Ito导电膜形成用涂料及ito导电膜的形成方法
【专利摘要】本发明提供一种ITO导电膜形成用涂料及ITO导电膜的形成方法，其能够抑制包含ITO导电膜的透明电极在高温高湿下的电阻值的上升。本发明的ITO导电膜形成用涂料中，包含ITO粉末、分散介质及表面处理剂，分散介质为醇系溶液，表面处理剂为烷基的碳数为2以下的硅酸酯，或者，表面处理剂为具有氨基或巯基作为端基的硅烷偶联剂。相对于ITO粉末100质量%，硅酸酯含有1～30质量%。并且，相对于ITO粉末100质量%，硅烷偶联剂含有0.1～30质量%。
【专利说明】ITO导电膜形成用涂料及ITO导电膜的形成方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种用于形成能够在高温高湿下抑制ITO导电膜的电阻值的上升的ITO导电膜的涂料。本说明书中，ITO是指铟锡氧化物(Indium Tin Oxide)。
【背景技术】
[0002]在LCD (Liquid Crystal Display)和 PDP (Plasma Display Panel)、有机 EL(ElectroLuminescence)触控面板等显示装置中使用透明电极。该透明电极通常由包含ITO等的透明导电材料构成。这种透明电极通常用溅射法等来形成为膜状(例如参考专利文献I)。然而，溅射装置昂贵，存在成膜效率差且其膜易产生龟裂等问题。作为形成不易产生该龟裂的弯曲性优异的ITO导电膜的方法，提出了将ITO导电膜形成用涂料涂布于基板的方法来代替溅射法。然而，用涂布方式所得到的透明电极若放置在高温高湿下，则电阻值因环境中的氧和水分原因而有上升趋势，这已成为使可靠性下降的一个原因。
[0003]为了解决该问题，作为由涂布方式得到的ITO导电膜形成用涂料，提出了如下透明导电材料:包含将具有耐水性的ITO粉末这样的导电粉的表面用表面处理剂进行处理而成的表面处理导电粉及固化性化合物的透明导电材料(例如参考专利文献2)、和包含树脂、ITO粉末这样的透明导电颗粒、二氧化硅材料及硅烷偶联剂的透明导电材料(例如参考专利文献3)。
[0004]专利文献1:日本专利公开2004-315951号公报([0002]段)
[0005]专利文献2:日本专利公开2006-59772号公报(摘要、权利要求1)
[0006]专利文献3:日本专利公开2009-135044号公报(摘要、权利要求1)
[0007]通过上述专利文献2及3所示的透明导电材料形成的ITO导电膜的透明电极即使在高温高湿下也能够充分抑制由水分的影响而产生的电阻值的上升。然而，近年来，透明电极的用途更加多样化，要求即使在比以往更苛刻的条件下也能够抑制高温高湿下的透明电极的电阻值的上升的ITO导电膜形成用涂料。
【发明内容】
[0008]本发明的目的在于提供一种即使在比以往更苛刻的条件下也能够抑制包含ITO导电膜的透明电极在高温高湿下的电阻值的上升的ITO导电膜形成用涂料。 [0009]本发明的第I观点为，一种ITO导电膜形成用涂料，其包含ITO粉末、所述ITO粉末的分散介质及所述ITO粉末的表面处理剂，其中，所述分散介质为醇系溶液，所述表面处理剂为烷基的碳数为2以下的硅酸酯，或者，所述表面处理剂为具有氨基或巯基作为端基的硅烷偶联剂，相对于所述ITO粉末100质量％,所述娃酸酯含有I~30质量％,或者,相对于所述ITO粉末100质量％，所述硅烷偶联剂含有0.1~30质量％。
[0010]本发明的第2观点是ITO导电膜形成用涂料，是基于第I观点的发明，所述硅酸酯为具有碳数为I的烷基的四甲氧基硅烷或碳数为2的烷基的四乙氧基硅烷。
[0011]本发明的第3观点是ITO导电膜形成用涂料，是基于第I观点的发明，所述硅烷偶联剂为N-2-(氨乙基)-3_氨丙基二甲氧基硅烷、3-氨丙基二甲氧基硅烷、3-疏丙基甲基二甲氧基硅烷或3-巯丙基三甲氧基硅烷。
[0012]本发明的第4观点是使用第I~第3中任一观点所记载的涂料来形成ITO导电膜的方法。
[0013]原来，作为ITO的主要构成要素的In2O3呈方铁锰矿(Bixbyite)结构，能够表现为从萤石结构有规则地脱氧的结构。若该结构中作为掺杂剂的Sn的量增加等，则成为在晶格之间易吸收氧的结构。因此，若ITO粉末放置在高温高湿下，则吸附于粉末表面的水在粉末表面的氧空位和晶格之间，作为-OH结合，且捕获载流子电子，从而降低ITO粉末的导电性。
