-32中任一项所述的方法，其中所述纳米叠层涂层包含由多个层组成的至少一个部分，其中每个所述层具有在独立地选自约5nm至约250nm、约5nm至约 25nm、约 1nm 至约 30nm、约 30nm 至约 60nm、约 40nm 至约 80nm、约 75nm 至约 10nmJt10nm 至约 120nm、约 120nm 至约 140nm、约 140nm 至约 180nm、约 180nm 至约 200nm、约 200nm至约225nm、约220nm至约250nm或约150nm至约250nm的范围内的厚度。
[0101]34.实施方案16-33中任一项所述的方法，其中所述纳米叠层涂层组合物包含结构或组成不同的多个第一层和第二层，并且其可具有在所述第一层和第二层之间的离散或扩散界面。
[0102]35.实施方案34所述的方法，其中所述第一层和第二层作为交替的第一层和第二层布置。
[0103]36.实施方案35所述的方法，其中所述多个交替的第一层和第二层包含两个或更多、三个或更多、四个或更多、六个或更多、八个或更多、十个或更多、二十个或更多、四十个或更多、五十个或更多、100个或更多、200个或更多、500个或更多、1，000个或更多、1，500个或更多、2，000个或更多、4，000个或更多、6，000个或更多或8，000个或更多的交替的第一层和第二层，所述第一层和第二层对于每个多层涂层被独立地选择。
[0104]37.实施方案34-36中任一项所述的方法，其中每个第一层包含在独立地选自
-7%^7% -10%^10% -15%^15%-20%^20% -30%^30% -40%^40% -50%、50 % -55 % ^ 55 % -60 % ^ 60 % -65 % ^ 65 % -70 % ^ 70 % -75 % ^ 75 % -80 % ^ 80 % -85 %,85 % -90 %^90 % -92 %^92 % -93 %^93 % -94%,94% -95 %^95 % -96 %^96 % -97%,97% -98%或98% -99%的范围内的镍。
[0105]38.实施方案37所述的方法，其中每个第二层包含在独立地选自1% -35%、1%-3%、2%-5%、5%-10%、10%-15%、15%-20%、20%-25%、25%-30%或30%-35%的范围内的钴和/或铬。
[0106]39.实施方案34-36中任一项所述的方法，其中每个第一层包含在独立地选自
-7%^7% -10%^10% -15%^15%-20%^20% -30%^30% -40%^40% -50%、50 % -55 %^55 % -60 %^60 % -65 %^65 % -70 %^70 % -75 %^75 % -80 %^80 % -85 %、85 % -90 %^90 % -92 %^92 % -93 %^93 % -94%,94% -95 %^95 % -96 %^96 % -97%,97% -98%或98% -99%的范围内的镍，并且所述层的其余成分为钴和/或铬。
[0107]40.实施方案39所述的方法，其中每个第二层包含在独立地选自1% -35%、1%-3%、2%-5%、5%-10%、10%-15%、15%-20%、20%-25%、25%-30%或30%-35%的范围内的钴和/或铬，并且所述层的其余成分为镍。
[0108]41.实施方案34-36中任一项所述的方法，其中每个第一层包含在独立地选自1%-5%^5% -7%^7% -10%^10% -15%^15%-20%^20% -30%^30% -40%^40% -50%、50 % -55 % ^ 55 % -60 % ^ 60 % -65 % ^ 65 % -70 % ^ 70 % -75 % ^ 75 % -80 % ^ 80 % -85%,85 % -90 %^90 % -92 %^92 % -93 %^93 % -94%^94% -95 %^95 % -96 %^96 % -97%、97% -98%或98% -99%的范围内的镍，并且所述层的其余成分包含铁。
[0109]42.实施方案41所述的方法，其中每个第二层包含在独立地选自1% -35%、1%-3%、2%-5%、5%-10%、10%-15%、15%-20%、20%-25%、25%-30%或30%-35%的范围内的铁，并且所述层的其余成分包含镍。
