胶带来设置标记301的方法。
[0160] (变形例2)
[0161] 如图10所示，变形例2中，隔片9具备：与芯片接合膜3接触的层叠部91、配置在 层叠部91的外周的外周部92、及配置在外周部92的周边的周边部93。层叠部91与芯片 接合膜3接触。另一方面，外周部92及周边部93不与芯片接合膜3接触。
[0162] 在整个外周部92设置有刻痕901。由于在外周部92设置有刻痕901，因此在将芯 片接合膜3与切割胶带1贴合时，可以容易地进行对位。
[0163] 出于能够容易地进行位置认识的理由，刻痕901的深度优选为5 μπι~45 μπι。
[0164] (变形例3)
[0165] 如图11所示，变形例3中，在外周部92的一部分设置有刻痕901。
[0166] (变形例4)
[0167] 如图12所示，变形例4中，在整个层叠部91的边缘设置有刻痕901。由于在层叠 部91的边缘设置有刻痕901，因此在将芯片接合膜3与切割胶带1贴合时，可以容易地进行 对位。需要说明的是，也可以在层叠部91的边缘的一部分设置刻痕901。
[0168] (其他）
[0169] 上述各变形例可以适当地进行组合。
[0170] 实施例
[0171] 以下，使用实施例详细地说明本发明，但本发明只要不超出其要旨，则并不限定于 以下的实施例。
[0172] 对实施例中使用的成分进行说明。
[0173] 丙烯酸类橡胶：长濑化成（株）制的亍 < 寸y U 9 y SG-P3(含有环氧基的丙烯酸 酯共聚物、Mw :85万，玻璃化转变温度：12°C )
[0174] 二氧化娃填料I :Admatechs公司制的YA050C(二氧化娃，平均粒径：50nm)
[0175] 二氧化娃填料2 :Admatechs公司制的SO-El (二氧化娃，平均粒径：250nm)
[0176] 二氧化娃填料3 :Admatechs公司制的SO-E2 (二氧化娃，平均粒径：500nm)
[0177] [切割-芯片接合膜的制作]
[0178] 按照表1所述的配合比，将丙烯酸类橡胶及二氧化硅填料溶解于甲乙酮（MEK)，使 它们进行分散，得到适于涂敷的粘度的胶粘剂组合物溶液。之后，在经由硅酮脱模处理后的 厚度50μπι的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜（以下也称为脱模处理膜）上涂布胶粘剂组合物溶 液后，在130°C下干燥2分钟，得到芯片接合膜（厚度25 μ m)。
[0179] 在25°C下将芯片接合膜粘贴到切割胶带（日东电工（株）制的P2130G)的粘合剂 层上，制作切割-芯片接合膜。
[0180] [评价]
[0181] 使用切割-芯片接合膜进行以下的评价。结果如表1所示。
[0182] (雾度）
[0183] 从切割-芯片接合膜除去切割胶带，得到芯片接合膜。
[0184] 将芯片接合膜设置于浊度计（日本电色工业制的NDH2000)的试样室，使用光源 D65测定雾度。
[0185] (芯片接合膜的透光率）
[0186] 从切割-芯片接合膜除去切割胶带，得到芯片接合膜。
[0187] 将芯片接合膜固定于膜夹持器（FLH-741，公司岛津制作所制），使用紫外可见近 红外分光光度计（日本分光公司制的V-670DS)，在测定速度2000nm/min、点径2mm (直径）、 测定范围350~800nm的条件下测定平行透射率。
[0188] (200%拉伸后的芯片接合膜的透光率）
[0189] 从切割-芯片接合膜除去切割胶带，得到芯片接合膜。
[0190] 从芯片接合膜切出纵2cmX横4cmX厚度25 μπι的试验用膜。在试验用膜上，以 设置Icm间隔的方式粘贴2个聚酰亚胺胶带。由此，得到试验用膜、及在试验用膜上具备2 个设置Icm的间隔而配置的聚酰亚胺胶带的试验片。拉伸试验片的试验用膜直至聚酰亚 胺胶带的间隔达到2cm。用胶带将拉伸后的状态的试验片固定于直径2_的测定掩模。然 后，将试验片设置于膜夹持器（FLH-741，公司岛津制作所制），并使用紫外可见近红外分光 光度计（日本分光公司制，V-670DS)，在测定速度2000nm/min、点径2mm(直径）、测定范围 350~SOOnm的条件下测定试验用膜的拉伸后的部分的平行透射率。
[0191] (切割胶带的透光率）
[0192] 从切割-芯片接合膜除去芯片接合膜，得到切割胶带。
[0193] 将切割胶带固定于膜夹持器（FLH-741，公司岛津制作所制），使用紫外可见近红 外分光光度计（日本分光公司制，V-670DS)，在测定速度2000nm/min、点径2mm (直径）、测 定范围350~SOOnm的条件下测定平行透射率。需要说明的是，向切割胶带的基材的第2 主面照射光。
