1.一种用于真空处理系统的粒子去除装置，所述真空处理系统用于处理支撑在载体上的基板，所述粒子去除装置包含：
基体，所述基体具有凹槽，其中所述凹槽配置成使得所述载体的部分可被移动通过所述凹槽；以及
刷，所述刷设在所述凹槽中，并且所述刷配置为当移动所述载体的所述部分移动通过所述凹槽时与所述载体的所述部分接触。
2.如权利要求1所述的粒子去除装置，进一步包含：
一个或多个气体出口，所述一个或多个气体出口配置为当移动所述载体的所述部分通过所述凹槽时，将气体引导到所述载体的所述部分上。
3.如权利要求1至2中的任一项所述的粒子去除装置，进一步包含：
吸入端口，所述吸入端口与在所述凹槽中的开口流体地连通且配置为连接至泵。
4.如权利要求1至3中的任一项所述的粒子去除装置，其中所述一个或多个气体出口设在所述基体的上部中，所述一个或多个气体出口特别配置为将气体向下引导到所述凹槽的下部中。
5.如权利要求4所述的粒子去除装置，其中所述一个或多个气体出口包括第一气体出口布置和第二气体出口布置，其中所述第一气体出口布置设在所述基体的第一侧上，并且所述第二气体出口布置设在所述基体与所述第一侧相对的第二侧上。
6.如权利要求3至5中的任一项所述的粒子去除装置，其中所述凹槽中的所述开口在所述刷下方。
7.如权利要求1至6中的任一项所述的粒子去除装置，进一步包含：
进一步的凹槽，所述进一步的凹槽配置成使得进一步的载体的部分可被移动通过所述凹槽；以及
进一步的刷，所述进一步的刷设在所述进一步的凹槽中，其中粒子捕集器配置为用于捕集在双轨道传输系统中传输的载体的粒子。
8.如权利要求7所述的粒子去除装置，其中所述进一步的凹槽设在所述基体中。
9.一种用于真空处理系统的加载锁定腔室，所述真空处理系统用于处理支撑在载体上的基板，所述加载锁定腔室包含：
多个加载锁定壁，所述多个加载锁定壁形成加载锁定腔室容积；
入口，所述入口配置为用于锁定进入所述加载锁定腔室的所述载体，其中所述入口设在所述加载锁定壁的入口壁处；
真空生成装置，所述真空生成装置用于对所述加载锁定腔室抽真空；以及
用于真空处理系统的粒子去除装置，所述真空处理系统用于处理支撑在载体上的基板，其中所述粒子去除装置包含：
基体，所述基体具有凹槽，其中所述凹槽配置成使得所述载体的部分可被移动通过所述凹槽；以及
刷，所述刷设在所述凹槽中且配置为当移动所述载体的所述部分移动通过所述凹槽时与所述载体的所述部分接触。
10.如权利要求9所述的加载锁定腔室，进一步包含：
第一真空密封阀，所述第一真空密封阀在所述入口处；
出口，所述出口配置为用于在所述加载锁定壁的出口壁处将所述载体转移出所述加载锁定腔室；以及
第二真空密封阀，所述第二真空密封阀在供所述基板离开所述加载锁定腔室的所述出口处。
11.一种用于处理基板的真空处理系统，所述系统包含：
真空处理腔室，所述真空处理腔室适用于处理所述基板；以及
如权利要求9至10中的任一项所述的加载锁定腔室，所述加载锁定腔室配置为用于将所述基板从大气条件转移到所述真空处理腔室中。
12.如权利要求11所述的真空处理系统，进一步包含如权利要求1至8中的任一项所述的第二粒子去除装置，其中所述第二粒子去除装置包含具有在约1.0E-8mbar*l/(s*cm2)与约1.0E-6mbar*l/(s*cm2)之间的对于1小时(1h)的释气值的材料，并且其中所述第二粒子去除装置设在所述加载锁定腔室中，设在所述真空处理腔室中或设在所述真空处理系统的进一步的真空腔室中。
13.如权利要求11至12中的任一项所述的真空处理系统，其中所述真空处理腔室中的真空是具有在约10-7毫巴与约10-5毫巴之间的范围中的压力的超高真空。
14.一种在真空处理系统中清洁载体的方法，所述方法包含以下步骤：
将所述载体锁定到所述真空处理系统的加载锁定腔室中；以及
当所述载体被锁定到所述加载锁定腔室中时，利用刷来清洁所述载体的部分。
15.如权利要求14所述的方法，所述方法进一步包含以下步骤：
当所述载体被锁定到所述加载锁定腔室中时，将气流引导到所述载体的所述部分上；以及
真空清洁从所述载体的所述部分去除的粒子。