专利名称：：电子封装金属盖板生产工艺的制作方法
技术领域：
：本发明属于电子元器件生产
技术领域：
，更具体涉及一种电子封装金属盖板生产工艺。技术背景电子封装金属盖板应用面很广。它广泛应用于声表面波(SAW)、晶体振荡器、谐振器，以及集成电路(IC)封装盖板。过去常用的化学镀镍磷合金的金属盖板具有镀层均匀、耐腐蚀性强、熔点低(仅89(TC)、平行缝焊性及可焊性好等优点，用量曾高达几十亿片。但随着电子工业的飞速发展，电子元器件产品体积越来越小，产品精度越来越高，尤其是小体积晶体振荡器、谐振器及声表面波(SAW)滤波器使用的金属盖板，不再允许镀层中含有磷元素(因如含有磷，平行缝焊时有可能会产生火花，继而产生掉渣现象，影响所封焊的产品质量。因此，研制不含磷的电镀工艺金属盖板成为电子元器件小型化及提高产品质量的必然趋势。发明目的本发明的目的是提供一种电子封装金属盖板生产工艺，该工艺采用双电极脉冲电镀技术，电镀液中不含磷元素，镀层均匀性好，结晶细密，纯度高，成本低，在后续的缝焊时不产生火花，没有掉渣现象，显著提高电子产品的优品率，可从82%提高到96%以上，具有显著的经济效益。本发明的电子封装金属盖板生产工艺采用合金板材为胚体，经冲制成型或化学刻蚀成型，再经过光饰、镀前处理、脉冲电镀镍制备成所述的电子封装金属盖板。本发明的显著优点是本发明采用双电极脉冲电镀技术，电镀液中不含磷元素(1)脉冲电镀电流分布均匀性好。细化了镀层结晶，改善了分散能力和均镀能力，使镀层均匀；脉冲镀镍层由于镀层结晶细密，且多为等轴状结晶，大大降低了镀层的孔隙度，增加了耐磨能力和抗腐蚀能力。例如直流电镀镍层要25p才能无孔，而脉冲电镀15n即可达到无孔隙。可减少2/5的镀层。(2)提高镀层结合力。由于脉冲电镀峰值电压远大于直流镀时的电压，阴极表面纯化膜易被击穿，有利于镀层与基体间的健合，使结合力大大提高。。)减少杂质，降低镀层内应力。脉冲电镀时，由于析氢少，杂质的共沉积和晶格缺陷大大减少。镀层的内应力大大降低，易于压焊，使封装成本大大提高。(4)镀镍层纯度高，其纯度〉99%，与化学镀镍相比最重要的是不含磷元素，平行缝焊时不产生火花。没有掉渣现象(因掉渣可使声表面波器件局部短路而失效，使石英晶体振荡器、谐振器频率偏移、精度下降。使集成电路产品的可靠性下降)。使电子产品的优品率大大提高。(5)与化学镀镍相比，镀液温度低，节约能源60~70%。化学镀镍溶液温度80~95°C，而电解镀镍温度为2842t:。夏天时基本不用加热。(6)化学镀镍溶液稳定性较差，一般68个周期就要失效回收。而电解镀液稳定性好，维护得当可长期使用。而且耗材少，成本低。图l是本发明的工艺流程图。具体实施方式采用合金带为胚体，经冲制成型或化学刻蚀成型，再经过光饰、镀前处理后进行脉冲电镀镍所述脉冲电镀镍采用双电极脉冲电镀，以金属盖板为阴极，以高纯度镍板为阳极；所述电镀液配方为NiSO4200~260g/L，NiCl230~40g/L，H3B0338-45g/L，MgS0420~30g/L，十二垸基硫酸盐(如十二垸基硫酸钠)0.01g/L;pH值为34.2，镀液温度为2842°C;电镀条件为电流大小正向0.5~0.9A/d2，反向0.03~0.06A/d2;脉冲频率正向脉冲lOOOHz，反向脉冲1000Hz;正向占空比20%，反向占空比10%;脉冲宽度正向800ms，反向100ms;脉冲电镀镍制备成的电子封装金属盖板经过检验成成品。所述合金带采用与底座焊环膨胀系数相接近的合金带KOVAR或铁镍合金，厚度0.07~0.4mm。所述光饰釆用机械抛光去毛刺(如。加入磨料4060目，15~20g，磨15分钟)及表面处理。以上的冲制成型或化学刻蚀成型、光饰、镀前处理、检验步骤均采用常规的方法。根据实验测的本发明的产品与以往产品的效果对比如下表1所示<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>本发明的优品率，可从82%提高到96%以上。以下是本发明的几个具体实施例，进一步说明本发明，但是本发明不仅限于此。实施例1采用与底座淳环膨胀系数相接近的合金带KOVAR为胚体厚度0.07mm。