —起密封的近似半球透镜阵列型的透镜部14。
[0160]〈固化性密封树脂〉
[0161]作为固化性密封树脂，可例举热固性树脂和光固化性树脂等，是在模具内固化而得的树脂。固化性密封树脂具有流动性，成形时适应模具的腔的内面形状，在该状态下固化而形成成形物。固化性密封树脂通常使用在常温下具有流动性的树脂，但也可以是在填充至模具时被加热而流动化的在常温下呈固体的树脂。另外，还可以是以固体状态(例如，粉末状态)填充于模具，在模具内被加热而一度形成流动状态后固化的树脂。固化性密封树脂可包含添加剂等任意成分。例如，可掺入填充剂或颜料等固体粉末。
[0162]作为固化性密封树脂，较好是热固性树脂。作为热固性树脂，较好是固化时作为副产物产生低分子量物的类型的热固性树脂。具体来说，可例举通过氢化硅烷化反应固化的热固性有机硅树脂、环氧树脂、具有2个以上的聚合性不饱和基团的交联固化性化合物(具有2个以上的丙烯酰氧基的化合物等)。例如，可例举由具有乙烯基的有机聚硅氧烷和具有与硅原子结合的氢原子的有机聚硅氧烷的组合形成的热固性有机硅树脂、由聚环氧化物构成的主剂和固化剂或交联剂的组合形成的环氧树脂、由具有2个以上的丙烯酰氧基的化合物和自由基发生剂的组合形成的热固性丙烯酸树脂等。具体来说，例如，作为热固性有机硅树脂的市售品，可例举信越化学工业株式会社(信越化学工業社)制的LPS-3412AJ、LPS-3412B等，作为环氧树脂的市售品，可例举日本化药株式会社(日本化薬社)制的SEJ-OlR 等。
[0163]〈半导体器件的制造方法〉
[0164]本发明的半导体器件的制造方法是使用模具将半导体元件用固化性密封树脂密封来制造半导体器件的方法，其特征在于，使用本发明的脱模膜。作为本发明的半导体器件的制造方法，除了使用本发明的脱模膜以外，可采用公知的制造方法。作为树脂密封部的形成方法，可例举压缩成形法或传递成形法。作为装置，可使用公知的压缩成形装置或传递成形装置。制造条件也采用与公知的半导体器件的制造方法中的条件相同的条件即可。
[0165]作为使固化性密封树脂在模具的腔内固化而形成由固化的密封树脂构成的树脂密封部的方法，较好是压缩成形法和传递成形法。这些成形法中，模具温度、即、使密封树脂固化时的模具内面的温度也根据密封树脂的种类而不同，但通常为100?140°C。根据情况，根据密封树脂的种类，有时需要更高的模具温度，而模具温度也可能会因密封树脂固化时的发热而上升。本发明的脱模膜甚至在模具温度达到185°C左右的情况下也可充分使用。
[0166]本发明的脱模膜被配置于模具的密封树脂接触的腔面。被填充至腔的密封树脂隔着脱模膜接触模具内面，密封树脂在与该模具接触的状态下固化而形成固化的树脂。密封树脂固化后，将具有由固化的密封树脂形成的树脂密封部的半导体器件从模具取出。
[0167]作为本发明的半导体器件的制造方法，更具体来说，根据密封树脂的填充时机可例举下述的方法(α)和方法(β)这2种。下述的方法(α)是压缩成形法的一例，下述的方法(β)是传递成形法的一例。
[0168]方法(α):具有下述的工序(al)~(α 5)的方法。
[0169](α I)将本发明的脱模膜以覆盖模具的腔的方式配置的工序。
[0170](α 2)通过抽真空将脱模膜朝模具的腔面侧吸引的工序。
[0171](α 3)向腔内填充密封树脂的工序。
[0172](α 4)将半导体元件配置于腔内的规定位置，通过密封树脂密封半导体元件而形成树脂密封部，获得半导体器件的工序。
[0173](α 5)将半导体器件从模具内取出的工序。
[0174]方法(β):具有下述的工序(β?)~(β5)的方法。
[0175](β I)将本发明的脱模膜以覆盖模具的腔的方式配置的工序。
[0176](β 2)通过抽真空将脱模膜朝模具的腔面侧吸引的工序。
[0177](β3)将半导体元件配置于腔内的规定位置的工序。
