专利名称：利用预蚀刻玻璃基材以降低事后释放时间的方法
技术领域：
本发明有关一种降低事后释放玻璃基材时间的方法，尤指一种利用预蚀刻玻璃基材以降低事后玻璃基材释放时间的方法。
(2)背景技术微机电系统(Micro Electro Mechanical System)是世界各国积极介入的一个新兴领域，其是为整合的微元件或系统，包含利用集成电路(IntegratedCircuit，IC)相容批次加工技术制造的电子和机械零件，该元件或系统的大小从微米至毫米皆有。微积电系统的应用领域极为广泛，包括制造业、信息业、航太工业、交通运输业、土木营建业、医疗业等，皆会使用到微机电系统。
一般微机电或半导体制程有时候需要先将元件接合到玻璃基材之上，目的是为了要方便移动微小的结构物，因为移动体积较大的玻璃基材相对于移动微小的结构物是方便许多。元件之后通常被接合或组合在另一个元件之上，由于玻璃基材并非原来设计的结构部分之一，所以最后仍然必须把玻璃基材去除。而一般在制程上常用来去除玻璃基材的方法为氢氟酸(Hydrofluoric Acid)湿蚀刻，但是氢氟酸是为一强酸，具有腐蚀许多材料的特性，包括微机电和半导体常用的单晶硅、多晶硅、氮化硅、金属等，因此在去除玻璃基材的同时，常会使得其他部分也受到氢氟酸的腐蚀，这样会破坏原有的设计。故为了减低受到氢氟酸的腐蚀的影响，必须缩短氢氟酸湿蚀刻的时间，而氢氟酸湿蚀刻的时间是直到玻璃基材脱离元件为止，因此必须尽量使玻璃基材能够快速地脱离。
(3)发明内容本发明的目的是提供一种利用预蚀刻玻离以降低事后释放时间的方法。
本发明的利用预蚀刻玻璃基材以降低事后释放时间的方法，其步骤包含提供一玻璃基材、一微小结构物、及一硅基底座；将该玻璃基材与该微小结构物接合；对该玻璃基材进行一第一蚀刻制程，以缩减该玻璃基材与该微小结构物的接触面积；将该微小结构物与该硅基底座结合；以及对该玻璃基材进行一第二蚀刻制程，以将该玻璃基材由该微小结构物上去除。
根据上述构想，其中该微小结构物包含微机电系统结构与集成电路结构。
根据上述构想，其中该硅基底座包含微机电系统结构与集成电路结构。
根据上述构想，其中该第一蚀刻制程是为使用氢氟酸的等向性湿蚀刻制程。
根据上述构想，其中该第二蚀刻制程是为使用氢氟酸的湿蚀刻制程。
根据本发明另一方面的一种利用预蚀刻玻璃基材以降低事后释放时间的方法，其步骤包含提供一玻璃基材、一微小结构物、及一硅基底座；将该玻璃基材与该微小结构物接合；对该玻璃基材进行一第一湿蚀刻制程，以缩减该玻璃基材与该微小结构物的接触面积；将该微小结构物与该硅基底座结合；以及对该玻璃基材进行一第二湿蚀刻制程，以将该玻璃基材由该微小结构物上去除。
根据上述构想，其中该微小结构物包含微机电系统结构与集成电路结构。
根据上述构想，其中该硅基底座包含微机电系统结构与集成电路结构。
根据上述构想，其中该第一湿蚀刻制程是为使用氢氟酸的等向性湿蚀刻制程。
根据上述构想，其中该第二湿蚀刻制程是使用氢氟酸来进行蚀刻。
根据本发明再一方面的一种利用预蚀刻玻璃基材以降低事后释放时间的方法，其步骤包含提供一玻璃基材、一微小结构物、及一硅基底座；将该玻璃基材与该微小结构物接合；对该玻璃基材进行一第一湿蚀刻制程，以缩减该玻璃基材与该微小结构物的接触面积，其中该第一湿蚀刻制程是为一等向性湿蚀刻制程；将该微小结构物与该硅基底座结合；以及对该玻璃基材进行一第二湿蚀刻制程，以将该玻璃基材由该微小结构物上去除。
根据上述构想，其中该微小结构物包含微机电系统结构与集成电路结构。
根据上述构想，其中该硅基底座包含微机电系统结构与集成电路结构。
根据上述构想，其中该第一湿蚀刻制程是使用氢氟酸来进行蚀刻。
根据上述构想，其中该第二湿蚀刻制程是使用氢氟酸来进行蚀刻。
本发明是使用一种创新方法来使一般的微机电系统结构或半导体工程结构的玻璃基材释放时间缩短，以使得结构物受到氢氟酸攻击的时间缩短，进而避免使结构物的外形与尺寸遭受到改变，使得原有预估的元件行为不至于因此而产生误差。
为更清楚理解本发明的目的、特点和优点，下面将结合附图对本发明的较佳实施例进行详细说明。
(4)
图1(a)(b)(c)(d)是本发明一较佳实施例的步骤示意图。
(5)具体实施方式
请参阅图1(a)(b)(c)(d)，其是本发明一较佳实施例的步骤示意图，其步骤如下首先，提供一玻璃基材12、一微小结构物11、及一硅基底座14。接着，将该玻璃基材12与该微小结构物11接合，如图1(a)所示。然后，预先使用氢氟酸对该玻璃基材12进行一等向性湿蚀刻制程，以缩减该玻璃基材12与该微小结构物11的接触面积，如图1(b)所示。由图1(b)可明显看出，该玻璃基材12与该微小结构物11接合处13的接触面积明显缩小许多，此是因为氢氟酸对该玻璃基材12进行该等向性湿蚀刻的结果。接着，将该微小结构物11与该硅基底座14结合，如图1(c)所示。最后，将接合后的该玻璃基材12、该微小结构物11、及该硅基底座14放入氢氟酸中进行湿蚀刻，以将该玻璃基材12由该微小结构物11上去除，去除后如图1(d)所示。因为该玻璃基材12原本就是过渡性的东西，在该微小结构物11与该硅基底材14结合后已无用处，因此需将之释放。由于之前已预先使用氢氟酸对该玻璃基材12进行该等向性湿蚀刻制程，所以于最后要将该玻璃基材12由该微小结构物11上去除时，只需要使用较少的氢氟酸湿蚀刻时间。
