本发明属于水处理技术领域,具体涉及一种用于好氧环境的偏心填料。
背景技术:
近年来,污水处理中运用生物膜技术来解决污水升级达标要求,以缓解企业的水处理压力及污水对人们生活环境的污染。生物膜法中,填料为微生物赖以栖息的场所,其性能直接影响着处理效果和投资。目前,国内常用的填料是蜂窝填料、软性填料、半软性填料及复合填料等填料,这些填料虽然能够基本上满足处理要求,但是在实际应用中存在着一定的问题,由于比表面积小,亲水性能和生物亲和性较差,导致在挂膜速度、挂膜量及膜与填料的紧密度方面存在不足;其次,如果用于污染负荷较低的情况,微生物生长受限制,生长速度缓慢,也导致不易于生物挂膜。
技术实现要素:
(一)技术方案
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种用于好氧环境的偏心填料,包括内环组件和刀片组件;所述内环组件为空心圆环;所述刀片组件呈发射状设置于所述内环组件外侧;其中,所述内环组件的中心线偏离所述偏心填料的中心线。
其中,所述刀片组件包括间隔设置于所述内环组件外侧的多个刀片。
其中,所述刀片组件的多个刀片长度不同。
其中,所述刀片的外侧设置有镰刀式缺块。
其中,所述刀片在水平方向上倾斜设置。
其中,所述刀片与水平方向的夹角为α,且0<α<90°。
其中,所述刀片在与内环组件相切的切线平行方向设有弧度。
其中,所述偏心填料的材质为聚乙烯且表面设有活性炭涂层。
其中,所述聚乙烯的密度为0.93~0.96kg/m3。
(二)有益效果
本发明的用于好氧环境的偏心填料,重心位于填料侧面能够提高填料在水中撞击的频率,使得水体处于紊流状态;该填料用作好氧池硝化过程的填料,能够与活性污泥的全介质接触,比表面积大,生物量足,曝气搅拌时能够使得溶解氧混合均匀,提高反应速度,刀片的设计能够增大剪切力,加速生物膜的脱落及新的生物膜的生长,从而加快活性污泥的更新速度,从而增加反应速率,起到更高效的硝化效果,且本发明的偏心填料挂膜性好,不易阻塞,通气、过水性较好。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明的一种用于好氧环境的偏心填料的结构示意图;
图2是本发明的偏心填料的刀片的结构示意图。
附图标记:1.内环组件;2.刀片组件。
实施方式
下面结合说明书附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例仅用于说明本发明,但不能用来限制本发明的范围。
如图1-2所示,本发明提供的用于好氧环境的偏心填料,包括内环组件1和刀片组件2;内环组件1为空心圆环,位于填料整体的一侧;刀片组件2呈发射状设置于所述内环组件外侧;其中,所述内环组件1的中心线偏离整体偏心填料的中心线,使得整个偏心填料的重心不在偏心填料的中心线上,也就是说重心位于填料的侧面。其能够提高填料在水中撞击的频率,使得水体处于紊流状态;该填料用作好氧池硝化过程的填料,能够与活性污泥的全介质接触,比表面积大,生物量足,曝气搅拌时能够使得溶解氧混合均匀,提高反应速度。
刀片组件2包括间隔设置于内环组件外侧的多个刀片;刀片在水平方向上倾斜设置且刀片与水平方向的夹角为α,且0<α<90°,优选α=45°。刀片为厚度均匀的填料板,等距的分布在内环组件1的外侧,且长短不同;刀片在与内环组件相切的切线平行方向设有弧度;刀片的外侧设有镰刀式缺块。上述刀片的设计能够增大剪切力,加速生物膜的脱落及新的生物膜的生长,从而加快活性污泥的更新速度,从而增加反应速率,起到更高效的硝化效果。
进一步的,本实施例的偏心填料材质为高密度聚乙烯、聚乙烯、低密度聚乙烯中的一种或者几种制成,具体的可以根据实际情况中不同的需要进行调节,密度一般调节到0.93~0.96kg/m3的区间内;对于这个密度区间的聚乙烯来说,在进行微小搅动时,填料很容易处于流化状态,通过水流的回旋翻转,废水可以与生长与填料上的生物膜广泛而频繁的接触,强化了传质过程,增大了传质面积和效率。本实施例的偏心填料的表面还设有活性炭涂层。
本发明的偏心填料提高了填料在水中撞击的频率,使得水体处于紊流状态;该填料用作好氧池硝化过程的填料,能够与活性污泥的全介质接触,比表面积大,生物量足,曝气搅拌时能够使得溶解氧混合均匀,提高反应速度,刀片式的设计能够增大剪切力,加速生物膜的脱落及新的生物膜的生长,从而加快活性污泥的更新速度,从而增加反应速率,起到更高效的硝化效果,且本发明的偏心填料挂膜性好,不易阻塞,通气、过水性较好。
以上实施方式仅用于说明本发明,而非对本发明的限制。尽管参照实施例对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,对本发明的技术方案进行各种组合、修改或者等同替换,都不脱离本发明技术方案的精神和范围,均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。