[0014]本发明的第I观点的ITO导电膜形成用涂料中，用包含烷基的碳数为2以下的预定量的硅酸酯，或者，具有氨基或巯基作为端基的所述预定量的硅烷偶联剂的表面处理剂处理ITO粉末的表面。上述硅酸酯为在硅与烃链之间具有I个以上的酯键的有机硅化合物(S1-0-R，其中R为烷基)。并且，上述硅烷偶联剂为具有氨基或巯基作为端基。
[0015]若用这些表面处理剂进行处理，则认为在上述硅酸酯的情况下，通过在上述粉末表面的氧空位和晶格之间结合有硅酸酯，或者在上述硅烷偶联剂的情况下，通过在上述粉末表面的氧空位和晶格之间结合有氣基或疏基，从而分别大幅改善相对于水的稳定性。并且，在一般的ITO表面上，-OH已存在于颗粒表面，因此通过在此结合有上述硅酸酯或上述硅烷偶联剂，所捕获的电子被释放而得到导电性提高的效果。其结果，本发明的涂料能够抑制由该涂料形成的ITO导电膜在高温高湿下的电阻值的上升。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1是本发明的ITO粉末的多晶ITO颗粒的示意图。(a)为示意立体图，(b)为示意剖视图。
[0017]图2是将本发明的多晶ITO颗粒、ITO粉末的一方式通过TEM进行拍摄的照片图。(a)为10000倍的照片图，(b)为50000倍的照片图。
【具体实施方式】
[0018]接着，根据附图对用于实施本发明的方式进行说明。
[0019]<ΙΤ0 粉末>
[0020]如图1的(a)及(b)中示意性地表示，本发明的ITO粉末包含多晶ITO颗粒10。该多晶ITO颗粒10包括棒状中心核11及多个棒状体12，且一体形成为多个棒状体12沿着与棒状中心核11的长度方向基本相同的方向围绕棒状中心核11。另外如图2的照片图所示，多晶ITO颗粒中，可观察到多个较短的棒状体如小树枝，并且能够观察到这些较短的棒状体围绕棒状中心核的周围且相互邻接，并且以相同的方向排列而固定于棒状中心核。另外，如图2所示，多个棒状体的每一个直径及长度未必一定相同，其剖面形状、表面形状也未必一定相同。
[0021 ] 本发明的多晶ITO颗粒10的平均长度L在0.2~5.Ομπι的范围内，优选在1.0~
5.0ym 的范围内。将多晶ITO颗粒10的平均直径设为D时，L/D在2~20的范围内，优选在3~10的范围内。L小于0.2μπι时，容易与形成ITO导电膜的基板面垂直而立，无法得到如橄榄球那样易倒的效果。若L超过5.0 μ m，则颗粒之间的填密性变差。并且，L/D小于2时，无法得到由各向异性而产生的导电性提高的效果，若超过20，则在制作涂膜时产生棒状颗粒断裂而导致变短之类的情况。
[0022]本发明的ITO粉末的多晶ITO颗粒具有上述形状，因此例如制造涂布型ITO薄膜时，当对包含该ITO粉末的涂料进行加压的同时涂布于树脂薄膜时容易沿涂布方向取向于树脂薄膜面。即，多晶ITO颗粒容易在树脂薄膜面滚动而横卧。并且，本发明的ITO颗粒为多晶，因此在晶界产生适度偏离的结果，颗粒之间的空隙易被填充，多晶ITO颗粒之间变得密集。其结果，将本发明的ITO颗粒用在透明电极等材料时，通过进一步降低电阻而得到良好的导电性。并且，不仅如此，多晶ITO颗粒之间被填充的结果，涂布于透明基板和薄膜上时，涂布层成为致密组织，由此能够使薄膜太阳能电池的受光面和光学器件的透明电极等的透光率良好，并且降低雾度。
[0023]< ITO粉末的制造方法>
[0024]以下对本发明的ITO粉末的制造方法进行说明。
[0025]首先，作为第I工序，以预定的比例称取并混合锡盐和铟盐，将该混合物溶解于纯水而作为锡盐和铟盐的混合溶液，使该混合溶液与碱反应而生成含锡氢氧化铟的悬浮液。作为混合方法，优选向锡盐和铟盐的混合水溶液添加氨等碱来进行反应的方法。若向锡盐和铟盐的混合水溶液添加碱，则易生成各向异性颗粒，而且通过控制添加碱时的温度、添加速度及/或颗粒浓度，能够控制所生成的氢氧化物颗粒的大小和轴比。
[0026]另外，本发明中，将预定频率的超声波照射于混合中的上述反应液。通过赋予该超声波，能够制造包括如下多晶ITO颗粒的ITO粉末，即在ITO棒状中心核的周围，短于该ITO棒状中心核的多个ITO 棒状体一体形成为沿着与ITO棒状中心核的长度方向相同的方向且围绕ITO棒状中心核。超声波的频率设为20~10000kHz。频率小于20kHz时，超声波的搅拌效果较弱，另一方面若超过10000kHz，则超声波的输出功率将下降而无法得到充分的效果。频率更优选设为20~1000kHz。