[0178](β 4)向腔内填充密封树脂，通过该密封树脂密封半导体元件而形成树脂密封部，获得半导体器件的工序。
[0179](β5)将半导体器件从模具内取出的工序。
[0180](发光二极管的制造方法)
[0181]以下，作为半导体器件的制造方法的一例对发光二极管的制造方法进行说明。
[0182](方法(α))
[0183]作为发光二极管的制造方法中的方法(α)的一例，对通过压缩成形法制造发光二极管的情况进行详细说明。压缩成形法是如日本专利特开2005-305954号公报中所记载的可一次性大量生产多个发光二极管的制造方法。
[0184]如图6所示，压缩成形法中使用的模具具有上模20、中模(图示略)、下模22。上模20形成有吸附基板10的真空阀(图示略)，可使搭载发光元件12的基板10吸附于上模
20。下模22形成有与发光二极管I的透镜部14的形状对应的形状的腔24。此外，下模22形成有用于通过吸引脱模膜30与下模22之间的空气而将脱模膜30吸附于下模22的真空阀(图示略)。
[0185]从容易形成高品质的透镜部14而容易获得光学特性良好的发光二极管I的角度来看，下模22的腔面26较好是平滑。如果使腔面26呈梨纹，则可更高效地将脱模膜30真空吸附于腔面26，但可能会在所得的发光二极管I的透镜部14的表面产生凹凸，导致透镜精度劣化。
[0186]工序(al):
[0187]如图6所示，以覆盖下模22的腔24的方式配置脱模膜30。脱模膜30从卷出辊(图示略)被送出，通过卷取辊(图示略)被卷取。脱模膜30被卷出辊和卷取辊拉伸，因此在被拉伸的状态下以覆盖下模22的腔24的方式配置。
[0188]工序(α2):
[0189]如图7所示，通过形成于下模22的腔24的外部的真空阀(图示略)进行真空吸弓I，对脱模膜30与腔面26之间的空间进行减压，拉伸脱模膜30而使其变形，使其真空吸附于下模22的腔面26。然后，将配置于下模22的周缘的框状的中模(图示略)关闭，从全部方向拉伸脱模膜30，使其呈紧张状态。
[0190]根据高温环境下的脱模膜30的强度、厚度或腔24的形状，脱模膜30并不一定密合于腔面26。如图7所示，在工序(α2)的真空吸附的阶段，可能会在脱模膜30与腔面26之间残留少量空隙。
[0191]工序(α3):
[0192]如图8所示，通过分配器(图示略)将固化性密封树脂40适当填充于腔24内的脱模膜30上。
[0193]作为密封树脂40，通常采用形成透明的固化树脂的固化性树脂。以光扩散性为目的，有时也采用形成乳白色的透明的固化树脂的包含添加剂等的固化性树脂。
[0194]工序(α4):
[0195]如图9所示，将在腔24内的脱模膜30上填充了密封树脂40的下模22和吸附了搭载有发光元件12的基板10的上模20闭模，加热模具，使密封树脂40固化而形成固化树月旨，形成密封发光元件12的透镜部14。
[0196]工序(α4)中，填充于腔24内的密封树脂40被闭模压力进一步压入腔24，脱模膜30被拉伸而变形，从而密合于腔面26。因此，形成与腔24的形状对应的形状的透镜部14。
[0197]模具温度、S卩、使模具内的密封树脂40固化的温度较好是100?185°C，更好是100?140°C。如果模具温度在100°c以上，则发光二极管I的生产性提高。如果模具温度在185°C以下，则密封树脂40的固化时的劣化得到抑制。此外，为了进一步抑制密封树脂40的固化物被从模具取出时的模具内外的温度差引起的热收缩导致的透镜部14的形状变化，或者特别要求发光二极管I的保护的情况下，模具温度较好是在140°C以下。
[0198]闭模时的脱模膜30的厚度理想的是在75 μ m以下。如果厚度在75 μ m以下，则对腔面26的适应性充分，容易形成均匀形状的透镜部14。
[0199]工序(α5):
