1.一种MEMS器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供包括开口区的第一基底，所述第一基底包括正面和与所述正面相对的背面，其中，所述开口区包括中心区以及环绕所述中心区的外围区；
沿所述第一基底正面向背面刻蚀所述开口区的第一基底，在所述外围区的第一基底中形成若干第一开口，在所述中心区的第一基底中形成若干第三开口，且第一开口位于第一基底内的深度大于第三开口位于第一基底内的深度，所述第一开口的深度、第三开口的深度小于第一基底的厚度；
在所述第一开口底部和侧壁表面、以及第三开口底部和侧壁表面形成感光层；
提供第二基底；
在形成所述感光层之后，将所述第一基底正面与所述第二基底进行键合；
在键合后的第一基底背面形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层暴露出开口区的第一基底背面；
以所述图形化的掩膜层为掩膜，采用干法刻蚀工艺沿第一基底背面向正面刻蚀所述第一基底，形成底部向第一基底正面方向下凹的沟槽，且所述沟槽暴露出第一开口底部表面的感光层和第三开口底部表面的感光层。
2.如权利要求1所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述第一开口和第三开口在平行于第一基底正面方向上的尺寸相同；或者，所述第一开口在平行于第一基底正面方向上的尺寸大于第三开口在平行于第一基底正面方向上的尺寸。
3.如权利要求1所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述开口区还包括位于中心区和外围区之间的渐变区，其中，所述渐变区环绕所述中心区，所述外围区环绕所述渐变区；还在渐变区的第一基底中形成若干第二开口。
4.如权利要求3所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述第二开口位于第一基底中的深度等于或大于第三开口位于第一基底中的深度。
5.如权利要求4所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述第二开口 位于第一基底中的深度大于第三开口位于第一基底中的深度时，在沿所述外围区指向中心区的方向上，渐变区的不同的第二开口位于第一基底中的深度相同或越来越小。
6.如权利要求5所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述第一开口、第二开口和第三开口在平行于第一基底正面方向上的尺寸相同。
7.如权利要求6所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述第二开口的深度等于第三开口的深度，形成所述第一开口、第二开口以及第三开口的工艺步骤包括：在所述第一基底正面形成具有若干凹槽的第一图形层，且外围区上方的凹槽、渐变区上方的凹槽、以及中心区上方的凹槽在平行于第一基底正面方向上的尺寸相同；以所述第一图形层为掩膜刻蚀部分厚度的第一基底，在外围区的第一基底中形成第一预开口，在渐变区的第一基底中形成第二开口，在中心区的第一基底中形成第三开口；去除所述第一图形层；在第二开口、第三开口以及第一基底正面形成第二图形层；以所述第二图形层为掩膜，刻蚀去除位于第一预开口下方的部分厚度的第一基底，形成所述第一开口。
8.如权利要求6所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述第二开口的深度大于第三开口的深度时，形成所述第一开口、第二开口以及第三开口的工艺步骤包括：在所述第一基底正面形成具有若干凹槽的第一图形层，且外围区上方的凹槽、渐变区上方的凹槽、以及中心区上方的凹槽在平行于第一基底正面方向上的尺寸相同；以所述第一图形层为掩膜刻蚀部分厚度的第一基底，在外围区的第一基底中形成第一预开口，在渐变区的第一基底中形成第二预开口，在中心区的第一基底中形成第三开口；去除所述第一图形层；在第三开口以及第一基底正面形成第二图形层；以所述第二图形层为掩膜，刻蚀去除位于第一预开口下方的部分厚度的第一基底，刻蚀去除位于第二预开口下方的部分厚度的第一基底，形成所述第二开口；去除所述第第二图形层；在第二开口、第三开口以及第一基底正面形成第三图形层；以所述第三图形层为掩膜，刻蚀去除位于第一预开口下方的部分厚度的第一基底，形成所述第一开口。
9.如权利要求3所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述第一开口 在平行于第一基底正面方向上的尺寸大于所述第三开口在平行于第一基底正面方向上的尺寸。
10.如权利要求9所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述第二开口在平行于第一基底正面方向上的尺寸等于或大于第三开口在平行于第一基底正面方向上的尺寸。
11.如权利要求10所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述第二开口在平行于第一基底正面方向的尺寸大于第三开口在平行于第一基底正面方向上的尺寸时，在沿外围区指向中心区的方向上，渐变区的不同的第二开口在平行于第一基底正面方向上的尺寸相等或越来越小。
12.如权利要求9所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述第一开口在平行于第一基底正面方向上的尺寸为50微米至80微米；所述第三开口在平行于第一基底正面方向上的尺寸为30微米至50微米。
13.如权利要求9所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一开口、第二开口以及第三开口的工艺步骤包括：在所述第一基底正面形成具有若干凹槽的图形层，且外围区上方的凹槽在平行于第一基底正面方向上的尺寸大于中心区上方的凹槽在平行于第一基底正面方向上的尺寸；以所述图形层为掩膜，沿所述凹槽刻蚀部分厚度的第一基底，形成所述第一开口、第二开口和第三开口；去除所述图形层。
14.如权利要求13所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述渐变区上方的凹槽在平行于第一基底正面方向上的尺寸大于或等于中心区上方的凹槽在平行于第一基底正面方向上的尺寸。
15.如权利要求1所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述感光层的材料为氧化硅。
16.如权利要求1所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，采用真空键合工艺进行所述键合。
17.一种MEMS器件，其特征在于，包括：
包括开口区的第一基底，所述第一基底包括正面和与所述正面相对的背 面，其中，所述开口区包括中心区和环绕所述中心区的外围区；
位于外围区的第一基底中的若干第一开口、位于中心区的第一基底中的若干第三开口，且第一开口位于第一基底内的深度大于第三开口位于基底内的深度，所述第一开口的深度、第三开口的深度小于第一基底的厚度；
位于所述第一开口底部和侧壁表面、以及第三开口底部和侧壁表面形成感光层；
与所述第一基底的正面相互键合的第二基底；
位于所述第一基底开口区的背面的沟槽，所述沟槽底部向第一基底正面方向下凹，且所述沟槽暴露出第一开口底部表面的感光层和第三开口底部表面的感光层。
18.如权利要求17所述MEMS器件，其特征在于，所述第一开口和第三开口在平行于第一基底正面方向上的尺寸相同；或者，所述第一开口在平行于第一基底正面方向上的尺寸大于第三开口在平行于第一基底正面方向上的尺寸。
19.如权利要求17所述的MEMS器件，其特征在于，所述开口区还包括位于中心区和外围区之间的渐变区，其中，所述渐变区环绕所述中心区，所述外围区环绕所述渐变区，所述渐变区的第一基底中形成有若干第二开口，且所述第二开口位于第一基底中的深度等于或大于第三开口位于第一基底中的深度。
20.如权利要求17所述的MEMS器件，其特征在于，所述感光层的材料为氧化硅。