，100。 全部有机基团中的降冰片基含量为56摩尔％，正十二烷基含量为12摩尔％，乙締基含量为 4.0摩尔％。此外，由Ri~R 3表示的全部有机基团中的74摩尔％为降冰片基，16摩尔％为正十 二烷基，5摩尔％为甲基，5摩尔％为乙締基。
[0169] (合成例3-2)
[0170] 作为含有締基的有机聚硅氧烷，使用合成例3-1中得到的固形的有机聚硅氧烷 lOOg，作为含有氨甲娃烷基的化合物，使用由下述式（5)表示的化合物（SiH当量l，547g/ mol)31.6g(该量WH/Vi比计，相当于0.6似外，进行与合成例2-2同样的反应，得到了重均 分子量46，400的有机聚硅氧烷(A-III)。该树脂每100g含有乙締基0.02摩尔。
[0171] [化引
[0172]
然！
[0173] (比较合成例1)
[0174] 与合成例1同样地，在IL烧杯中装入水234g(13摩尔）、甲苯35g，用油浴加热到80 °C。在滴液漏斗中装入苯基=氯硅烷137.5g(0.65摩尔）、二苯基二氯硅烷50.6g(0.2摩尔）、 甲基乙締基二氯硅烷7.1g(0.05摩尔）三甲基氯硅烷10.8g(0.1摩尔似外，与合成例1同样 地调制，得到了固形的有机聚硅氧烷(A-IV)137g。
[0175] 得到的有机聚硅氧烷(A-IV)包含T单元65摩尔％和0单元25摩尔％和1单元10摩 尔％，相对于每100g有机聚硅氧烷末端含有硅烷醇基0.0 l摩尔、乙締基0.034摩尔。外观为 无色透明固体，重均分子量为11，700。另外，由Ri~R3表示的全部有机基团中的92摩尔％为 苯基(芳香族不饱和控基），4摩尔％为甲基，4摩尔％为乙締基。
[0176] (比较合成例2)
[0177] 与合成例1同样地，在IL烧杯中装入水234g(13摩尔）、甲苯35g，用油浴加热到80 °C。在滴液漏斗中装入降冰片基=氯硅烷91.8g(0.4摩尔）、正己基=氯硅烷24.7g(0.15摩 尔）、二甲基二氯硅烷45.2g(0.35摩尔）、甲基乙締基二氯硅烷7. lg(0.05摩尔）、S甲基氯娃 烧5.4g(0.05摩尔）W外，与合成例1同样地调制，得到了固体的有机聚硅氧烷(A-V)143.8g。
[0178] 得到的有机聚硅氧烷包含T单元55摩尔％和0单元40摩尔％和1单元5摩尔％，每 100g含有硅烷醇基0.12摩尔、乙締基0.044摩尔。外观为无色透明固体，重均分子量为10， 500。全部有机基团中的降冰片基含量为27摩尔％，正己基含量为10摩尔％，乙締基为3.3摩 尔％。此外，由Ri~R 3表示的全部有机基团中的30摩尔％为降冰片基，11摩尔％为正己基，55 摩尔％为甲基，4摩尔％为乙締基。
[01巧][实施例1~3、比较例1，2]
[0180] 作为(A)成分，W上述合成的有机聚硅氧烷A-KA-II、A-III和比较有机聚硅氧烷 A-IV、A-V为基础，分别W表1中记载的组成配合(B)成分、（C)成分、（D)成分、（E)成分、（F)成 分，然后，揽拌、混合、溶解。特别地，作为(B)成分，使用了 W下所示的(B-I)、(B-II)。
[0181] [化9] 化…I)
[0182]
[0183] 此外，作为(C)成分使用了销催化剂CAT-化-50T(信越化学工业(株)制），作为(D) 成分，使用了乙烘基环己醇，作为化）成分使用了酪系抗氧化剂7尹'力乂夕方40-60,作为 (F)成分，使用了异壬烧。对运些组合物使用特氣隆（注册商标）制0.2WI1过滤器进行精密过 滤，得到了实施例1~3中的本发明的粘接剂组合物及比较例1、2中的粘接剂组合物。
