>[0050] 在不希望受到理论约束的情况下，已惊人地发现，诸如PEEK的聚酮基塑料材料可 以与下述的浸出混合物结合而很好地作用，然而常规地用于这种固定装置的诸如PTFE的 其他材料在使用中易于分解。这种诸如PEEK的聚酮基塑料材料的普通的非反应性可允许 支撑部42承受浸出工艺条件并多次重复使用。
[0051] 此外，这种支撑结构42能够在高温下长时间地承受浸出条件。
[0052] 在选择的实施例中，支撑部42不能完全由诸如PEEK的聚酮基塑料材料制成，而仅 可完全地或部分地用这种材料涂覆，或支撑部42可含有包括聚酮基塑料材料的部分。
[0053] 在一些实施例中，密封元件48也可由诸如PEEK的聚酮基塑料材料或另一保护弹 性材料制成。
[0054] 在大多数情况下，PCD元件10可用手插入到支撑固定装置42中并用手从支撑固 定装置42移除，但这种操作可能是自动的。
[0055] P⑶元件10可以是任何类型的待浸出的元件，包括如图1和2所示的刀具。
[0056] 根据一些实施例，P⑶材料的主体20可以在提高的温度下接触浸出溶液，例如，在 所述提高温度时酸浸出混合物沸腾。在浸出期间将PCD材料的主体20暴露到提高的温度 可增加PCD材料20可浸出的深度并减少对达到所需的浸出深度所必要的浸出时间。
[0057] 此外，在一些实施例中，P⑶材料的主体20的至少一部分和浸出溶液可暴露到电 流、微波辐射和/或超声能量中的至少一种，以增加PCD材料的主体20的浸出速率。
[0058] 在一些实施例中，浸出深度可以小于0. 05mm、小于0. 1mm、小于1mm、小于2mm或小 于3mm或大于0. 4mm。在一些实施例中，至少85 %、至少90 %、至少95 %或至少99 %的催化 剂可以从PCD元件的浸出部分去除至浸出深度。浸出深度和去除的催化剂的量可基于PCD 元件10的预期用途来选择。
[0059] -旦浸出至所需的深度，则从浸出容器中移除P⑶元件10和支撑固定装置42。这 可以在从浸出容器中去除浸出剂之前或之后发生。去除后，可以可选地清洗、清洁或以其它 方式处理PCD元件10以去除或中和残留的浸出剂。最后，从支撑固定装置42中移除PCD 元件10。
[0060] 所有这些步骤还可以用手或使用诸如机器人系统的自动系统来执行。
[0061] 在进一步实施例中，支撑固定装置42可在相同的过程中重复使用一次或多次另 外的次数。
[0062] 通常，HF-HNO3已被示出是用于从烧结的P⑶台去除碳化钨（WC)的最有效的介质。 册-圆03的问题是它是挥发性的，并且，当加热这种酸时，需要特定技术，例如，气密封技术。 然后，如果没有提供这种技术，则温度的应用将由于HF(其是有毒的）的挥发和NO种类的 形成而降低HF-HNO3的效力，所述NO种类通常是气态的，因此，需要经常补充酸介质。此外， 如上文概述，为了使浸出过程在商业上可行，将通常需要热以加速浸出过程。另一个问题是 册-顯0 3对大部分的保护壳是腐蚀性的，这使得反应难以进行。
[0063] HCl和其他类似的无机酸比HF-HNO3更易于在高温下工作且腐蚀催化剂/溶剂，尤 其是钴（Co)。例如，HCl可以在合理的时间周期内从PCD台去除大部分催化剂/溶剂，所述 时间周期取决于温度，通常在80小时的范围中，尽管其没有去除WC，但是申请人发现，HCl 单独不适合从PCD台去除诸如VC的非金刚石相添加物。
[0064] 上述浸出支撑固定装置42可与浸出剂结合使用或单独地使用，并且在此还描述 了方法。
