一种半导体热水器的制造方法_2

文档序号:9450303阅读:来源:国知局
电子迁移率和导电率,能够促使P型半导体24或者N型半导体23以更小的能耗更快地形成稳定的P极或者N极。同时,石墨烯极高的导热性能可以提高所述半导体加热板2内的热量转移速度和能力。在半导体加热板2的热端22持续产生热量,提高半导体加热板的制热能力。
[0022]为了使半导体加热板2制热能力达到最佳,也可以在N型半导体23和P型半导体24内均设置石墨烯层27。此时,需保证N型半导体23具有石墨烯纯度高于P型半导体24的P型掺杂石墨烯层的石墨烯纯度的N型掺杂石墨烯层。
[0023]半导体加热板2设置在加热腔的内壁,通过石墨烯导热件6和加热管道5通过导热连接。加热管道5在加热腔2内呈z字形由进水口 2延伸至出水口 3,以增加加热管道5内的待加热的水与半导体加热板2的热传递时间。石墨烯具有超高的导热率,能够将半导体加热板2热端22的热量快速、高效的传递给加热管道5,对其中的水进行加热。同时,加热腔外表面设置保温隔热层11,防止加热腔内的热量散发。
[0024]另外,电源26设置用于调节电流大小的电流调节单元,使得加热器的加热温度受控可调。
[0025]实施例二
如图3,半导体加热板2的N型半导体23或者P型半导体24添加石墨烯颗粒8。N型半导体3内的石墨烯颗粒为掺杂有H2或者其他可以增加石墨烯失电子能力的杂质的N型掺杂石墨烯颗粒;P型半导体4内的石墨烯颗粒为掺杂有N02或者其他可以增加石墨烯得电子能力的杂质的P型惨杂石墨稀颗粒。石墨稀具有极尚的导热率极尚的电子迁移率和导电率,能够促使P型半导体4或者N型半导体3以更小的能耗更快地形成稳定的P极或者N极。同时,石墨烯极高的导热性能可以提高所述半导体加热板2内的热量转移速度和能力。在半导体加热板2的热端22持续产生热量,提高半导体加热板的制热能力。
[0026]为了使半导体加热板2制热能力达到最佳,也可以在N型半导体3和P型半导体4内均添加石墨稀层颗粒。此时,需保证N型半导体3中添加的石墨稀颗粒的石墨稀纯度高于P型半导体4中添加的石墨烯颗粒的石墨烯纯度。
[0027]半导体加热板2设置在加热腔的内壁,通过石墨烯导热件6和加热管道5通过导热连接。加热管道5在加热腔2内呈z字形由进水口 2延伸至出水口 3,以增加加热管道5内的待加热的水与半导体加热板2的热传递时间。石墨烯具有超高的导热率,能够将半导体加热板2热端22的热量快速、高效的传递给加热管道5,对其中的水进行加热。同时,加热腔外表面设置保温隔热层11,防止加热腔内的热量散发。
[0028]另外,电源26设置用于调节电流大小的电流调节单元,使得加热器的加热温度受控可调。
[0029]虽然结合附图描述了本发明的实施方式,但是本领域普通技术人员可以在所附权利要求的范围内做出各种变形或修改。
【主权项】
1.一种半导体热水器,包括用于对水进行加热的加热腔,所述加热腔包括半导体加热板(2)、进水口(3)、出水口(4)、设置在所述加热腔内并且连通所述进水口(3)和所述出水口(4)的加热管道(5),所述半导体加热板(2)与所述加热管道(5)导热连接;其特征在于:所述半导体加热板(2)的N型半导体(23)设置石墨烯层,或者所述半导体加热板(2)的P型半导体(24)设置石墨烯层,或者所述半导体加热板(2)的N型半导体(23)和P型半导体(24)均设置石墨烯层(27)。2.根据权利要求1所述的一种半导体热水器,其特征在于:所述所述P型半导体(23)设置石墨烯层(26);所述N型半导体(23)具有石墨烯纯度高于所述P型半导体(24)的石墨烯层的石墨烯纯度的石墨烯层。3.根据权利要求1或2所述的一种半导体热水器,其特征在于:所述加热腔和所述加热管道(5)通过石墨烯导热件(6)导热连接。4.根据权利要求3所述的一种半导体热水器,其特征在于:所述加热腔外表面设置保温隔热层(11)。5.根据权利要求1或2所述的一种半导体热水器,其特征在于:所述电源设置用于调节电流大小的电流调节单元。6.一种半导体热水器,包括用于对水进行加热的加热腔,所述加热腔包括半导体加热板(2)、进水口(3)、出水口(4)、设置在所述加热腔内并且连通所述进水口(3)和所述出水口(4)的加热管道(5),所述半导体加热板(2)与所述加热管道(5)导热连接;其特征在于:所述半导体加热板(2)的N型半导体(23)添加石墨烯颗粒(28),或者所述半导体加热板(2)的P型半导体(24)添加石墨烯颗粒(28),或者所述半导体加热板(2)的N型半导体(23)和P型半导体(24)均设置添加石墨烯颗粒(28)。7.根据权利要求6所述的一种半导体热水器,其特征在于:所述N型半导体(23)添加石墨烯颗粒,所述P型半导体(24)添加石墨烯颗粒,并且所述N型半导体(23)的石墨烯颗粒的石墨烯纯度高于所述P型半导体(24)的石墨颗粒的石墨烯纯度。8.根据权利要求6或7所述的一种半导体热水器,其特征在于:所述加热腔和所述加热管道(5)通过石墨烯导热件(6)导热连接。9.根据权利要求8所述的一种半导体热水器,其特征在于:所述加热腔外表面设置保温隔热层(11)。10.根据权利要求6或7所述的一种半导体热水器,其特征在于:所述电源设置用于调节电流大小的电流调节单元。
【专利摘要】本发明涉及热水器技术领域,尤其涉及一种半导体热水器。包括用于对水进行加热的加热腔,所述加热腔包括半导体加热板、进水口、出水口、设置在所述加热腔内并且连通所述进水口和所述出水口的加热管道,所述半导体加热板与所述加热管道导热连接;其特征在于:所述半导体加热板的N型半导体设置石墨烯层,或者所述半导体加热板的P型半导体设置石墨烯层,或者所述半导体加热板的N型半导体和P型半导体均设置石墨烯层。石墨烯层提高了半导体加热板的制热效果,只需要以及半导体加热板便可以对所述加热管道内的水进行加热,节约能耗。
【IPC分类】F24H1/10, F24H9/18
【公开号】CN105202744
【申请号】CN201510693475
【发明人】唐玉敏, 虞红伟
【申请人】唐玉敏, 虞红伟
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年10月24日
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