[0184] 使用表1的实施例1~3及比较例1、2中所示的组合物，在8英寸娃晶片使用旋涂器 W表1记载的膜厚涂布各实施例及比较例的粘接剂组合物。然后，为了将溶剂除去，采用热 板在8(TC下进行了 5分钟预烘赔。在得到的带粘接剂组合物的8英寸娃晶片，使用接合装置， 在接合溫度100°C、接合前保持时间1分钟、接合时减压4 X IO^mbar、接合压力2kN下进行了 临时接合。进而，使本临时接合基板在150°C下热固化5分钟，得到了最终的接合基板。
[0185] 接下来，各评价按照W下的方法实施。
[0186] [粘接性试验]
[0187] 8英寸的晶片接合使用EVG社的晶片接合装置520IS进行。接合后，通过目视确认冷 却到室溫后的界面的粘接状况，将没有发生界面处的气泡等异常的情形用O表示，将发生 了异常的情形用X表示。
[0188] [背面耐研削性试验]
[0189] 使用研磨机(DAG810 DISCO制)进行了娃基板的背面研削。进行研磨直至最终基板 厚50WI1后，用光学显微镜考察开裂、剥离等异常的有无。将没有发生异常的情形用O表示， 将发生了异常的情形用X表示。
[0190] [耐热性]
[0191] 将娃晶片进行了背面研削后的接合体在空气中23(TC或26(TC下在热板上加热3分 钟后，考察外观异常的有无。将没有发生外观异常的情形评价为良好，用（O)表示，将发生 了外观异常(剥离)的情形评价为不良，用（X )表示。
[0192] [耐光性]
[0193] 作为耐光性试验，进行了 W下所示的短期耐光性、长期耐光性试验。
[0194] 对于短期耐光性，将粘接剂组合物在膜厚50化m的玻璃基板旋涂后，在150°C下进 行10分钟的热固化，测定初期的透射率(波长400nm)，接下来，在空气中230°C或260°C下在 热板上加热3分钟，再次测定加热后的透射率(波长400皿），求出衰减率（％ )=[加热后的透 射率(波长400皿)/初期的透射率(波长400皿)]X 100。将衰减率90% W上评价为（O)，将比 90%低的情形评价为（X )。
[01M]对于长期耐光性，将粘接剂组合物在膜厚50化m的玻璃基板旋涂后，在150°C下进 行10分钟的热固化，测定初期的透射率(波长400nm)，再次测定将模拟太阳光(将波长350nm W下截止)500万勒克斯照射后的透射率(波长400nm)，求出衰减率（％ )=[照射后的透射率 (波长400皿)/初期的透射率(波长400皿)]X 100。将衰减率90% W上评价为(O)，将比90% 低的情形评价为（X )。
[0196] [翅曲性(接合晶片的翅曲量)]
[0197] 对于使用了粘接剂组合物的8英寸娃晶片基板和保护玻璃基板的接合热固化后的 基板，使用背面研磨装置对娃侧实施研磨直至初期725~100皿，测定背面研磨后的接合8英 寸晶片的翅曲量。
[0198] 将上述评价结果记载于表1。
[0199] [表 1]
[0200]
[0201] 如上述表1的比较例I那样使用了不含降冰片基的苯基有机娃树脂的情况下，耐光 性、翅曲性恶化，比较例2的降冰片基的含量少的情况下，翅曲性良好，但耐热性降低。另一 方面，实施例1~3中，都是耐热性、耐光性、翅曲性优异。即，如果是本发明的粘接剂组合物， 显示出满足上述的要求特性。
[0202] 由W上可知，如果是本发明的粘接剂组合物，由于制造中不需要曝光、烘赔、显影 工序，因此制造成本低，生产率高，作为粘接剂所要求的粘接性、热固化后的气密密封性、低 吸湿性等的特性良好，耐热性、耐光性等的固化膜的可靠性高，而且可W抑制=维安装制造 中必需的背面研削后的粘接基板的翅曲。
[0203] 应予说明，本发明并不限定于上述实施方式。上述实施方式是例示，具有与本发明 的专利权利要求中记载的技术思想实质上相同的构成、发挥同样的作用效果的实施方式都
【主权项】