[0027]将超声波赋予到上述悬浮液的预定时间需要通过频率和中和液的容量等来进行适当调整。例如，超声波的频率为IOOkHz时，当反应液的容量为IL时一边照射超声波一边滴入碱的时间优选20~600分钟。若超声波的赋予时间过短，则产生无法充分得到超声波照射的效果的不良情况，若过长，则产生颗粒变得过长的不良情况。将反应液的液面与超声波照射装置的液面(从照射装置向反应器传送超声波的介质)设为相同，以使超声波均匀地赋予到反应液中。通过赋予该超声波，能够在防止各向异性ITO颗粒的单体之间的凝集的同时得到多晶ITO颗粒，所述多晶ITO颗粒在ITO棒状中心核的周围，比中心核短的多个ITO棒状体固定成以沿着与ITO棒状中心核的长度方向相同的方向且围绕ITO棒状中心核。
[0028]其中，作为锡及铟的盐有盐酸盐、硫酸盐、或硝酸盐等，但通常优选盐酸盐。并且，作为碱使用有氨、苛性钠、苛性钾或他们的碳酸盐，但从减少生成含锡氢氧化铟的浆料后的杂质的观点来看，优选使用氨。
[0029]通过固液分离来采集所生成的含锡氢氧化铟的浆料，并通过纯水洗净杂质来得到纯度高的含锡氢氧化铟的块状物。通过在室温以上，优选以80°C以上的温度对所得到的块状物进行干燥，从而得到含锡氢氧化铟的干燥粉。
[0030]在含锡氢氧化铟中，存在锡取代氢氧化铟的铟的情况，但也存在作为氧化锡及/或氢氧化锡与氢氧化铟共沉淀的情况，还存在作为氧化锡及/或氢氧化锡与氢氧化铟成为非晶质的混合体的情况。
[0031]如上所述，含锡氢氧化铟的粒径在得到氢氧化物的工序中被决定。具体而言，通过分别将反应温度控制在40~90°C的范围内，将反应时间(全部中和所需时间)控制在20~600分钟的范围内，将最终颗粒浓度控制在0.01~3mol/L的范围内，能够得到具有所希望的粒径的含锡氢氧化铟。
[0032]其中，当合成例如多晶ITO颗粒的平均长度L为I μ m、平均直径D为0.2 μ m的含锡氢氧化铟的棒状颗粒时，将反应温度设为60°C，将反应时间(全部中和所需时间)设为75分钟、将最终颗粒浓度设为0.5mol/L即可。另一方面，当制造平均长度小于含锡氢氧化铟的棒状颗粒的颗粒时，将反应温度设定得较低，或将反应时间设定得较短或将颗粒浓度设定得较高即可。另外，最终生成的多晶ITO颗粒的尺寸基本上由该含锡氢氧化物的尺寸决定。即，该含 锡氢氧化物变成ITO颗粒时，平均长度L及平均直径D均缩短70~80%左右。
[0033]接着，对作为第2工序的烧成所得到的含锡氢氧化铟的工序进行说明。该烧成工序的目的是为了由含锡氢氧化铟生成作为氧化物的ΙΤ0、及对所得到的ITO结晶赋予氧缺陷。由此，该烧成工序为了对ITO的结晶赋予氧缺陷而在混合有不活泼气体和还原性气体的弱还原气氛下进行。通常，作为弱还原气氛，使用将氢、一氧化碳、氨气及醇混合到氮、氦、氩等不活泼气体中的混合气体。混合气体中的各气体的混合比率通过欲赋予到ITO的结晶的氧缺陷量适当决定。但是，若混合气体的还原力过强，则导致含锡氢氧化铟成为InO、金属In等。并且，氢和一氧化碳等的混合比率优选设为混合气体在大气中不超过爆炸极限的程度的浓度。
[0034]在烧成工序中，首选进行烧成，接着进行还原处理。烧成使含锡氢氧化铟脱水而成为氧化铟。烧成温度为300~1000°C。在300°C以上时，能够得到完全的氧化物。在1000°C以下时，能够避免ITO颗粒之间的剧烈烧结。优选烧成温度为350~800°C以下。烧成时间为0.1小时以上即可，但脱水反应一结束，就不需要再进行烧成。气氛设为大气。
[0035]烧成后的还原处理优选在200°C以上且小于500°C的温度且上述还原气氛下进行。若为200°C以上，则能够赋予氧缺陷，若小于500°C，则由于能够得到适当的还原力，因此不生成绝缘性的InO。还原处理时间为0.5~5小时。若小于0.5小时，则氧缺陷的形成不充分，即使超过5小时也不会出现优越的变化。经过以上工序，能够得到包含本发明的ITO颗粒的ITO粉末。如此在向不活泼气体中混合有醇的混合气体中烧成的ITO粉末中，由于在粉末表面上有较多的OH基，因此作为后述表面处理剂的硅酸酯或硅烷偶联剂容易与该OH基接合，所以由硅酸酯或硅烷偶联剂进行的表面处理的效果更高，且能够进一步抑制在高温高湿下的ITO导电膜的电阻的上升。
[0036]< ITO导电膜形成用涂料的制造方法>
