述随时间变化的方式包括以下的一种或多种:改变所述基线电流、脉冲电流调制和反向脉冲电流调制。20.如权利要求16所述的方法，其中所述电沉积槽还包含混合器，并且所述方法还包括用所述混合器以单一速率或以不同速率搅拌所述电解质。21.如权利要求16所述的方法，其中所述电沉积槽还包含超声波搅拌器，所述方法还包括连续或以非连续方式操作所述超声波搅拌器以控制所述混合速率。22.如权利要求16所述的方法，还包括控制所述工件移动通过所述电沉积槽的速率。23.如权利要求16所述的方法，其中所述装置还包含所述工件从其移动至所述电沉积槽的第一位置，和/或用于在所述工件已移动通过所述电沉积槽后接收所述工件的第二位置，所述方法还包括使所述工件从所述第一位置移动至所述电沉积槽和/或使所述工件从所述电沉积槽移动至所述第二位置。24.如权利要求23所述的方法，其中所述装置还包含在所述第一位置与所述电沉积槽之间的一个或多个位置，并且所述方法还包括使所述工件与溶剂、酸、碱和蚀刻剂以及冲洗剂的一种或多种接触以除去所述溶剂、酸、碱、或蚀刻剂。25.如权利要求23所述的方法，其中所述装置还包含在所述电沉积槽与所述第二位置之间的一个或多个位置，并且所述方法还包括使所述工件与溶剂、酸、碱、钝化剂和冲洗剂的一种或多种接触以除去所述溶剂、酸、碱和钝化剂。26.如权利要求16所述的方法，其中所述工件由金属、导电性聚合物或通过包藏导电性材料或无电施加金属被赋予导电性的非导电性聚合物组成。27.如权利要求16所述的方法，其中所述工件是电线、杆、片状物或管。28.如权利要求16所述的方法，其中所述电解质为水性电解质。29.如权利要求16所述的方法，其中所述电解质为非水性电解质。30.如权利要求16-29中任一项所述的方法，其中电沉积纳米叠层涂层包括所述电沉积包含一种或多种、两种或更多种、三种或更多种或四种或更多种不同元素的成层组合物，所述元素独立地选自 Ag、Al、Au、Be、Co、Cr、Cu、Fe、Hg、In、Mg、Mn、Mo、Nb、Nd、N1、Pd、Pt、Re、Rh、Sb、Sn、Pb、Ta、T1、W、V、Zn和Zr，其中每种所述独立选择的金属以大于0.1,0.05、0.0U0.005 或 0.001 重量％存在。31.如权利要求16-29中任一项所述的方法，其中电沉积纳米叠层涂层包括所述电沉积包含两种或更多种不同元素的成层组合物，所述元素独立地选自Ag、Al、Au、Be、Co、Cr、Cu、Fe、Hg、In、Mg、Mn、Mo、Nb、Nd、N1、Pd、Pt、Re、Rh、Sb、Sn、Pb、Ta、T1、W、V、Zn 和 Zr，其中每种所述独立选择的金属以大于0.1,0.05,0.01,0.005或0.001重量％存在。32.如权利要求31所述的方法，其中所述两种或更多种不同金属包含:Zn和Fe、Zn和N1、Co和N1、Ni和Fe、Ni和Cr、Ni和Al、Cu和Zn、Cu和Sn或包含Al Ni和Co的组合物。33.根据权利要求16-29中任一项所述的方法，其中所述纳米叠层涂层包含由多个层组成的至少一个部分，其中每个所述层具有在独立地选自约5nm至约250nm、约5nm至约25nm、约 1nm 至约 30nm、约 30nm 至约 60nm、约 40nm 至约 80nm、约 75nm 至约 lOOnm、约 10nm至约 120nm、约 120nm 至约 140nm、约 140nm 至约 180nm、约 180nm 至约 200nm、约 200nm 至约225nm、约220nm至约250nm或约150nm至约250nm的范围内的厚度。34.如权利要求16-29中任一项所述的方法，其中所述纳米叠层涂层组合物包含结构或组成不同的多个第一层和第二层，并且其可具有在所述第一层和第二层之间的离散或扩散界面。35.如权利要求34所述的方法，其中所述第一层和第二层作为交替的第一层和第二层布置。36.如权利要求35所述的方法，其中所述多个交替的第一层和第二层包含两个或更多、三个或更多、四个或更多、六个或更多、八个或更多、十个或更多、二十个或更多、四十个或更多、五十个或更多、100个或更多、200个或更多、500个或更多、1，000个或更多、1，500个或更多、2，000个或更多、4，000个或更多、6，000个或更多或8，000个或更多的交替的第一层和第二层，所述第一层和第二层对于每个多层涂层被独立地选择。37.如权利要求34所述的方法，其中每个所述第一层包含在独立地选自1%-5%、5 % -7 %,? % -10 %Λ0 % -15 %Λ5 % -20 %、20 % -30 %、30 % -40 %Α0 % -50%,50 % -55 % ^ 55 % -60 % ^ 60 % -65 % ^ 65 % -70 % ^ 70 % -75 % ^ 75 % -80 % ^ 80 % -85 %,85 % -90 %^90 % -92 %^92 % -93 %^93 % -94%^94% -95 %^95 % -96 %^96 % -97%,97% -98%或98% -99%的范围内的镍。