综上所述，本发明利用玻璃基材的等向性氢氟酸预先蚀刻，使得最后整个结构物在释放玻璃基材时可以使用比较少的时间，这样可使结构物受到氢氟酸攻击的时间缩短，进而减低结构物的损伤，有效改善习知技术的缺失，因此具有产业价值，进而达成发展本发明的目的。
权利要求
1.一种利用预蚀刻玻璃基材以降低事后释放时间的方法，其特征在于，包含以下步骤提供一玻璃基材、一微小结构物、及一硅基底座；将该玻璃基材与该微小结构物接合；对该玻璃基材进行一第一蚀刻制程，以缩减该玻璃基材与该微小结构物的接触面积；将该微小结构物与该硅基底座结合；以及对该玻璃基材进行一第二蚀刻制程，以将该玻璃基材由该微小结构物上去除。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该微小结构物包含微机电系统结构与集成电路结构。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该硅基底座包含微机电系统结构与集成电路结构。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一蚀刻制程是为使用氢氟酸的等向性湿蚀刻制程。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第二蚀刻制程是为使用氢氟酸的湿蚀刻制程。
6.一种利用预蚀刻玻璃基材以降低事后释放时间的方法，其特征在于，包含以下步骤提供一玻璃基材、一微小结构物、及一硅基底座；将该玻璃基材与该微小结构物接合；对该玻璃基材进行一第一湿蚀刻制程，以缩减该玻璃基材与该微小结构物的接触面积；将该微小结构物与该硅基底座结合；以及对该玻璃基材进行一第二湿蚀刻制程，以将该玻璃基材由该微小结构物上去除。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该微小结构物包含微机电系统结构与集成电路结构。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该硅基底座包含微机电系统结构与集成电路结构。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一湿蚀刻制程是为使用氢氟酸的等向性湿蚀刻制程。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第二湿蚀刻制程是使用氢氟酸来进行蚀刻。
11.一种利用预蚀刻玻璃基材以降低事后释放时间的方法，其特征在于，包含以下步骤提供一玻璃基材、一微小结构物、及一硅基底座；将该玻璃基材与该微小结构物接合；对该玻璃基材进行一第一湿蚀刻制程，以缩减该玻璃基材与该微小结构物的接触面积，其中该第一湿蚀刻制程是为一等向性湿蚀刻制程；将该微小结构物与该硅基底座结合；以及对该玻璃基材进行一第二湿蚀刻制程，以将该玻璃基材由该微小结构物上去除。
12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该微小结构物包含微机电系统结构与集成电路结构。
13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该硅基底座包含微机电系统结构与集成电路结构。
14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一湿蚀刻制程是使用氢氟酸来进行蚀刻。
15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第二湿蚀刻制程是使用氢氟酸来进行蚀刻。
全文摘要
本发明是为一种利用预蚀刻玻璃基材以降低事后释放时间的方法，其步骤包含提供一玻璃基材、一微小结构物、及一硅基底座；将该玻璃基材与该微小结构物接合；对该玻璃基材进行一第一蚀刻制程，以缩减该玻璃基材与该微小结构物的接触面积；将该微小结构物与该硅基底座结合；以及对该玻璃基材进行一第二蚀刻制程，以将该玻璃基材由该微小结构物上去除。
文档编号B81C3/00GK1548360SQ0313073
公开日2004年11月24日 申请日期2003年5月13日 优先权日2003年5月13日
发明者黄荣山, 陈炳儒, 曾士原 申请人:华新丽华股份有限公司