技术特征：
技术总结
本发明的实施例提供了一种CMOS MEMS器件。该CMOS MEMS器件包括第一衬底、第二衬底、第一多晶硅以及第二多晶硅。第二衬底包括可移动部分，并且位于第一衬底上方。第一多晶硅穿透第二衬底且与第二衬底的可移动部分的第一侧邻近。第二多晶硅穿透第二衬底且与第二衬底的可移动部分的第二侧邻近。本发明的实施例还提供了一种制造CMOS‑MEMS器件结构的方法。
技术研发人员：刘育嘉;朱家骅;郑钧文
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.09.21
技术公布日：2017.08.04