一种半导体框架的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体封装领域，尤其涉及一种高击穿电压的半导体框架。
【背景技术】
[0002]集成电路(IC)产品由芯片、引线和引线框架、粘接材料、封装材料等几大部分构成。其中，引线框架的主要功能是为芯片提供机械支撑载体，并作为导电介质连接IC外部电路，传送电信号，以及与封装材料一起，向外散发芯片工作时产生的热量，成为IC中极为关键的零部件。
[0003]电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。不同电介质在相同温度下，其击穿场强不同。由Ul_U2 = Ed知，决定电容器的击穿电压的是击穿场强E和两极板的距离d。击穿场强通常又称为电介质的介电强度。在半导体封装领域，比如在竖直方向金属片与其下方的框架之间，水平方向芯片与芯片之间就形成了一个类似的电容器结构。所述金属片一般通过助焊剂与芯片焊接，同时金属片又与引脚电性连接，金属片实际上起到替代打线的作用。
[0004]如果对这一个类似的电容器结构控制不好，使得击穿电压过低，就很容易使得芯片被击穿，造成短路、器件损毁的严重后果。
[0005]现有技术中已有这方面的研究如专利CN 201420101959.X集成电路的双基岛引脚引线框结构，包括基板上设有基岛及引线框单元，所述基岛上设有芯片，所述芯片设有7个引线管脚，基岛之间的间隙距离为0.5mm，引线管脚与基岛之间间隙距离为0.4mm ;引线框单元8个为一列，分成若干列设置在所述基板上。该专利解决了在水平方向上微小间距电压击穿空气放电现象，克服传统SOP双基岛封装对微小间距电压击穿空气放电的不足。
[0006]但是现有技术中并没有对竖直方向上金属片与框架之间的击穿电压进行研究。竖直方向上仍然存在击穿电压低，安全性差，产品稳定性不高的问题。
【发明内容】
[0007]为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种竖直方向击穿电压高的半导体框架，包括框架、芯片2、金属片3，所述框架包括载体4、切线槽5，
[0008]所述载体4用来安放芯片2，所述芯片2下方与载体4固定连接，所述芯片2上方与金属片3固定连接，所述框架上的载体4周围部分是切线槽5，所述切线槽5上焊接有铝带6，所述招带6顶部与金属片3相抵接。
[0009]优选地，所述铝带6中间呈拱形，所述拱形的两边为水平部61，水平部61与框架焊接。
[0010]优选地，所述铝带6的材质为铝或者铝合金中的一种。
[0011]进一步，所述拱形的顶端为一平面，所述铝带6与其上方的金属片3呈面接触。
[0012]进一步，所述铝带6位于框架朝向金属片3 —侧的切线槽5和框架I的边框上。
[0013]优选地，所述半导体框架还包括设置于框架中央部分的铝带6。
[0014]进一步优选地，所述铝带6为双层结构，上层翘起成拱形或梯形，下层为水平状，下层的两端顶面与上层焊接，下层的底面与框架焊接。
[0015]更为优选地，双层结构之间由支柱支撑，所述支柱为条状或柱状的金属片3。
[0016]本实用新型的封装技术与现有技术相比具有以下有益的技术效果:在本实用新型中，在框架上设置了限制金属片3与框架之间距离的铝带6，通过铝带6的支撑作用将金属片3与框架之间的距离保持住，从而解决了两者之间距离过小导致的击穿电压过小的问题，从而提高了框架整体结构的安全性和稳定性。提高了良品率。
[0017]将拱形顶部改为平面结构，从而将线接触改为了面接触，提高了铝带6的支撑力，从而可以减少铝带6的数量，节约成本，简化工艺。
[0018]通过铝带6双层带支柱的结构设计，大大加强了铝带6的抗压性，不容易变形，进一步减少铝带6的数量，节约成本。
[0019]框架中央部分设置铝带6，从而将金属片3托起，防止中间部分的下垂，保持金属片3与框架之间击穿电压基本保持一致。
【附图说明】
[0020]图1是一种封装框架的侧视图；
[0021]图2是一种封装框架的正视图；
[0022]图3是一种铝带的结构示意图一；
[0023]图4是一种铝带的结构示意图二 ；
[0024]图5是一种铝带的结构示意图三；
[0025]框架1、芯片2、金属片3、载体4、切线槽5、铝带6、水平部61。
【具体实施方式】
[0026]以下结合附图和实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0027]实施例1
[0028]如图1、图2所示，一种半导体框架，包括框架1、芯片2、金属片3，所述框架I包括载体4、切线槽5，所述载体4用来安放芯片2，所述芯片2下方与载体4固定连接，所述芯片2上方与金属片3固定连接，所述框架I上的载体4周围部分是切线槽5，所述切线槽5上接有铝带6，所述铝带6底部与切线槽5焊接，铝带6顶部与金属片3接触。
[0029]如图3所示，所述铝带6中间呈拱形，拱形部分的两边为水平部61，水平部61与框架焊接。
[0030]所述铝带6的材质为铝或者铝合金中的一种，并且呈带状。所述材质成本较低，强度较好，同时柔韧性也符合要求，易弯折。
[0031]如图4所示，所述拱形的顶端为一平面，所述铝带6与其上方的金属片3呈面接触。将拱形的线接触改为面接触能有效承受一定的压力，减少变形，能保持金属片3与框架的间距。防止两者间的击穿电压过低。
[0032]所述铝带6位于框架I朝向金属片3 —侧的切线槽5上。所述铝带6位于四个边角或者四个边角加上四条边的中间位置或者四个边角加上四条边中间位置再加上框架I的中间位置。所述铝带6还设置于框架I的边框上。
[0033]所述半导体框架还包括设置于框架I中央部分的铝带6，所述铝带6焊接在框架I中间部分的切线槽5上。
[0034]所述铝带6通过热压焊、超声焊、金丝焊中的一种焊接到切线槽5上。
[0035]优选地，所述框架I为铜板或