专利名称：一种蚀刻膏及其制备方法
技术领域：
本发明 涉及一种蚀刻膏及其制备方法，具体涉及一种可用于电子、半导体等金属氧化薄膜蚀刻的蚀刻膏及其制备方法。
背景技术：
传统的蚀刻主要是用耐酸碱的油墨或者光刻胶丝印印刷需要保护的部分，把需要被蚀刻的部分暴露在外面。然后将需要被蚀刻的产品放入强酸中腐蚀蚀刻，没有被保护的部分即被腐蚀掉，随着酸液一起被洗脱，被保护部分的图案就显现出来。产品经过酸蚀刻后再放入碱液中清洗去除油墨或者光刻胶，经过多次清洗就可已得到电路图形。传统蚀刻方法的缺点在于工艺复杂。例如在湿法蚀刻中蚀刻的时间和碱洗的时间都有严格的要求，工序比较复杂。而光蚀刻工艺对光刻胶以及ITO表面的要求都较高，工艺也比较复杂。此外，由于采用强酸和强碱浸泡，不但在操作过程中对人体有危害，而且工艺产生的废水对环境也有很大的危害。为此，生产企业要为排放的废水承担很重的处理费用。有鉴于此，本发明人在经过一系列的研究和试验的基础上，开发出一种蚀刻膏及其制备方法。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供了一种可用于电子、半导体等金属氧化薄膜蚀刻的蚀刻膏。该蚀刻膏可以省去湿法蚀刻复杂的工艺，能显著提高生产效率。为达到上述目的，本发明是通过以下技术方案实现的 一种蚀刻膏，按重量份计由以下组分为原料
硫酸5-10、磷酸5-10、超细硫酸钡15-30、二氧化硅10-15、聚乙二醇10-20、黄原胶 0. 1-0. 5、消泡剂 0. 1-2、流平剂 1-5、水 20-40。上述硫酸的浓度为40% (重量)。上述磷酸为工业级磷酸。上述超细硫酸钡的目数为3000目以上。上述消泡剂为聚醚改性消泡剂。上述流平剂为聚醚改性流平剂。本发明还提供一种制备蚀刻膏的方法，该方法包括以下步骤
(a)先将黄原胶与水混合，搅拌分散均勻，再加入聚乙二醇，搅拌直至黄原胶完全溶解，搅拌速度为700-800转/分钟；
(b)再加入硫酸和磷酸，以搅拌速度为700-800转/分钟搅拌均勻；
(c)最后分别加入超细硫酸钡、二氧化硅、消泡剂和流平剂，以搅拌速度为1000-1200 转/分钟快速搅拌混合均勻后制得蚀刻膏。本发明的有益效果是本发明克服了现有技术的不足之处，制备的蚀刻膏可用于干法蚀刻，即不需要在待蚀刻的器件上涂保护油墨或者光刻胶，也不用经酸碱浸泡，省去了复杂的工艺。在蚀刻工艺中，只需将本发明的蚀刻膏丝印印刷在所要蚀刻部分，即可得到所需要的图案。本发明生产的蚀刻膏可以省去湿法蚀刻复杂的工艺，大大提高生产效率； 同时消除了传统蚀刻工艺中强酸和强碱浸泡工序对操作者的危害，也避免了废水的排放。
具体实施例方式
实施例1
按照如下步骤制备蚀刻膏，其中各原料组分均按重量份计；
a)先将30份水与0.2份黄原胶混合，分散搅拌均勻，再加入20份聚乙二醇，搅拌速度为700-800转/分钟，直至黄原胶完全溶解；
b)往搅拌桶中再加入8份硫酸和7份磷酸，搅拌速度为700-800转/分钟搅拌均勻；
c)往桶中加入20份超细硫酸钡、10份二氧化硅，加入1.8份消泡剂、3份流平剂。快速搅拌均勻，搅拌速度为1000-1200转/分钟；
本实施例中硫酸的浓度为40% (重量)，磷酸为工业级磷酸，消泡剂为聚醚改性消泡剂， 流平剂为聚醚改性流平剂；
经实验测试，本实施例制得的蚀刻膏蚀刻效果良好，不会因为蚀刻不够而导致ITO导电板发生电阻不良等现象，而且蚀刻后冲洗方便。实施例2:
按重量份计制备蚀刻膏的原料配方为硫酸10份，磷酸7份，超细硫酸钡15份，二氧化硅13份，消泡剂1份，聚乙二醇15份，流平剂1份，黄原胶0.2份，水37. 8份；
