技术特征：
技术总结
本发明涉及了一种用于光电化学分解水制氢的基底的制备方法及其产品和应用，利用传统的水热法在新的实验参数的条件下在FTO玻璃表面制备性能优越的In2S3超薄纳米片阵列，制备出的In2S3超薄纳米片阵列致密而均匀；在制备好的In2S3光电化学分解水的基底上继续生长ZnO纳米颗粒，ZnO半导体与In2S3构建异质结，通过控制ZnO生长的时间来控制ZnO纳米颗粒的粒径及ZnO在In2S3薄膜中的含量，从而实现对In2S3光电性能的调控，显著提高光解水基底的光电流。将In2S3纳米片阵列与ZnO纳米颗粒的制备结合起来，构成In2S3‑ZnO异质结，利用ZnO纳米颗粒均匀、表面积大的优点提高In2S3光电性能，按照本方案制备出的复合光阳极结构在500 W模拟太阳光的照射下比纯In2S3光阳极结构的光电流提高3倍。
技术研发人员：何丹农;卢静;白仕亨;涂兴龙;葛美英;金彩虹
受保护的技术使用者：上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
技术研发日：2018.10.18
技术公布日：2019.02.15