[0065] 与上述支撑固定装置42 -起使用的适当的浸出剂包括用水稀释的硝酸和一种或 多种另外的无机酸，所述浸出剂的毒性比常规的HF-HNO3浸出混合物小且所述浸出剂有效 地工作以从P⑶台去除诸如WC和Co的添加物，其中，所述硝酸包括约2-5重量％之间的硝 酸和水混合物，并一种或多种另外的无机酸。适当的另外的无机酸的示例可包括例如盐酸、 磷酸、硫酸、氢氟酸和/或前述无机酸的任意组合。
[0066] 在一些实施例中，硝酸可以例如2-5重量％之间和/或高达约I. 3M的摩尔浓度的 量存在于一些实施例的浸出混合物中。在一些实施例中，一种或多种无机酸可以例如高达 约7M的摩尔浓度存在于浸出溶液中。
[0067] 参照以下非限制性的示例更详细地描述一些实施例。下列示例提供与上述实施例 有关的进一步的细节。
[0068] 示例 1
[0069] 每个都包括附着至碳化钨基底的PCD台的切削元件通过存在钴时HPHT烧结具有 平均粒径约10微米的金刚石颗粒形成。烧结多晶金刚石台在粘结的金刚石颗粒之间的间 隙区域内包括钴和钨以及3重量％的碳化钒。
[0070] P⑶台使用包含6. 9M盐酸和I. 13M用水稀释的硝酸的溶液来浸出。P⑶台在酸浸 出混合物沸腾的温度下浸出30小时，并且浸出一段时间后使用超声波以去除剩余的反应 物。
[0071] 浸出后，P⑶台的浸出深度通过X射线分析P⑶台的各部分来确定。
[0072] 下面的表1中示出了示例1和下列示例所获得的合成的浸出深度。在示例1中， 使用上述浸出混合物30小时所获得的平均浸出深度为144微米。
[0073] 示例 2
[0074] 每个都包括附着至碳化钨基底的PCD台的切削元件通过存在钴时HPHT烧结具有 平均粒径约10微米的金刚石颗粒形成。烧结多晶金刚石台在粘结的金刚石颗粒之间的间 隙区域内包括钴和妈连同3重量％的碳化隹凡。
[0075] P⑶台使用包含6. 9M盐酸和I. 13M用水稀释的硝酸的溶液来浸出。P⑶台在酸浸 出混合物沸腾的温度下浸出30小时。
[0076] 浸出后，P⑶台在各点的浸出深度通过X射线分析P⑶台的各部分来确定。
[0077] 使用上述浸出混合物30小时所获得的平均浸出深度为161微米。
[0078] 示例 3
[0079] 每个都包括附着至碳化钨基底的PCD台的切削元件通过存在钴时HPHT烧结具有 平均粒径约10微米的金刚石颗粒形成。烧结多晶金刚石台在粘结的金刚石颗粒之间的间 隙区域内包括钴和钨和3重量％的碳化钒。
[0080] P⑶台使用包含6. 9M盐酸和0. 36M用水稀释的硝酸的溶液来浸出。P⑶台在酸浸 出混合物沸腾的温度下浸出10小时。
[0081] 浸出后，P⑶台在各点的浸出深度通过X射线分析P⑶台的各部分来确定。
[0082] 对于一些台，使用上述浸出混合物10小时所获得的平均浸出深度为202微米，且 对于其他PCD台，获得211. 5微米的平均浸出深度。
[0083] 示例 4
[0084] 每个都包括附着至碳化钨基底的PCD台的切削元件通过存在钴时HPHT烧结具有 平均粒径约10微米的金刚石颗粒形成。烧结多晶金刚石台在粘结的金刚石颗粒之间的间 隙区域内包括钴和钨和3重量％的碳化钒。
[0085] P⑶台使用包含大约7M(例如6. 9M)盐酸和0. 59M用水稀释的硝酸的溶液来浸出。 PCD台在酸浸出混合物沸腾的温度下浸出10小时。
[0086] 浸出后，P⑶台在各点的浸出深度通过X射线分析P⑶台的各部分来确定。
[0087] 在一些刀具中，使用上述浸出混合物10小时所获得的平均浸出深度为139. 5微 米，且在其他刀具中，获得218. 5