本实施例中硫酸的浓度为40% (重量)，磷酸为工业级磷酸，消泡剂为聚醚改性消泡剂， 流平剂为聚醚改性流平剂。超细硫酸钡的目数为3000目以上；
按照实施例1中的方法生产的蚀刻膏可以省去湿法蚀刻复杂的工艺，大大提高生产效率。实施例3:
按重量份计制备蚀刻膏的原料配方为硫酸5份，磷酸10份，超细硫酸钡20份，二氧化硅10份，消泡剂1份，聚乙二醇20份，流平剂1份，黄原胶0.3份，水32. 7份；
本实施例中硫酸的浓度为40% (重量)，磷酸为工业级磷酸，消泡剂为聚醚改性消泡剂， 流平剂为聚醚改性流平剂。超细硫酸钡的目数为3000目以上；
按照实施例1中的方法制备蚀刻膏。该制备方法消除了传统蚀刻工艺中强酸和强碱浸泡工序对操作者的危害，也避免了废水的排放。实施例4:
按重量份计制备蚀刻膏的原料配方为硫酸10份，磷酸10份，超细硫酸钡20份，二氧化硅14份，消泡剂1份，聚乙二醇20份，流平剂1份，黄原胶0.5份，水23. 5份；
本实施例中硫酸的浓度为40% (重量)，磷酸为工业级磷酸，消泡剂为聚醚改性消泡剂， 流平剂为聚醚改性流平剂。超细硫酸钡的目数为3000目以上；
按照实施例1中的方法制备蚀刻膏，制备的蚀刻膏可用于干法蚀刻，即不需要在待蚀刻的器件上涂保护油墨或者光刻胶，也不用经酸碱浸泡，省去了复杂的工艺。可以理解，很多细节的变化是可能的，但这并不因此违背本发明的范围和精神，任何所属技术领域的普通技术人员对其所做的适当变化，皆应视为不脱离本发明专利的范畴。
权利要求
1.一种蚀刻膏，其特征在于按重量份计由以下组分为原料硫酸5-10、磷酸5-10、超细硫酸钡15-30、二氧化硅10-15、聚乙二醇10-20、黄原胶 0. 1-0. 5、消泡剂 0. 1-2、流平剂 1-5、水 20-40。
2.根据权利要求1所述的一种蚀刻膏，其特征在于所述硫酸的浓度为40%(重量)。
3.根据权利要求1所述的一种蚀刻膏，其特征在于所述磷酸为工业级磷酸。
4.根据权利要求1所述的一种蚀刻膏，其特征在于所述超细硫酸钡的目数为3000目以上。
5.根据权利要求1所述的一种蚀刻膏，其特征在于所述消泡剂为聚醚改性消泡剂。
6.根据权利要求1所述的一种蚀刻膏，其特征在于所述流平剂为聚醚改性流平剂。
7.制备权利要求1所述的一种蚀刻膏的方法，其特征在于该方法包括以下步骤(a)先将黄原胶与水混合，搅拌分散均勻，再加入聚乙二醇，搅拌直至黄原胶完全溶解，搅拌速度为700-800转/分钟；(b)再加入硫酸和磷酸，以搅拌速度为700-800转/分钟搅拌均勻；(c)最后分别加入超细硫酸钡、二氧化硅、消泡剂和流平剂，以搅拌速度为1000-1200 转/分钟快速搅拌混合均勻后制得蚀刻膏。
全文摘要
本发明提供一种蚀刻膏，按重量份计由以下组分为原料硫酸5-10、磷酸5-10、超细硫酸钡15-30、二氧化硅10-15、聚乙二醇10-20、黄原胶0.1-0.5、消泡剂0.1-2、流平剂1-5、水20-40。该蚀刻膏的制备方法包括以下步骤(a)先将黄原胶与水混合，搅拌分散均匀，再加入聚乙二醇，搅拌直至黄原胶完全溶解；(b)再加入硫酸和磷酸，搅拌均匀；(c)最后分别加入超细硫酸钡、二氧化硅、消泡剂和流平剂，快速搅拌混合均匀后制得蚀刻膏。本发明提供的蚀刻膏蚀刻效果良好，不会因为蚀刻不够而导致ITO导电板发生电阻不良等现象，蚀刻后冲洗方便。
文档编号C09K13/06GK102358837SQ20111035930
公开日2012年2月22日 申请日期2011年11月14日 优先权日2011年11月14日
发明者倪阳, 李步龙, 符维强, 蔡锦云 申请人:厦门市豪尔新材料有限公司