1.一种制备有机基卤代硅烷或卤代硅烷的方法，该方法包括：
(I)向流化床反应器中装入下列成分，以形成粒状接触物质：
(i)粉碎的硅；
(ii)至少一种用于直接法反应的催化剂；
(iii)至少一种用于直接法反应的促进剂；
(II)此后，向反应器提供有机卤化物以在反应器中形成流化床；
(III)使各成分互相作用并反应，从而以所需比和所需速率生成有机基卤代硅烷；
(IV)使有机基卤代硅烷离开流化床反应器，从而有机基卤代硅烷和未反应的有机卤化物淘析一部分粒状接触物质；
(V)通过使用重力或差压技术在流化床表面下方的任何位置上直接除去，将接触物质从流化床反应器中定期或连续地除去；
(VI)用新鲜硅、催化剂和促进剂替换在步骤(IV)和(V)中除去的接触物质；
(VII)储存步骤(IV)和(V)中除去的接触物质，从而形成提取的接触物质颗粒；
(VIII)在步骤(VII)之后将所述提取的接触物质颗粒进料到串联的其它直接法反应器或者其它合成法反应器中。
2.一种生产有机基卤代硅烷的半连续方法，该方法包括：
(I)向流化床反应器中装入下列成分，以形成粒状接触物质：
(i)粉碎的硅；
(ii)至少一种用于直接法反应的催化剂；
(iii)至少一种用于直接法反应的促进剂；
(II)向反应器提供有机卤化物以在反应器中形成流化床；
(III)使各成分互相作用并反应，从而以所需比和所需速率生成有机基卤代硅烷；
(IV)使有机基卤代硅烷离开流化床反应器，从而有机基卤代硅烷和未反应的有机卤化物淘析一部分粒状接触物质；
(V)通过使用重力或差压技术在流化床表面下方的任何位置上直接除去，将接触物质从流化床反应器中定期或连续地除去；
(VI)用新鲜硅、催化剂和促进剂替换在步骤(IV)和(V)中除去的接触物质；
(VII)储存步骤(IV)和(V)中除去的接触物质，从而形成提取的接触物质颗粒；
(VIII)在步骤(VII)之后使所述提取的接触物质返回到所述流化床反应器中。
3.权利要求1或2的方法，其中所述粉碎的硅具有至多150μm的硅粒度，和所述硅粒度具有特征在于7-20μm的第50分别百分数的粒度质量分布。
4.权利要求3的方法，其中所述粒度质量分布的特征在于2.5-4.5μm的第10分布百分数，12-25μm的第50分布百分数，和35-45μm的第90分布百分数。
5.权利要求1或2的方法，其中所述催化剂为铜催化剂，选自一种或多种元素铜，铜合金，和铜化合物。
6.权利要求1或2的方法，其中用于直接法反应的促进剂选自磷、磷化合物、锌、锌化合物、锡、锡化合物、锑、锑化合物、砷和砷化合物、铯和铯化合物、及其混合物。
7.权利要求1或2的方法，其中所述有机卤化物具有式：RX(1)，其中R为选自以下种类的烃基：烷基、芳基、芳烷基、烯基、炔基、环烷基、环烯基、及其混合物，且其中X为选自氯、溴和氟的卤素。
8.权利要求7的方法，其中所述有机卤化物选自氯苯、甲基氯和乙基氯。
9.权利要求1或2的方法，其中所述有机基氯代硅烷包括甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷和三甲基氯硅烷。
10.权利要求1或2的方法，其中通过在该方法的连续相期间除去一部分接触物质同时仍向反应器中加入新鲜硅、催化剂和促进剂颗粒，保持累积的硅转化率在70％至<100％的范围内。