用于制造混合集成的构件的方法与流程

技术特征：
1.用于制造具有至少两个MEMS结构元件的、混合集成的构件(40；50)的方法，所述至少两个MEMS结构元件分别配置有至少一个ASIC结构元件，·在所述方法中，首先彼此无关地产生两个MEMS/ASIC晶圆堆叠(100、200)，其方式是，-彼此无关地处理两个ASIC基底(110、210)；-在所述两个ASIC基底中的每个ASIC基底的经处理的表面上装配一半导体基底；以及-然后在所述两个半导体基底中的每个半导体基底上产生一微机械结构，·在所述方法中，所述两个MEMS/ASIC晶圆堆叠(100、200)以MEMS对MEMS的方式叠置地进行装配；并且·在所述方法中，然后才分离出多个所述构件。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述两个ASIC基底(110、210)中的至少一个ASIC基底的经处理的表面被结构化，其方式是，在所述MEMS结构元件的待产生的微机械结构下方的区域内产生至少一个凹陷部和/或产生一用于装配所配置的MEMS基底(120、220)的插座结构(14)。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述两个MEMS基底(120、220)中的至少一个MEMS基底被键合到所配置的所述ASIC基底(110、210)上。4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述两个MEMS基底(120、220)中的至少一个MEMS基底被减薄直到待产生的微机械结构的预先给定的结构高度，从而使得一微机械结构然后被产生，所述微机械结构在所述MEMS基底(120、220)的整个厚度上延伸。5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述微机械结构在所述两个MEMS基底(120、220)中的至少一个MEMS基底中在一开槽过程中被产生。6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述两个MEMS基底(120、220)中的至少一个MEMS基底内产生过孔(122、222)，所述过孔在所配置的所述ASIC基底(110、210)和所述MEMS基底(120、220)的背离所述ASIC基底(110、210)的表面之间建立电连接。7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在一键合过程中建立所述两个MEMS/ASIC晶圆堆叠(100、200)之间的机械连接和电连接。8.具有至少两个MEMS结构元件的构件(40、50)，所述至少两个MEMS结构元件分别配置有至少一个ASIC结构元件，其特征在于，所述两个MEMS结构元件的微机械结构分别在所述MEMS结构元件的整个厚度上延伸；所述两个MEMS结构元件相叠地并且三明治式地装配在两个ASIC结构元件之间，从而使得所述两个MEMS结构元件的所述微机械结构通过所述两个ASIC结构元件封罩。9.根据权利要求8所述的构件(40)，其特征在于，至少在所述两个ASIC结构元件中的一个ASIC结构元件内构造有用于所述构件(40)的外部电接触的过孔(41)。10.根据权利要求8或9所述的构件(50)，其特征在于，至少在所述ASIC结构元件中的一个ASIC结构元件上构造有露出的联接垫(51)，用于所述构件(50)的外部接触。11.根据权利要求8或9所述的构件，其中，所述两个MEMS结构元件中的至少一个MEMS结构元件的所述微机械结构包括至少一个振动质量并且配备有用于检测所述振动质量的偏转的电路器件，其中，所述振动质量至少在所述MEMS结构元件的整个厚度上延伸，并且其中，在所配置的所述ASIC基底上集成有用于传感器信号的评价电路的至少部分。12.根据权利要求8所述的构件(40)，其特征在于，所述构件以根据权利要求1至7中任一项所述的方法来制造。