1.传感器(2、2'、2")，其具有设置在功能体积(3)内的电子芯片(4、4'、4")和传感器芯片(5、5'、5")，所述功能体积最多4mm至5mm长、最多2mm至3mm宽并且最多0.5mm至0.8mm高。
2.按照权利要求1所述的传感器，其特征在于，在功能体积(3)内设置有多个电子芯片(4、4'、4")和/或多个传感器芯片(5、5'、5")。
3.按照权利要求1或2所述的传感器，其特征在于，电子芯片(4、4'、4")具有多个模拟的和/或数字的接口，利用所述接口可评估不同的传感器芯片。
4.按照上述权利要求之一所述的传感器，其特征在于，借助电子芯片(4、4'、4")和/或传感器芯片(5、5'、5")进行通过无线电接口或通过触点的不可插接连接的无线的能量和/或数据传输。
5.按照上述权利要求之一所述的传感器，其特征在于，带有转换元件(10、10'、10")的传感器芯片(5、5'、5")和/或带有转换元件(10)和传感器前端(11)的传感器芯片(5)整体上以180nm的CMOS工艺制造。
6.按照上一权利要求所述的传感器，其特征在于，转换元件(10)构造为在硅膜片上的晶体管或电阻。
7.按照上述权利要求之一所述的传感器，其特征在于，利用所述传感器芯片(5、5'、5")可测量在10-500Pa范围中的压差。
8.按照上一权利要求所述的传感器，其特征在于，传感器芯片(5、5'、5")具有5Pa的分辨率。
9.按照权利要求7所述的传感器，其特征在于，传感器芯片(5、5'、5")具有处于1Pa至小于5Pa范围中的分辨率。
10.按照权利要求7所述的传感器，其特征在于，传感器芯片(5、5'、5")具有处于大于5Pa直至10Pa的范围中的分辨率。
11.按照上述权利要求之一所述的传感器，其特征在于，电子芯片(4、4'、4")和传感器芯片(5、5'、5")并排地设置在一个电路板(6、6'、6")上。
12.按照上述权利要求之一所述的传感器，其特征在于，电子芯片(4、4')和传感器芯片(5、5')通过接合线(17)相互导电连接。
13.按照权利要求1至11之一所述的传感器，其特征在于，电子芯片(4")和传感器芯片(5")通过倒装芯片连接在使用触点接通小丘(18)的情况下相互导电连接。
14.按照上述权利要求之一所述的传感器，其特征在于，传感器芯片(5、5'、5")具有膜片(19'、19")和电子设备(20'、20")。
15.按照上述权利要求之一所述的传感器，其特征在于，传感器芯片(5'、5")具有硅基底(21'、21")，膜片(19'、19")蚀刻到所述硅基底中，所述膜片除去转换元件(10'、10")没有电子设备和/或氧化层。
16.按照上述权利要求之一所述的传感器，其特征在于，电子芯片(4、4'、4")和传感器芯片(5、5'、5")设置在一个电路板(6、6'、6")上，在所述电路板中构成通道(6'a、6"a)，其中，所述通道(6'a、6"a)是至如下体积(22'、22")的唯一的导流入口，所述体积由电路板(6、6'、6")、传感器芯片(5、5'、5")和围绕传感器芯片(5、5'、5")的密封圈(23'、23")形成，其中，膜片(19'、19")的第一膜片面(19'a、19"a)朝向所述体积(22'、22")。