[0037]相对于添加表面处理剂的醇系溶液100质量％，将上述ITO粉末以I~70质量％的比例进行混合，通过用搅拌机进行搅拌来制备ITO导电膜形成用涂料。其中，表面处理剂为烷基的碳数为2以下的硅酸酯，或者所述表面处理剂为以氨基(-R-NH2、-R-NHR、-R-NR1R2)或巯基(-R-SH)为端基具有的硅烷偶联剂。其中，R、R\ R2分别为烷基。作为烷基的碳数为2以下的硅酸酯例示了四甲氧基硅烷或四乙氧基硅烷。并且，作为具有氨基或巯基作为端基的硅烷偶联剂，例不了 N-2-(氨乙基)-3-氨丙基二甲氧基硅烷、3-氨丙基二甲氧基娃烷、3-巯丙基甲基二甲氧基硅烷或3-巯丙基三甲氧基硅烷。另外，本发明的硅酸酯优选在颗粒表面进行结合之后，容易以SiO2组成网，且具有多个酯键。
[0038]表面处理剂为硅酸酯时，相对于ITO粉末100质量％，该硅酸酯在涂料中的浓度为I~30质量％。并且，表面处理剂为硅烷偶联剂时，相对于ITO粉末100质量％，该硅烷偶联剂在涂料中的浓度为0.1~30质量％。各自的配合量小于下限值时，无法得到作为目的的抑制ITO导电膜在高温高湿下的电阻值的上升的效果。并且，若超过上限值，则在形成ITO导电膜时存在表面处理剂阻碍ITO颗粒之间的接触、导致初始表面电阻变大的问题。
[0039]作为ITO粉末的分散介质，例示了乙醇、2-丁醇及1-丙醇等醇系溶液。相对于该醇系溶液100质量％，以I~70质量％的范围添加并混合ITO粉末。当小于I质量％时，很难在导电膜形成厚度充分的膜，若超过70质量％，则分散液的粘度较高而难以进行涂布。并且，根据需要将上述ITO导电膜形成用涂料放入到均化器和球磨粉碎机等中，并对该涂料中的ITO粉末进行粉碎处理。进一步根据需要在不使电阻恶化的范围内，能够将二氧化硅溶胶-凝胶和丙烯酸树脂等粘合剂添加到上述ITO导电膜形成用涂料中。
[0040]< ITO导电膜的制造方法>
[0041]ITO导电膜例如根据如下方法来制造。预先制作用于形成ITO导电膜的基材。该基材为单面涂布有聚氨酯的聚对苯二甲酸乙酯(PET)等的薄膜，且利用双面胶带等来将该薄膜中未涂布有聚氨酯的面粘贴到玻璃基板上来制作。首先，通过棒涂法、模涂法、刮板法等来将ITO导电膜形成用涂料涂布于固定在玻璃基板上的基材上之后使其干燥。接着，从玻璃基板剥离涂布有ITO导电膜形成用涂料的基材，使PET等其他薄膜与基材中ITO导电膜形成用涂料的涂布面重合，在该状态下，通过辊压机等在辊压力100~2000kg/cm、送出速度10~50cm/分钟的条件下施加压力之后，剥离其他薄膜。由此，在薄膜上形成ITO导电膜。
[0042]< ITO导电膜的评价方法>
[0043]关于如上所述得到的透明导电膜，如下对表面电阻进行评价。即，关于如上所述得到的透明导电膜的预先设定的测定点，通过Mitsubishi Petrochemical C0., Ltd.制LorestaAPMCP-T400进行测定，且将其测定值设为初始电阻值。之后，在被控制为85°C、且相对湿度85%RH的恒温恒湿槽内保管2000小时之后，在设定于初期电阻测定时的测定点中再次测定电阻值，将这些作为加湿后电阻值。并且，根据下述式计算变化率。
[0044]变化率=[加湿后电阻值/初始电阻值]
[0045][实施例]
[0046]接着，将本发明的实施例与比较例一同进行详细说明。
[0047]〈实施例1>
[0048]向作为分散介质的乙醇39.9g慢慢滴入作为表面处理剂的四甲氧基硅烷0.1g(Tama Chemicals C0., Ltd.制,商品名:正娃酸甲酯)来制备溶液。将该溶液搅拌30分钟。将通过上述方法得到的ITO粉末IOg添加到所述溶液，且用超声波均化器分散30分钟来制备ITO导电膜形成用涂料。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为I质量％。根据上述透明导电膜的制造方法，将该ITO导电膜形成用涂料通过棒涂法成膜于PET薄膜上，且以辊压力700kg/cm且送出速度30cm/分钟对该膜施加压力来得到ITO导电膜。
[0049]〈实施例2>
[0050] 向作为分散介质的甲醇39g慢慢滴入与实施例1相同的表面处理剂Ig来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为10质量％。
[0051]<实施例3>
[0052]向作为分散介质的2-丙醇37g慢慢滴入与实施例1相同的表面处理剂3g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为30质量％。
[0053]〈实施例4>
[0054]向作为分散介质的1- 丁醇39.9g慢慢滴入作为表面处理剂的硅酸酯的低聚物即四甲氧基硅烷的3~5聚体(Tama Chemicals C0., Ltd.制,商品名:M娃酸盐51) 0.1g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为I质量％。
