技术特征：
技术总结
器件包括衬底、第一结构、第二结构、第三结构和缓冲器。第一结构位于衬底上方。第二结构位于衬底上方，其中，第二结构具有连接至第一结构的第一端。第三结构位于衬底上方，其中，第三结构连接至第二结构的第二端。缓冲器位于衬底和第三结构之间，其中缓冲器是包括第一导电部件、介电部件和第二导电部件的多层缓冲器。介电部件位于第一导电部件上方。第二导电部件位于介电部件上方并且电连接至第一导电部件。本发明实施例涉及MEMS器件和多层结构。
技术研发人员：郑钧文;李久康
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.01.16
技术公布日：2017.08.04