[0200]如图10所示，将上模20和下模22开模，取出发光二极管I。如果剥离力的最大值在0.8N/25mm以下，则能够容易地将发光二极管I从模具脱模。脱模的同时，将脱模膜30的已使用部分送至卷取辊(图示略)，将脱模膜30的未使用部分从卷出辊(图示略)送出。
[0201]从卷出辊运送至卷取辊时的脱模膜30的厚度较好是在16μπι以上。厚度低于16 μ m时，脱模膜30运送时容易产生折皱。如果脱模膜30产生折皱，则折皱被转印于透镜部14而造成制品不良。如果厚度在16 μ m以上，可通过对脱模膜30充分施以张力来抑制折皱的产生。
[0202]从卷出辊运送至卷取辊时的脱模膜30的132°C时的拉伸弹性模量较好是在1MPa以上。132°C时的拉伸弹性模量低于1MPa时，脱模膜30非常柔软，因此无法对脱模膜30均匀地施加张力，脱模膜30运送时容易产生折皱。如果脱模膜30产生折皱，则折皱被转印于透镜部14而造成制品不良。如果132°C时的拉伸弹性模量在1MPa以上，则可通过对脱模膜30充分施以张力，抑制折皱的产生。
[0203](方法(β))
[0204]作为发光二极管的制造方法中的方法(β)的一例，对通过传递成形法制造发光二极管的情况进行详细说明。传递成形法是发光二极管的制造中常用的方法。
[0205]如图11所示，传递成形法中使用的模具具有上模50和下模52。上模50形成有与发光二极管I的透镜部14的形状对应的形状的腔和向腔54导入固化性密封树脂40的凹状的树脂导入部60。下模52形成有设置搭载有发光元件12的基板10的基板设置部58和配置密封树脂40的树脂配置部62。此外，树脂配置62内设置有将密封树脂40挤出至上模50的树脂导入部60的柱塞64。
[0206]从容易形成高品质的透镜部14而容易获得光学特性良好的发光二极管I的角度来看，上模50的腔面56较好是平滑。如果使腔面56呈梨纹，则可更高效地将脱模膜30真空吸附于腔面56，但可能会在所得的发光二极管I的透镜部14的表面产生凹凸，导致透镜精度劣化。
[0207]工序(βI):
[0208]如图12所示，以覆盖上模50的腔54的方式配置脱模膜30。脱模膜30较好是以覆盖腔54和树脂导入部60整体的方式配置。脱模膜30被卷出辊(图示略)和卷取辊(图示略)拉伸，因此在被拉伸的状态下以覆盖上模50的腔54的方式配置。
[0209]工序(β2):
[0210]如图13所示，通过形成于上模50的腔54的外部的沟(图示略)进行真空吸引，对脱模膜30与腔面56之间的空间和脱模膜30与树脂导入部60的内壁之间的空间进行减压，拉伸脱模膜30而使其变形，使其真空吸附于上模50的腔面56。
[0211]根据高温环境下的脱模膜30的强度、厚度或腔54的形状，脱模膜30并不一定密合于腔面56。如图13所示，在工序(β 2)的真空吸附的阶段，可能会在脱模膜30与腔面56之间残留少量空隙。
[0212]工序(β3):
[0213]如图14所示，将安装有发光元件12的基板10设置于基板设置部58，且在树脂配置部62的柱塞64上配置固化性密封树脂40。然后，将上模50和下模52闭模，将发光元件12配置于腔54内的规定位置。
[0214]作为固化性密封树脂40，可例举与方法(α)中使用的密封树脂40同样的材料。
[0215]工序(β4):
[0216]如图15所示，将下模52的柱塞64向上推，通过树脂导入部60将密封树脂40填充至腔54内。接着，加热模具，使密封树脂40固化，形成密封发光元件12的透镜部14。
[0217]工序(β4)中，通过在腔54内填充密封树脂40，脱模膜30因树脂压力被进一步挤入腔面56侧，被拉伸而变形，从而密合于腔面56。因此，形成与腔54的形状对应的形状的透镜部14。
[0218]模具温度、S卩、使密封树脂40固化的温度较好是采用与方法(α )中的温度范围同样的范围。
