一种电涡流减振装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于减振技术领域，具体涉及一种电涡流减振装置。
【背景技术】
[0002]随着航天技术的发展，由星上振源和有效载荷引起的卫星结构振动，将成为影响精密有效载荷实际工作性能的重要因素，如高分辨率对地遥感、观测相机的成像质量等。为了满足精密有效载荷对卫星振动环境的要求，必须设法隔离、抑制振动的影响。由于航天器在轨运行维护不便，航天器阻尼器要有极高的可靠性，能够适应空间高真空、热交换等复杂环境，并能满足在轨5年-15年的寿命要求。电涡流减振装置是基于导体在磁场中运动或在交变磁场中产生电涡流效应的原理来工作的，其具有非接触、无机械摩擦和磨损、无须润滑、寿命长等优点，满足航天领域对阻尼器的要求，有光明的应用前景。
[0003]但是，现有的减振装置是通过单一电涡流板与永磁体相互作用产生阻尼力来达到减振的目的，通过单一电涡流板与永磁体产生的阻尼效果差，而且现有的电涡流减振装置也只是单纯的电涡流阻尼器和不能够很好控制阻尼力大小。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的在于提供一种电涡流减振装置，以解决上述【背景技术】中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:一种电涡流减振装置，包括屏蔽壳、载荷输入轴和双弹簧减震底座，所述屏蔽壳的内部设有电涡流发生装置，所述电涡流发生装置包括第一电涡流板、固定支座、金属板、上磁体、下电磁装置和第二电涡流板，所述第一电祸流板与载荷输入轴固定连接，所述固定支座与屏蔽壳的内壁固定连接，所述金属板设置在固定支座与上电磁装置之间，且所述金属板设置在固定支座与下电磁装置之间，所述上电磁装置设置在金属板的底部，所述下电磁装置设置在上电磁装置的下端，所述第二电涡流板设置在屏蔽壳的底部，所述双弹簧减震底座包括外壳、双弹簧和橡胶底座，所述屏蔽壳安插在外壳的顶部，且所述屏蔽壳与双弹簧固定连接，所述双弹簧设置在外壳的内侧，所述橡胶底座与外壳的底部固定连接。
[0006]优选的，所述第一电涡流板与固定支座之间留有空隙，所述第二电涡流板和固定支座之间留有空隙，且空隙的距离为5-30mm。
[0007]优选的，所述上电磁装置和下电磁装置的中间均开有圆柱形通孔，且圆柱形通孔的内径为5-10mm。
[0008]优选的，所述上电磁装置和下电磁装置设置在同一竖直面内，且上电磁装置和下电磁装置磁性相反对立设置，所述上电磁装置和下电磁装置均设有永磁体和线圈，所述线圈缠绕在永磁体的环形面上。
[0009]本实用新型的技术效果和优点:该电涡流减振装置，通过上电磁装置和下电磁装置对称磁性相反设置，不仅能够增加阻尼力，而且通过线圈能够增加电流或减小电流，有利于控制该电涡流减振装置的阻尼力;与传统技术相比，本实用新型为了更好地利用磁场，在永磁体两侧分别布置第一电涡流板和第二电涡流板，当金属板上下运动时，所处的磁场在其运动方向上交替变化时，在其内部会形成相应数量的电涡流，与单一金属板的结构方案比较而言，作用力相反的双涡流板能够输出更大的阻尼力，会有更好的阻尼性能；同时，本实用新型在屏蔽壳的底部设有双弹簧减震底座能够抗振外界力比较小的振动；因此，本实用新型设计合理，具有结构简单和减振效果好等特点。
【附图说明】
[00?0]图1为本实用新型的结构不意图；
[0011 ]图2为本实用新型的上电磁装置结构示意图；
[0012]图3为本实用新型的下电磁装置结构示意图。
[0013]图中:1屏蔽壳、2载荷输入轴、3双弹簧减震底座、31外壳、32双弹簧、33橡胶底座、4电涡流发生装置、41第一电涡流板、42固定支座、43金属板、44上电磁装置、45下电磁装置、441永磁体、442线圈、46第二电涡流板。
【具体实施方式】
[0014]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0015]本实用新型提供了如图1-3所示的一种电涡流减振装置，包括屏蔽壳1、载荷输入轴2和双弹簧减震底座3，所述屏蔽壳1的内部设有电涡流发生装置4，所述电涡流发生装置4包括第一电涡流板41、固定支座42、金属板43、上电磁装置44、下电磁装置45和第二电涡流板46，所述第一电涡流板41与载荷输入轴2固定连接，所述固定支座42与屏蔽壳1的内壁固定连接，所述金属板43设置在固定支座42与上电磁装置44之间，且所述金属板43设置在固定支座42与下电磁装置45之间，所述上电磁装置44设置在金属板43的底部，所述下电磁装置45设置在上电磁装置44的下端，所述上电磁装置44和下电磁装置45的中间均开有圆柱形通孔，且圆柱形通孔的内径为5-10mm，所述第二电涡流板46设置在屏蔽壳1的底部，所述第一电涡流板41与固定支座42之间留有空隙，所述第二电涡流板46和固定支座42之间留有空隙，且空隙的距离为5-30mm，所述双弹簧减震底座3包括外壳31、双弹簧32和橡胶底座33，所述屏蔽壳1安插在外壳31的顶部，且所述屏蔽壳1与双弹簧32固定连接，所述双弹簧32设置在外壳31的内侧，所述橡胶底座33与外壳31的底部固定连接。