[0055]〈实施例5>
[0056]向作为分散介质的甲醇39g慢慢滴入与实施例4相同的表面处理剂Ig来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为10质量％。
[0057]〈实施例6>
[0058]向作为分散介质的乙醇37g慢慢滴入与实施例4相同的表面处理剂3g来制备溶液。除此之外，与实施例1 相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为30质量％。
[0059]〈实施例7>
[0060]向作为分散介质的1-丙醇39.9g慢慢滴入作为表面处理剂的四乙氧基硅烷(TamaChemicals C0., Ltd.制，商品名:高纯度正硅酸乙酯)0.1g来制备溶液。除此之外，与实施例I相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为I质量％。
[0061]〈实施例8>
[0062]向作为分散介质的乙醇39g慢慢滴入与实施例7相同的表面处理剂Ig来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为10质量％。
[0063]<实施例9>
[0064]向作为分散介质的乙醇37g慢慢滴入与实施例7相同的表面处理剂3g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为30质量％。
[0065]< 实施例 10 >
[0066]向作为分散介质的1-丙醇39.9g慢慢滴入作为表面处理剂的硅酸酯的低聚物即四乙氧基硅烷的3~5聚体(Tama Chemicals C0., Ltd.制,商品名:娃酸盐40) 0.1g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为I质量％。
[0067]〈实施例11 >
[0068]向作为分散介质的2-丙醇39g慢慢滴入与实施例10相同的表面处理剂Ig来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为10质量％。
[0069]< 实施例 12 >
[0070]向作为分散介质的乙醇37g慢慢滴入与实施例10相同的表面处理剂3g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为30质量％。
[0071]〈实施例13 >
[0072]向作为分散介质的乙醇39.99g慢慢滴入作为表面处理剂的N_2_ (氨乙基)_3_氨丙基三甲氧基硅烷(Shin-Etsu Chemical C0., Ltd.制，商品名:KBM603) 0.01g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为0.1质量％。
[0073]〈实施例14 >
[0074]向作为分散介质的2- 丁醇39.5g慢慢滴入与实施例13相同的表面处理剂0.5g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为5质量％。
[0075]〈实施例15 >
[0076]向作为分散介质的2-丙醇37g慢慢滴入与实施例13相同的表面处理剂3g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为30质 量％。
[0077]〈实施例16 >
[0078]向作为分散介质的甲醇39.99g慢慢滴入作为表面处理剂的3-氨丙基三甲氧基硅烧(Shin-Etsu Chemical C0., Ltd.制，商品名:KBM903) 0.01g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为0.1
质量％。
[0079]〈实施例17 >
[0080]向作为分散介质的乙醇39.5g慢慢滴入与实施例16相同的表面处理剂0.5g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为5质量％。
[0081]< 实施例 18 >
[0082]向作为分散介质的乙醇37g慢慢滴入与实施例16相同的表面处理剂3g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为30质量％。