[0219]密封树脂40填充时的树脂压力较好是2?30MPa，更好是3?lOMPa。如果树脂压力在2MPa以上，则不易产生密封树脂40的填充不足等缺点。如果树脂压力在30MPa以下，则容易获得品质良好的发光二极管I。密封树脂40的树脂压力可通过柱塞64进行调
M
iF.0
[0220]工序(β5):
[0221]如图16所示，将在树脂导入部60内密封树脂40固化而得的固化物16附着的状态下的发光二极管I从模具取出，切除固化物16。
[0222]透镜部14形成后的模具内，形成的透镜部14与腔面56之间配置有脱模膜30，如果剥离力的最大值在0.8N/25mm以下，则可将发光二极管I容易地从模具脱模。
[0223]本发明的制造方法也可与上述的具有近似半球型的透镜部14的发光二极管I的制造同样地进行操作，用于具有其它形状的透镜部14的发光二极管I的制造。该情况下，使用具有与各透镜部14的形状对应的腔且可将发光元件12设置于规定位置的模具，实施上述的工序即可。
[0224](作用效果)
[0225]以上说明的本发明的半导体器件的制造方法中，使用拉伸脱模膜时脱模膜的厚度不易产生不均的本发明的脱模膜，因此脱模膜的厚度不均被转印至树脂密封部的表面而显现的树脂密封部的表面的变形得到抑制。因此，即使树脂密封部大型化、复杂化，也可制造树脂密封部的表面的变形得到抑制的半导体器件。
实施例
[0226]以下，例举实施例对本发明进行具体说明，但本发明并不仅限于这些例子。
[0227]例I?3为实施例，例4?8为比较例。
[0228](各重复单元的比例)
[0229]ETFE中的各重复单元的比例根据总氟量测定和熔融19F-NMR测定的结果算出。
[0230](MFR)
[0231]ETFE 的 MFR 按照 ASTM D3159 使用 5kg 负荷在 297°C测定。
[0232](熔点)
[0233]树脂的熔点使用差示扫描量热计(精工电子株式会社(SII社)制，DSC7020)根据以10°C /分钟加热树脂时的吸热峰求得。
[0234](拉伸弹性模量)
[0235]脱模膜的132°C时的拉伸弹性模量按照JIS K 7127进行测定。将用与该脱模膜相同的树脂制成的厚400 μ m的压制片切成长条状(试验片型号5)，制成试验片。对于该试验片，以片温度:132°C、拉伸温度:1mm/分钟的条件进行拉伸试验，测定拉伸变形0.05%?
0.25%的应力，根据下式求得拉伸弹性模量。
[0236]拉伸弹性模量(MPa)=(变形0.25%时的应力(MPa)-变形0.05 %时的应力(MPa))/(变形 0.25% -变形 0.05% )/100
[0237](剥离力)
[0238]剥离力按照JIS K 6854-2、如下通过脱模膜与二液混合型的热固性有机硅树脂的180°剥离试验进行测定。
[0239](a)在脱模膜与铝板之间适量涂布混合的热固性有机硅树脂(东丽道康宁公司(東 > 夕' 々 - 一二 > 夕''社)制，0E6630)。
[0240](b)将夹着热固性有机硅树脂的脱模膜和铝板以130°C、IMPa压制5分钟而使热固性有机硅树脂固化。以固化的有机硅树脂层的厚度达到100 μ m的条件调整所述热固性有机硅树脂的涂布量。
[0241](c)将接合的脱模膜和铝板切割成25mm宽。
[0242](d)使用拉伸试验机(奥利安泰克株式会社(才'J 二 > r 'y夕社)制，RTC-1310A)，以10mm/分钟的剥离速度测定试验片的剥离膜相对于有机硅树脂层的常温下的180°剥离力。
[0243](e)求出力(N)-抓手移动距离曲线中的抓手移动距离25mm~125mm的剥离力的最大值(单位为N/25mm)。
[0244](f)使用5个试验片，求出各脱模膜的剥离力的最大值的算术平均。
[0245](透镜部的外观)
[0246]制成发光二极管后，通过肉眼观察评价透镜部的外观。
[0247]◎(非常好):透镜部的表面均同样，未见瑕疵。