[0194] (表面粗糙度Ra)
[0195] 对切割胶带的基材的第2主面测定表面粗糙度Ra。
[0196] 基于JIS B 0601，使用Veeco公司制的非接触三维粗糙度测定装置（NT3300)来测 定表面粗糙度。测定条件设为50倍，对测定数据施以中值滤波器（Median filter)来求出 测定值。变更测定部位进行5次测定，将其平均值作为表面粗糙度。
[0197] (处理性）
[0198] 在60°C下以0.1 MPa的压力将厚度通过研磨而调整为50 μ m后的硅晶片贴合于切 割-芯片接合膜。使用切割装置（DFD6361，DISCO公司制）将硅晶片及芯片接合膜切割为 5mmX5mm的尺寸，得到芯片接合用芯片。芯片接合用芯片具备芯片及配置在芯片上的芯片 接合剂。使用芯片接合装置（SPA-300,新川公司制），使用具备面积5mmX5mm的底面、且 在底面的中央设置有直径Imm的吸附孔的橡胶夹头（7只一3 U 7卜），在120°C、0. 1秒、 〇. Ikg的条件下，将芯片接合用芯片接合到平的铜引线框上。由此，得到带有芯片的引线框。 使用超声波映像装置（Hitachi Power Solutions公司制的Hybrid SAT)，对带有芯片的引 线框确认空隙的有无。选择观察到Imm以上的空隙的带有芯片的引线框，从芯片的侧面用 光学显微镜（基恩士公司制的VHX-2000)确认是否能够观察到空隙。能够确认到空隙的情 况判定为〇，无法确认到空隙的情况判定为X。
[0199]【表1】
【主权项】
1. 一种芯片接合膜，其雾度为0%~25%。2. 如权利要求1所述的芯片接合膜，其波长为600nm的光线的透射率超过85%。3. 如权利要求1或2所述的芯片接合膜，其波长为400nm的光线的透射率超过85%。 4?如权利要求1~3中任一项所述的芯片接合膜，波长为400nm~600nm的全部区域 下的光线的透射率超过85 %。5. -种切割-芯片接合膜，其具备： 具有基材及配置在所述基材上的粘合剂层的切割胶带、 配置在所述粘合剂层上的雾度为〇%~25%的芯片接合膜。6. 如权利要求5所述的切割-芯片接合膜，其中， 所述芯片接合膜在拉长到200%的状态下的波长为600nm的光线的透射率比未拉长的 状态下的波长为600nm的光线的透射率低5%以上。7. 如权利要求5或6所述的切割-芯片接合膜，其中， 所述芯片接合膜具备用于粘贴半导体晶片的粘贴部、及配置在所述粘贴部的周边的非 粘贴部， 在所述非粘贴部设置有标记。8. 如权利要求7所述的切割-芯片接合膜，其中， 所述标记能够光学地进行识别。9. 如权利要求5~8中任一项所述的切割-芯片接合膜，其中， 所述基材在波长为400nm~600nm的全部区域下的光线的透射率为0%~20%。10. 如权利要求5~9中任一项所述的切割-芯片接合膜，其中， 所述基材由与所述粘合剂层接触的第1主面及与所述第1主面相对的第2主面定义两 面， 所述第2主面的表面粗糙度Ra为0. 5 y m~5 y m。11. 一种层叠膜，其具备隔片和切割_芯片接合膜， 所述切割-芯片接合膜具有芯片接合膜以及切割胶带， 所述芯片接合膜配置在所述隔片上且雾度为〇%~25%， 所述切割胶带具备配置在所述芯片接合膜上的粘合剂层、及配置在所述粘合剂层上的 基材。12. 如权利要求11所述的层叠膜，其中， 所述隔片具备与所述芯片接合膜接触的层叠部、及配置在所述层叠部的外周的外周 部， 在所述外周部设置有标记。13. 如权利要求11所述的层叠膜，其中， 所述隔片具备与所述芯片接合膜接触的层叠部， 在所述层叠部的边缘设置有标记。14. 如权利要求12或13所述的层叠膜，其中， 所述标记为刻痕。15. 如权利要求14所述的层叠膜，其中， 所述刻痕的深度为5 y m~45 y m。
【专利摘要】芯片接合膜、切割-芯片接合膜及层叠膜。本发明提供能够在不牺牲半导体装置的情况下非破坏地观察空隙的芯片接合膜等。一种芯片接合膜，其雾度为0％～25％。
【IPC分类】C09J133/08, C09J11/04, H01L21/683, C09J7/02, C09J163/00
【公开号】CN104946147
【申请号】CN201510142546
【发明人】木村雄大, 三隅贞仁, 村田修平, 大西谦司, 宍户雄一郎
【申请人】日东电工株式会社
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2015年3月27日