技术总结
本发明公开了一种提高铜箔表面均匀性的添加剂配方，该添加剂配方由以下重量份的组分组成：A剂5‑20份、B剂20‑70份、C剂40‑120份，所述A剂为含硫的杂环化合物，所述B剂为含氮合成高分子化合物，所述C剂为多种不同分子量的聚乙二醇和嵌段聚醚类化合物的混合物。该添加剂配方通过加入PEG600、PEG1000等分子量较小的PEG分子，可以嵌入细小的扩散层间隙中，弥补扩散网的缝隙，从而控制了抑制剂间隙区域的产生，有效控制晶粒成核阶段的不均匀分布，进而有效提高铜箔表面均匀性，报废比例控制到了1%以内。
技术研发人员：江泱;杨帅国
受保护的技术使用者：九江德福科技股份有限公司
技术研发日：2019.05.10
技术公布日：2019.07.23