[0083]< 实施例 19 >
[0084]向作为分散介质的乙醇39.99g慢慢滴入作为表面处理剂的3-巯丙基甲基二甲氧基硅烷(Shin-Etsu Chemical C0., Ltd.制，商品名:KBM802) 0.01g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为0.1质量％。
[0085]< 实施例 20 >
[0086]向作为分散介质的1- 丁醇39.5g慢慢滴入与实施例19相同的表面处理剂0.5g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为5质量％。
[0087]< 实施例 21 >
[0088]向作为分散介质的乙醇37g慢慢滴入与实施例19相同的表面处理剂3g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为30质量％。
[0089]< 实施例 22 >
[0090]向作为分散介质的乙醇39.99g慢慢滴入作为表面处理剂的3-巯丙基三甲氧基硅烧(Shin-Etsu Chemical C0., Ltd.制，商品名:KBM803) 0.01g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为0.1
质量％。
[0091]〈实施例23 >
[0092]向作为分散介质的乙醇39.5g慢慢滴入与实施例22相同的表面处理剂0.5g来制备溶液。除此之外，与实施例1 同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为5质量％。
[0093]< 实施例 24 >
[0094]向作为分散介质的乙醇37g慢慢滴入与实施例22相同的表面处理剂3g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为30质量％。
[0095]<比较例I >
[0096]不向作为分散介质的乙醇40.0g加入表面处理剂，而添加在前述方法中得到的ITO粉末10.0g，用超声波均化器分散30分钟来得到ITO导电膜形成用涂料。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。
[0097]<比较例2 >
[0098]向作为分散介质的乙醇39.5g慢慢滴入作为表面处理剂的专利文献2中所记载的娃氮烧化合物即六甲基二娃氮烧(Shin-Etsu Chemical C0., Ltd.制,商品名:SZ-31) 0.5g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为5质量％。
[0099]<比较例3 >
[0100]向作为分散介质的乙醇39.95g慢慢滴入与实施例1相同的表面处理剂0.05g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为0.5质量％。
[0101]<比较例4>
[0102]向作为分散介质的2-丙醇35g慢慢滴入与实施例1相同的表面处理剂5g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为50质量％。
[0103]<比较例5>
[0104]向作为分散介质的甲醇39.95g慢慢滴入与实施例4相同的表面处理剂0.05g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为0.5质量％。[0105]<比较例6>
[0106]向作为分散介质的乙醇35g慢慢滴入与实施例4相同的表面处理剂5g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为50质量％。
[0107]<比较例7>
[0108]向作为分散介质的1- 丁醇39.95g慢慢滴入与实施例7相同的表面处理剂0.05g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为0.5质量％。
[0109]<比较例8>
[0110]向作为分散介质的乙醇35g慢慢滴入与实施例7相同的表面处理剂5g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为50质量％。
[0111]<比较例9>