经冲制成型或化学刻蚀成型，再经过光饰、镀前处理后进行脉冲电镀镍所述脉冲电镀镍采用双电极脉冲电镀，以金属盖板为阴极，以高纯度镍板为阳极；所述电镀液配方为NiSO4200g/L，NiCl230g/L,H3B0338g/L，MgS0420g/L，十二垸基硫酸盐(如十二烷基硫酸钠)0.01g/L;pH值为3，镀液温度为38t:;电镀条件为电流大小正向0.5A/d2，反向0.03A/d、脉冲频率正向脉冲1000Hz，反向脉冲1000Hz;正向占空比20%，反向占空比10%;脉冲宽度正向800ms，反向100ms;脉冲电镀镍制备成的电子封装金属盖板经过检验成成品。所述光饰采用机械抛光去毛刺及表面处理。以上的冲制成型或化学刻蚀成型、光饰、镀前处理、检验步骤均采用常规的方法。实施例2采用与底座焊环膨胀系数相接近的铁镍合金，厚度0.4mm为胚体，经化学刻蚀成型，再经过光饰、镀前处理后进行脉冲电镀镍所述脉冲电镀镍采用双电极脉冲电镀，以金属盖板为阴极，以高纯度镍板为阳极；所述电镀液配方为NiSO4260g/L，NiCl230~40g/L，H3B0345g/L，MgS0430g/L，十二烷基硫酸盐(如十二烷基硫酸钠)0.01g/L;pH值为4.2，镀液温度为4042'C;电镀条件为电流大小正向0.9A/d2，反向0.06A/d、脉冲频率正向脉冲1000Hz，反向脉冲1000Hz;正向占空比20%，反向占空比10%;脉冲宽度正向800ms,反向100ms;脉冲电镀镍制备成的电子封装金属盖板经过检验成成品。所述光饰采用机械抛光去毛刺及表面处理。-以上的冲制成型或化学刻蚀成型、光饰、镀前处理、检验步骤均采用本发明常规的方法。实施例3采用与底座焊环膨胀系数相接近的合金带KOVAR或铁镍合金，厚度0.1~0.3mm为胚体，经冲制成型或化学刻蚀成型，再经过光饰、镀前处理后进行脉冲电镀镍所述脉冲电镀镍采用双电极脉冲电镀，以金属盖板为阴极，以纯度高于99%的镍板为阳极；所述电镀液配方为NiSO4230g/L，NiCl240g/L，H3BO340g/L，MgS0425g/L，十二烷基硫酸盐(如十二烷基硫酸钠)0.01g/L;pH值为44.2，镀液温度为4042i:;电镀条件为电流大小正向0.6~0.8A/d2，反向0.04~0.05A/d2;脉冲频率正向脉冲lOOOHz，反向脉冲1000Hz;正向占空比20%，反向占空比10%;脉冲宽度正向800ms，反向100ms;脉冲电镀镍制备成的电子封装金属盖板经过检验成成品。5所述光饰采用机械抛光去毛刺，加入磨料40-60目，15~20g，磨15分钟及表面处理。以上的冲制成型或化学刻蚀成型、光饰、镀前处理、检验步骤均采用常规的方法。权利要求1.一种电子封装金属盖板生产工艺，其特征在于采用合金板材为胚体，经冲制成型或化学刻蚀成型，再经过光饰、镀前处理、脉冲电镀镍制备成所述的电子封装金属盖板。2.根据权利要求l所述的电子封装金属盖板生产工艺，其特征在于采用合金带为胚体，经冲制成型或化学刻蚀成型，再经过光饰、镀前处理后进行脉冲电镀镍所述脉冲电镀镍采用双电极脉冲电镀，以金属盖板为阴极，以纯度高于99%的镍板为阳极；所述电镀液配方为NiSO4200~260g/L，NiCl230~40g/L，H3B0338~45g/L，MgS0420~30g/L，十二烷基硫酸盐0.01g/L;pH值为3~4.2，镀液温度为28~42°C;电镀条件为电流大小正向0.5~0.9A/d2，反向0.03~0.06A/d2;脉冲频率正向脉冲lOOOHz，反向脉冲1000Hz;正向占空比20%，反向占空比10%;脉冲宽度正向800ms，反向100ms。3.根据权利要求2所述的电子封装金属盖板生产工艺，其特征在于所述脉冲电镀镍制备成的电子封装金属盖板经过检验成成品。4.根据权利要求2所述的电子封装金属盖板生产工艺，其特征在于所述合金带采用与底座焊环膨胀系数相接近的合金带KOVAR或铁镍合金，厚度0.070.4mrn。5.根据权利要求2所述的电子封装金属盖板生产工艺，其特征在于所述光饰采用机械抛光去毛刺及表面处理。全文摘要本发明提供一种电子封装金属盖板生产工艺，采用合金板材为胚体，经冲制成型或化学刻蚀成型，再经过光饰、镀前处理、脉冲电镀镍制备成所述的电子封装金属盖板。本发明的工艺采用双电极脉冲电镀技术，电镀液中不含磷元素，镀层均匀性好，结晶细密，纯度高，成本低廉，在后续的缝焊时不产生火花，没有掉渣现象，显著提高电子产品的优品率，替代进口产品，具有显著的经济效益。文档编号C25D5/00GK101545127SQ200910111329公开日2009年9月30日申请日期2009年3月24日优先权日2009年3月24日发明者宁利华申请人:宁利华