38.如权利要求37所述的方法，其中每个第二层包含在独立地选自I% -35%,1%-3%、2%-5%、5%-10%、10%-15%、15%-20%、20%-25%、25%-30%或30%-35%的范围内的钴和/或铬。39.如权利要求34所述的方法，其中每个所述第一层包含在独立地选自1%-5%、5 % -7 %,7 % -10 %Λ0 % -15 %Λ5 % -20 %、20 % -30 %、30 % -40 VoAO % -50%,50 % -55 %^55 % -60 %^60 % -65 %^65 % -70 %^70 % -75 %^75 % -80 %^80 % -85 %、85 % -90 %^90 % -92 %^92 % -93 %^93 % -94%,94% -95 %^95 % -96 %^96 % -97%,97% -98%或98% -99%的范围内的镍，并且所述层的其余成分为钴和/或铬。40.如权利要求39所述的方法，其中每个第二层包含在独立地选自I% -35%,1%-3%、2%-5%、5%-10%、10%-15%、15%-20%、20%-25%、25%-30%或30%-35%的范围内的钴和/或铬，并且所述层的其余成分为镍。41.如权利要求34所述的方法，其中每个所述第一层包含在独立地选自1%-5%、5 % -7 %,7 % -10 %Λ0 % -15 %Λ5 % -20 %、20 % -30 %、30 % -40 VoAO % -50%,50 % -55 %^55 % -60 %^60 % -65 %^65 % -70 %^70 % -75 %^75 % -80 %^80 % -85 %、85 % -90 %^90 % -92 %^92 % -93 %^93 % -94%,94% -95 %^95 % -96 %^96 % -97%,97% -98%或98% -99%的范围内的镍，并且所述层的其余成分包含铁。42.如权利要求41所述的方法，其中每个第二层包含在独立地选自I% -35%,1%-3%、2%-5%、5%-10%、10%-15%、15%-20%、20%-25%、25%-30%或30%-35%的范围内的铁，并且所述层的其余成分包含镍。43.如权利要求34所述的方法，其中每个所述第一层包含在独立地选自1%-5%、5 % -7 %,? % -10 %Λ0 % -15 %Λ5 % -20 %、20 % -30 %、30 % -40 %Α0 % -50%,50 % -55 % ^ 55 % -60 % ^ 60 % -65 % ^ 65 % -70 % ^ 70 % -75 % ^ 75 % -80 % ^ 80 % -85 %,85 % -90 %^90 % -92 %^92 % -93 %^93 % -94%^94% -95 %^95 % -96 %^96 % -97%,97% -98%^98% -99%,99% -99.5%、99.2% -99.7%或 99.5% -99.99%的范围内的锌，并且所述层的其余成分包含铁。44.如权利要求43所述的方法，其中每个第二层包含在独立地选自0.01% -35%、0.01%-0.5%,0.3%-0.8%,0.5%-1.0%,1%~3%,2%-5%,5%-10%,10%-15%,15% -20%,20% -25%,25% -30%或30% -35%的范围内的铁，并且所述层的其余成分包含锌。45.如权利要求34所述的方法，其中一个或多个所述第一层和/或第二层包含一种或多种、两种或更多种、三种或更多种或四种或更多种元素，所述元素对于每个第一层和第二层独立地选自由以下组成的组 -Ag、Al、Au、C、Cr、Cu、Fe、Mg、Mn、Mo、Sb、S1、Sn、Pb、Ta、T1、W、V、Zn 和 Zr。46.一种产品，其通过如权利要求16-29中任一项所述的方法而制备。
【专利摘要】本文所述的是用于通过电沉积连续施加纳米层压材料的装置和方法。
【IPC分类】C25D5/14
【公开号】CN105143521
【申请号】CN201480014190
【发明人】克里斯蒂娜·A·罗玛瑟尼
【申请人】莫杜美拓有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2014年3月18日
【公告号】CA2905575A1, WO2014146117A2, WO2014146117A3