[0016]工作原理:电涡流阻尼器方案的设计原理是，当载荷输入轴2带动第一电涡流板41上下运动时，其内部的磁通发生变化，从而在金属板43内形成电涡流，继而产生反向的一个洛伦兹力，阻碍载荷输入轴运动。在此过程中，由于金属板43的电阻特性，电涡流转化为焦耳热释放。为了提高阻尼系数，可以通过提高电涡流发生装置4中上电磁装置44和下电磁装置45的磁场利用率来达到目的。考虑到第一电涡流板41阻尼器结构方案中所用的永电磁装置的磁场分布，如果结构完全对称，则理论上第一电涡流板41和第二电涡流板46作用力上下对称。因此，为了更好地利用磁场，在上电磁装置44和下电磁装置45两侧均布置金属板43。当第一电涡流板41和第二电涡流板46上下运动时，所处的磁场在其运动方向上交替变化时，在其内部会形成相应数量的电涡流。与单一电涡流板的结构方案比较而言，作用力相反的双涡流板能够输出更大的阻尼力，会有更好的阻尼性能。鉴于此，本实用新型在电涡流阻尼器方案基础上增加一块电涡流板，所用永磁体为一圆柱型永磁体，中间开有一圆柱形通孔，固定在电涡流阻尼器中部。其功能是为金属板在其运动方向上提供一个非均匀磁场。当输入轴带动上、下金属板运动时，在金属板中产生抑制其运动的电涡流，产生阻尼力，从而耗能减振。
[0017]最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种电涡流减振装置，包括屏蔽壳(1)、载荷输入轴(2)和双弹簧减震底座(3)，所述屏蔽壳(1)的内部设有电涡流发生装置(4)，其特征在于:所述电涡流发生装置(4)包括第一电涡流板(41)、固定支座(42)、金属板(43)、上电磁装置(44)、下电磁装置(45)和第二电涡流板(46)，所述第一电涡流板(41)与载荷输入轴(2)固定连接，所述固定支座(42)与屏蔽壳(1)的内壁固定连接，所述金属板(43)设置在固定支座(42)与上电磁装置(44)之间，且所述金属板(43)设置在固定支座(42)与下电磁装置(45)之间，所述上电磁装置(44)设置在金属板(43)的底部，所述下电磁装置(45)设置在上电磁装置(44)的下端，所述第二电涡流板(46)设置在屏蔽壳(1)的底部，所述双弹簧减震底座(3)包括外壳(31)、双弹簧(32)和橡胶底座(33)，所述屏蔽壳(1)安插在外壳(31)的顶部，且所述屏蔽壳(1)与双弹簧(32)固定连接，所述双弹簧(32 )设置在外壳(31)的内侧，所述橡胶底座(33)与外壳(31)的底部固定连接。2.根据权利要求1所述的一种电涡流减振装置，其特征在于:所述第一电涡流板(41)与固定支座(42)之间留有空隙，且第二电涡流板(46)和固定支座(42)之间留有空隙，且空隙的距离为5-30mm。3.根据权利要求1所述的一种电涡流减振装置，其特征在于:所述上电磁装置(44)和下电磁装置(45)的中间均开有圆柱形通孔，且圆柱形通孔的内径为5-10_。4.根据权利要求1所述的一种电涡流减振装置，其特征在于:所述上电磁装置(44)和下电磁装置(45)设置在同一竖直面内，且上电磁装置(44)和下电磁装置(45)磁性相反对立设置，所述上电磁装置(44)和下电磁装置(45)均设有永磁体(441)和线圈(442)，所述线圈(442)缠绕在永磁体(441)的环形面上。
【专利摘要】本实用新型公开了一种电涡流减振装置，包括屏蔽壳、载荷输入轴和双弹簧减震底座，所述第一电涡流板与载荷输入轴固定连接，所述固定支座与屏蔽壳的内壁固定连接，所述上电磁装置设置在金属板的底部，所述下电磁装置设置在上电磁装置的下端，所述第二电涡流板设置在屏蔽壳的底部，所述屏蔽壳安插在外壳的顶部，且所述屏蔽壳与双弹簧固定连接，所述双弹簧设置在外壳的内侧，所述橡胶底座与外壳的底部固定连接。本实用新型在屏蔽壳的底部设有双弹簧减震底座能够抗振外界力比较小的振动；同时，本实用新型设计合理，具有结构简单和减振效果好等特点。
【IPC分类】F16F6/00, F16F13/00
【公开号】CN205089889
【申请号】CN201520866220
【发明人】王枝, 郑强
【申请人】温州瓯科科技有限公司
【公开日】2016年3月16日
【申请日】2015年11月3日