1. 有机硅粘接剂组合物，其特征在于，含有： (A) 含有非芳香族饱和1价烃基及烯基的有机聚硅氧烷， (B) 在1分子内含有2个以上的SiH基的有机氢聚硅氧烷:其量使得(B)成分中的SiH基与 (A)成分中的烯基的摩尔比成为0.5~10， (C) 铂系催化剂:有效量， (A)成分的含有非芳香族饱和1价烃基的有机聚硅氧烷为： 包含由下述（I)~（ΠI)表示的单元的重均分子量为2，000~60，000的有机聚硅氧烷 (A-1)， 或者， 使下述通式（1)所示的1种以上的有机氢聚硅氧烷与该有机聚硅氧烷(A-ι)以相对于上 述有机聚硅氧烷(A-1)的全部烯基、上述有机氢聚硅氧烷的全部SiH基以摩尔比计成为0.4 ~〇. 8倍的量进行氢化硅烷化反应而得到的重均分子量为20，000~400，000的高分子量化 的有机聚硅氧烷(A-2)， (I) 由妒5;[〇3/2表示的硅氧烷单元(T单元）：50~99摩尔％ (II) 由R2R3Si〇2/2表示的硅氧烷单元(D单元）：0~49摩尔％ (III) 由R43SiOi/2表示的硅氧烷单元(M单元）：1~15摩尔％ 式中，R1~R3各自为1价的有机基团，并且由R1~R3表示的全部有机基团中的2~10摩 尔％为碳原子数2~7的烯基，由R1~R3表示的全部有机基团中的40摩尔％以上为相同或不 同的、碳原子数5~10的包含下述环状结构的任一个的非芳香族饱和1价烃基， [化1]并且10~40摩尔％为相同或不同的、碳原子数6~15的取代或未取代的1价的非环状饱 和烃基;而且残部为上述烯基、碳原子数5~10的环状饱和1价烃基、碳原子数6~15的非环 状饱和1价烃基以外的由R1~R 3表示的有机基团，以及R4为相同或不同的、碳原子数1~7的 取代或未取代的1价烃基， [化2]式中，R5~R7可相同也可不同，表示不包括烯基的碳原子数1~12的1价烃基;η为0~200 的整数。2. 根据权利要求1所述的粘接剂组合物，其中，还含有(D)反应控制剂。3. 根据权利要求1或2所述的粘接剂组合物，其中，还含有(Ε)抗氧化剂。4. 根据权利要求1~3的任一项所述的粘接剂组合物，其中，还含有(F)有机溶剂。5. 根据权利要求4所述的粘接剂组合物，其特征在于，上述(F)有机溶剂是沸点为120~ 240 °C的烃溶剂。6. 根据权利要求1~5的任一项所述的粘接剂组合物，其层叠于选自硅晶片、固体摄像 元件硅晶片、塑料基板、陶瓷基板及金属制电路基板的任一个的基板与保护玻璃基板之间。7.固体摄像器件，其包含在选自硅晶片、固体摄像元件硅晶片、塑料基板，陶瓷基板和 金属制电路基板的任一个的基板上依次层叠根据权利要求1~5的任一项所述的粘接剂组 合物的固化物层和保护玻璃基板的层叠物。
【专利摘要】本发明的目的在于提供使用了有机硅高分子化合物的粘接剂组合物，由于在制造中不需要曝光、烘焙、显影工序，因此制造成本低，生产率高，作为粘接剂要求的粘接性、热固化后的气密密封性、低吸湿性等的特性良好，耐热性、耐光性等的固化膜的可靠性高，而且可以抑制在三维安装制造中必需的背面研削后的粘接基板的翘曲。有机硅粘接剂组合物，其包含：(A)含有非芳香族饱和1价烃基及烯基的有机聚硅氧烷，(B)在1分子内含有2个以上的SiH基的有机氢聚硅氧烷：其量使得(B)成分中的SiH基与(A)成分中的烯基的摩尔比成为0.5～10，(C)铂系催化剂：有效量。
【IPC分类】C08G77/50, C09J183/05, C08G77/20, C09J183/07
【公开号】CN105722939
【申请号】CN201480061849
【发明人】安田浩之, 曾我恭子, 菅生道博
【申请人】信越化学工业株式会社
【公开日】2016年6月29日
【申请日】2014年11月10日
【公告号】WO2015072418A1