[0248]〇(良好):透镜部的表面可见轻微的变形，但对功能没有影响。
[0249]X (不良):透镜部的表面可见变形、折皱等瑕疵。
[0250][例I]
[0251](ETFE 的制造)
[0252]向抽真空的94L的不锈钢制高压釜中加入87.3kg的1-氢十三氟己烷、4.21kg的1，3- 二氯-1，I, 2，2，3-五氟丙烷(旭硝子株式会社(旭硝子社)制，AK225cb,以下记作AK225cb)、2.13kg的PFBE，搅拌的同时升温至66°C，导入TFE/E = 89/11(摩尔比)的混合气体至1.5MPaG，加入60.4g的50质量％的过氧化新戊酸叔丁酯的AK225cb溶液，开始聚合。聚合中，以压力达到1.5MPaG的条件连续添加TFE/E = 60/40(摩尔比)的混合气体和相对于该混合气体为7.0摩尔％的量的PFBE，加入7.19kg的TFE/E的混合气体后冷却高压釜，清除残留气体，结束聚合。聚合所需的时间为333分钟。
[0253]将所得的ETFE的浆料移至220L的造粒槽，加入77L水并一边搅拌一边加热，除去聚合溶剂和残留单体，获得7.2kg粒状的ETFE (I)。
[0254]所得的ETFE(I)中，基于TFE的重复单元/基于E的重复单元/基于PFBE的重复单元=54.5/39.0/6.5 (摩尔比)，MFR: 16.2g/10 分钟，熔点:195°C。
[0255](脱模膜的制造)
[0256]通过按照厚度达到50 μ m的条件调整了模唇的挤出机，将ETFE⑴在300°C熔融挤出，获得厚50 μ m的脱模膜(I)。脱模膜⑴的132°C时的拉伸弹性模量为12MPa，剥离力的最大值为0.6N/25mm。
[0257](发光二极管的制造)
[0258]作为发光兀件12,使用白色发光兀件(动作电压:3.5V,消耗电流:10mA)。
[0259]作为脱模膜30，使用脱模膜(I)。
[0260] 作为密封树脂40，使用二液混合型的固化性有机硅树脂(信越化学工业株式会社制的LPS-3412A和信越化学工业株式会社制的LPS-3412B的等量混合物)。该固化性有机硅树脂形成透明的固化树脂。
[0261]作为模具，使用图11所示的模具。上模50的腔54的形状采用与表面积56mm2的近似半球型的透镜部对应的形状。
[0262]以覆盖上模50的腔54的方式配置脱模膜30。以发光元件12位于腔54的开口部的中心的方式，在下模52配置安装有发光元件12的基板10，并在树脂配置部62的柱塞64上配置所述固化性有机硅树脂。通过抽真空使脱模膜30真空吸附于腔面56，闭模后向腔54内填充密封树脂40。加热模具而使密封树脂40固化，形成近似半球型的透镜部14。模具的加热温度设为110°C。此外，固化时间设为3分钟。然后，将上模50和下模52开模，从模具取出发光二极管I。对透镜部的外观进行评价。结果示于表I。
[0263][例2]
[0264](脱模膜的制造)
[0265]除了按照厚度达到25 μ m的条件调整模唇以外，与例I同样地获得脱模膜(2)。脱模膜⑵的132°C时的拉伸弹性模量为12MPa，剥离力的最大值为0.6N/25mm。
[0266]使用脱模膜(2)，与例I同样地制成发光二极管。对透镜部的外观进行评价。结果不于表I。
[0267][例3]
[0268]准备基于TFE的重复单元/基于E的重复单元/基于PFBE的重复单元=56.4/39.6/4.0 (摩尔比)，MFR: 18g/10 分钟，熔点:222 °C 的 ETFE (2)。
[0269]将例I的ETFE⑴与例2的ETFE⑵I比I (质量比)混合，通过15mm双轴挤出机在300°C熔融混炼，获得混炼物。使用该混炼物，与例I同样地获得厚50 μ m的脱模膜(3)。脱模膜⑶的132°C时的拉伸弹性模量为20MPa，剥离力的最大值为0.5N/25mm。