[0112]向作为分散介质的乙醇39.95g慢慢滴入与实施例10相同的表面处理剂0.05g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为0.5质量％。
[0113]< 比较例 10>
[0114]向作为分散介质的乙醇35g慢慢滴入与实施例10相同的表面处理剂5g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为50质量％。
[0115]< 比较例 11>
[0116]向作为分散介质的1-丁醇39.999g慢慢滴入与实施例13相同的表面处理剂
0.0Olg来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为0.01质量％。
[0117]< 比较例 12>
[0118]向作为分散介质的乙醇35g慢慢滴入与实施例13相同的表面处理剂5g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为50质量％。
[0119]< 比较例 13>
[0120]向作为分散介质的乙醇39.999g慢慢滴入与实施例16相同的表面处理剂0.0Olg来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为0.01质量％。
[0121]< 比较例 14>
[0122]向作为分散介质的乙醇35g慢慢滴入与实施例16相同的表面处理剂5g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为50质量％。
[0123]< 比较例 15>
[0124] 向作为分散介质的乙醇39.999g慢慢滴入与实施例19相同的表面处理剂0.0Olg来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为0.01质量％。
[0125]< 比较例 16>
[0126]向作为分散介质的乙醇35g慢慢滴入与实施例19相同的表面处理剂5g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为50质量％。
[0127]< 比较例 17>
[0128]向作为分散介质的1-丙醇39.999g慢慢滴入与实施例22相同的表面处理剂
0.0Olg来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为0.01质量％。
[0129]< 比较例 18>
[0130]向作为分散介质的乙醇35g慢慢滴入与实施例22相同的表面处理剂5g来制备溶液。除此之外，与实施例1相同地得到ITO导电膜。相对于ITO粉末100质量％，该表面处理剂的浓度为50质量％。
[0131]<比较测试及评价>
[0132]关于在实施例1~24及比较例I~18中所得到的ITO导电膜，根据前述评价方法，按每一个膜测定初始电阻值及加湿后电阻值。此外，通过将加湿后电阻值除以初始电阻值来求出变化率。将其 结果示于表1及表2。另外，表1及表2中，用“浓度”表示相对于ITO粉末100质量％的表面处理剂的质量％。
[0133][表1]
[0134]
【权利要求】
1.一种ITO导电膜形成用涂料，其包含ITO粉末、所述ITO粉末的分散介质及所述ITO粉末的表面处理剂，所述ITO导电膜形成用涂料的特征在于， 所述分散介质为醇系溶液， 所述表面处理剂为烷基的碳数为2以下的硅酸酯，或者，所述表面处理剂为具有氨基或巯基作为端基的硅烷偶联剂， 相对于所述ITO粉末100质量％,所述娃酸酯含有I~30质量％,或者,相对于所述ITO粉末100质量％，所述硅烷偶联剂含有0.1~30质量％。
2.根据权利要求1所述的ITO导电膜形成用涂料，其中， 所述娃酸酷为具有碳数为I的烷基的四甲氧基硅烷或具有碳数为2的烷基的四乙氧基硅烷。
3.根据权利要求1所述的ITO导电膜形成用涂料，其中， 所述硅烷偶联剂为N-2-(氨乙基)-3-氨丙基二甲氧基硅烷、3-氨丙基二甲氧基硅烷、3-巯丙基甲基二甲氧基硅烷或3-巯丙基三甲氧基硅烷。
4.一种ITO导电膜的形成方法，其中， 所述方法使用权利要求 1~3中任一项所述的涂料来形成ITO导电膜。
【文档编号】B05D7/24GK104017395SQ201410049623
【公开日】2014年9月3日 申请日期:2014年2月13日 优先权日:2013年2月28日
【发明者】米泽岳洋, 山崎和彦, 竹之下爱 申请人:三菱综合材料株式会社