高级硅烷的制造催化剂及高级硅烷的制造方法与流程

技术特征：
1.一种高级硅烷的制造方法，其特征在于，通过使低级硅烷与高级硅烷的制造催化剂接触，来使该低级硅烷向硅数比该低级硅烷多的高级硅烷转变，所述高级硅烷的制造催化剂包含多孔质氧化物，通过与低级硅烷接触来使该低级硅烷向硅数比该低级硅烷多的高级硅烷转变，该多孔质氧化物至少具有规则地排列的细孔，主要由硅氧化物构成，并且碱金属和碱土金属的含量为0.00重量％以上2.00重量％以下。2.根据权利要求1所述的高级硅烷的制造方法，在比不存在催化剂的条件下通过低级硅烷的热分解而实质上开始生成高级硅烷的温度低的温度下，使低级硅烷与所述高级硅烷的制造催化剂接触。3.根据权利要求1所述的高级硅烷的制造方法，其特征在于，使低级硅烷与所述高级硅烷的制造催化剂接触的温度为100℃以上400℃以下。4.根据权利要求3所述的高级硅烷的制造方法，其特征在于，所述温度为120℃以上350℃以下。5.根据权利要求3所述的高级硅烷的制造方法，其特征在于，所述温度为140℃以上300℃以下。6.根据权利要求1～5的任一项所述的高级硅烷的制造方法，所述低级硅烷通过包含低级硅烷的原料气体而供给，原料气体中的低级硅烷的浓度为50vol％以上100vol％以下。7.根据权利要求1～5的任一项所述的高级硅烷的制造方法，其特征在于，低级硅烷为甲硅烷，高级硅烷为乙硅烷和丙硅烷。8.根据权利要求1～5的任一项所述的高级硅烷的制造方法，其特征在于，低级硅烷为甲硅烷，高级硅烷为乙硅烷。9.根据权利要求1～5的任一项所述的高级硅烷的制造方法，其特征在于，低级硅烷为乙硅烷，高级硅烷为丙硅烷。10.根据权利要求1～5的任一项所述的高级硅烷的制造方法，其特征在于，包括将高级硅烷的制造催化剂用含有氢的气体进行活化处理的工序。11.根据权利要求10所述的高级硅烷的制造方法，其特征在于，将高级硅烷的制造催化剂用含有氢的气体进行活化处理的工序的处理温度为20℃以上。