[0270]使用脱模膜(3)，与例I同样地制成发光二极管。对透镜部的外观进行评价。结果不于表I。
[0271][例4]
[0272](ETFE 的制造)
[0273]向抽真空的94L的不锈钢制高压釜中加入85.2kg的1-氢十三氟己烷、6.31kg的AK225cb、1.22kg的PFBE，搅拌的同时升温至66°C，导入TFE/E = 89/11 (摩尔比)的混合气体至1.5MPaG，加入30.2g的50质量％的过氧化新戊酸叔丁酯的AK225cb溶液，开始聚合。聚合中，以压力达到1.5MPaG的条件连续添加TFE/E = 60/40 (摩尔比)的混合气体和相对于该混合气体为3.3摩尔％的量的PFBE，加入7.19kg的TFE/E的混合气体后冷却高压釜，清除残留气体，结束聚合。聚合所需的时间为305分钟。
[0274]将所得的ETFE的浆料移至220L的造粒槽，加入77L水并一边搅拌一边加热，除去聚合溶剂和残留单体，获得7.5kg粒状的ETFE (3)。
[0275]所得的ETFE (3)中，基于TFE的重复单元/基于E的重复单元/基于PFBE的重复单元=56.3/40.7/3.0 (摩尔比)，MFR: 17.3g/10 分钟，熔点:236.9°C。
[0276](脱模膜的制造)
[0277]通过按照厚度达到50 μ m的条件调整了模唇的挤出机，将ETFE (3)在300°C熔融挤出，获得厚50 μ m的脱模膜(4)。脱模膜(4)的132°C时的拉伸弹性模量为40MPa，剥离力的最大值为0.3N/25mm。
[0278](发光二极管的制造)
[0279]使用脱模膜(4)，与例I同样地制成发光二极管。对透镜部的外观进行评价。结果不于表1。
[0280][例5]
[0281]准备基于TFE的重复单元/基于E的重复单元/基于丙烯的重复单元=54.8/28.7/16.5 (摩尔比)，MFR:6g/10分钟，熔点:172°C的乙烯/丙烯/四氟乙烯共聚物(以下记作PETFE)。
[0282]通过按照厚度达到50 μ m的条件调整了模唇的挤出机，将PETFE在250°C熔融挤出，获得厚50 μ m的脱模膜(5)。脱模膜(5)的132°C时的拉伸弹性模量为4MPa，剥离力的最大值为0.8N/25mm。
[0283]使用脱模膜(5)，与例I同样地制成发光二极管。对透镜部的外观进行评价。结果不于表1。
[0284][例6]
[0285]准备ETFE膜(旭硝子株式会社制，Fluon LM-ETFE膜，厚度:50 μ m)。由LM-ETFE膜的原料树脂制成的试验片的132°C时的拉伸弹性模量为28MPa，剥离力的最大值为
0.3N/25mm。
[0286]使用ETFE膜，与例I同样地制成发光二极管。对透镜部的外观进行评价。结果示于表1。
[0287][例7]
[0288]准备PP膜(二村化学株式会社夕5化学社)制，无拉伸聚丙烯膜，FPK级，厚度:25μπι)。由PP膜制成的试验片的132°C时的拉伸弹性模量为65MPa，剥离力的最大值为 3.6N/25mm。
[0289]使用PP膜，与例I同样地制成发光二极管。对透镜部的外观进行评价。结果示于表1。
[0290][例8]
[0291]对与例I同样地得到的厚50 μ m的脱模膜的一侧表面实施电晕放电处理(使用坦泰克公司(TANTEC^i;)制电晕发生器HV-05-2，输出电压:60V，输出频率:30kHz)，获得脱模膜⑶。脱模膜⑶的132°C时的拉伸弹性模量为12MPa，剥离力的最大值为6.5N/25mm。
[0292]使用脱模膜⑶，与例I同样地制成发光二极管8。其中，脱模膜⑶以经电晕放电处理的面朝向下模52侧的方式配置。对透镜部的外观进行评价。结果示于表1。
[0293][表 I]
[0294]
【权利要求】