[0110]43.实施方案34-36中任一项所述的方法，其中每个第一层包含在独立地选自1%-5%^5% -7%^7% -10%^10% -15%^15%-20%^20% -30%^30% -40%^40% -50%、50 % -55 %^55 % -60 %^60 % -65 %^65 % -70 %^70 % -75 %^75 % -80 %^80 % -85 %、85 % -90 %^90 % -92 %^92 % -93 %^93 % -94%,94% -95 %^95 % -96 %^96 % -97%,97% -98%^98% -99%,99% -99.5%,99.2% -99.7%、或 99.5% -99.99%的范围内的锌，并且所述层的其余成分包含铁。
[0111]44.实施方案43所述的方法，其中每个第二层包含在独立地选自0.01% -35%,0.01% -0.5%^0.3% -0.8%^0.5% -1.0%^1% -3%^2% -5%^5% -10%^10% -15%^15% -20%,20% -25%,25% -30%或30% -35%的范围内的铁，并且所述层的其余成分包含锌。
[0112]45.实施方案34-36中任一项所述的方法，其中一个或多个所述第一层和/或第二层包含一种或多种、两种或更多种、三种或更多种或四种或更多种元素，所述元素对于每个第一层和第二层独立地选自由以下组成的组:Ag、Al、Au、C、Cr、Cu、Fe、Mg、Mn、Mo、Sb、S1、Sn、Pb、Ta、T1、W、V、Zn 和 Zr。
[0113]46.一种产品，其通过实施方案16-44中任一项所述的方法而制备。
【主权项】
1.一种用于电沉积纳米叠层涂层的装置，其包括: 至少第一电沉积槽，导电性工件以一定速率移动通过所述电沉积槽， 速率控制机构，其控制所述工件移动通过所述电沉积槽的速率； 任选的混合器，其用于在电沉积工艺期间搅拌电解质； 任选的流动控制单元，其用于将所述电解质施加至所述工件； 电极；以及 电源，其当所述工件移动通过所述槽时以随时间变化的方式控制施加于所述工件的电流密度。2.如权利要求1所述的装置，其中以随时间变化的方式控制所述电流密度包括在所述工件移动通过所述电沉积槽时将两种或更多种、三种或更多种或四种或更多种不同电流密度施加于所述工件。3.如权利要求2所述的装置，其中以随时间变化的方式控制所述电流密度包括施加偏移电流，以使当所述工件移动通过所述电沉积槽时所述工件保持为阴极而所述电极保持为阳极。4.如权利要求1所述的装置，其中所述随时间变化的方式包括以下的一种或多种:改变所述基线电流、脉冲电流调制和反向脉冲电流调制。5.如权利要求1所述的装置，其中所述电沉积槽还包含超声波搅拌器。6.如权利要求5所述的装置，其中所述超声波搅拌器连续或以脉冲方式操作。7.如权利要求1所述的装置，其中所述混合器可变地混合在所述电沉积槽中放置的电解质。8.如前述权利要求中任一项所述的装置，还包含所述工件从其移动至所述电沉积槽的第一位置，和/或用于在所述工件已移动通过所述电沉积槽后接收所述工件的第二位置。9.如权利要求8所述的装置，其中所述第一和/或第二位置包含线轴或心轴。10.如权利要求9所述的装置，其中所述工件是可缠绕在所述线轴上或在所述心轴周围的电线、杆、片状物或管。11.如权利要求1-7中任一项所述的装置，其中所述电沉积槽包含水性电解质。12.如权利要求1-7中任一项所述的装置，其中所述电沉积槽包含非水性电解质。13.如权利要求1-7中任一项所述的装置，其中所述电解质包含两种或更多种、三种或更多种或四种或更多种可电沉积的金属的盐。14.如权利要求1-7中任一项所述的装置，还包含在所述第一位置与所述电沉积槽之间的一个或多个位置，在所述位置中使所述工件与溶剂、酸、碱、蚀刻剂和冲洗剂的一种或多种接触以除去所述溶剂、酸、碱或蚀刻剂。15.如权利要求1-7中任一项所述的装置，还包含在所述电沉积槽与所述第二位置之间的一个或多个位置，在所述位置中使所述涂覆工件经受以下的一项或多项:用溶剂清洗、用酸清洗、用碱清洗、钝化处理和冲洗。16.一种电沉积纳米叠层涂层的方法，其包括: 使工件以一定速率移动通过包含至少第一电沉积槽的装置，其中所述电沉积槽包含电极和包含两种或更多种、三种或更多种、或四种或更多种不同可电沉积的金属的盐的电解质；以及 当所述工件移动通过所述槽时以随时间变化的方式控制所述混合速率和/或施加于所述工件的电流密度，从而电沉积纳米叠层涂层。17.如权利要求16所述的方法，其中以随时间变化的方式控制所述电流密度包括当所述工件移动通过所述电沉积槽时将两种或更多种、三种或更多种、或四种或更多种不同电流密度施加于所述工件。18.如权利要求17所述的方法，其中以随时间变化的方式控制所述电流密度包括施加偏移电流，以使当所述工件移动通过所述电沉积槽时所述工件保持为阴极而所述电极保持为阳极。19.如权利要求16所述的方法，其中所