1.脱模膜，它是在将半导体器件的半导体元件用固化性密封树脂密封而形成树脂密封部的模具的腔面所配置的脱模膜，其特征在于， 按照JIS K 7127测定的132°C时的拉伸弹性模量为10~24MPa， 剥离力的最大值在0.8N/25mm以下。
2.如权利要求1所述的脱模膜，其特征在于，由氟树脂形成。
3.如权利要求2所述的脱模膜，其特征在于，所述氟树脂是具有基于四氟乙烯的单元、基于乙烯的单元、基于除它们以外的第三单体的单元的共聚物。
4.如权利要求3所述的脱模膜，其特征在于，所述第三单体为(全氟丁基)乙烯。
5.如权利要求4所述的脱模膜，其特征在于， 所述共聚物是基于四氟乙烯的重复单元与基于乙烯的重复单元的摩尔比(四氟乙烯/乙烯)为80/20~40/60，基于(全氟丁基)乙烯的重复单元的比例在全部重复单元100摩尔％中为5~10摩尔％的共聚物。
6.半导体器件的制造方法，它是使用模具将半导体元件用固化性密封树脂密封来制造半导体器件的方法， 其特征在于，在模具的密封树脂接触的腔面配置按照JIS K 7127测定的132°C时的拉伸弹性模量为10~2 4MPa、且剥离力的最大值在0.8N/25mm以下的脱模膜，使所述密封树脂在与所述脱模膜接触的状态下固化而形成树脂密封部。
7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件为发光二极管，所述半导体元件为发光元件，所述树脂密封部为透镜部。
8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述透镜部的露出于外侧的部分的面积在56mm2以上。
9.如权利要求6~8中的任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，密封树脂为热固性树脂，使该密封树脂在与所述脱模膜接触的状态下热固化。
10.如权利要求6~9中的任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，使用模具形成树脂密封部的方法为压缩成形法。
11.如权利要求6~9中的任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，使用模具形成树脂密封部的方法为传递成形法。
12.半导体器件的制造方法，其特征在于，包括下述的工序(αI)~(α5): (α?)将权利要求1~5中的任一项所述的脱模膜以覆盖模具的腔的方式配置的工序; (α2)通过抽真空将所述脱模膜朝所述模具的腔面侧吸引的工序； (α3)向所述腔内填充密封树脂的工序； (α 4)将半导体元件配置于所述腔内的规定位置，通过所述密封树脂密封所述半导体元件而形成树脂密封部，获得半导体器件的工序； (α5)将所述半导体器件从所述模具内取出的工序。
13.半导体器件的制造方法，其特征在于，包括下述的工序(β?)~(β5): (β I)将权利要求1~5中的任一项所述的脱模膜以覆盖模具的腔的方式配置的工序; (β2)通过抽真空将所述脱模膜朝所述模具的腔面侧吸引的工序；(β3)将半导体元件配置于所述腔内的规定位置的工序； (β 4)向所述腔内填充密封树脂，通过该密封树脂密封所述半导体元件而形成树脂密封部，获得半导体器件的工序； (β5)将所述半导体器件从所述模具内取出的工序。
14.如权利要求12或13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于， 所述半导体器件为发光二极管， 所述半导体元件为发光元件， 所述树脂密封部为透镜部， 该透镜部的露出于 外侧的部分的面积在56mm2以上。
【文档编号】C08F214/26GK104080585SQ201380007058
【公开日】2014年10月1日 申请日期:2013年1月29日 优先权日:2012年1月30日
【发明者】笠井涉, 樋口義明, 安宅真和, 田口大辅, 大继聪 申请人:旭硝子株式会社