本发明涉及气体供应领域，尤其是涉及一种用于高纯硅烷供气的脉冲反吹装置。
背景技术：
硅烷是半导体生成常用的气体，它性质是易燃易爆气体，它和空气中的氧气反应生成二氧化硅粉末。对于高纯管道而言，二氧化硅粉末滞留在管道中会产生负面影响，尤其是如果二氧化硅粉末在阀门的密封面，长期而言会对精密阀门的密封面造成磨损，形成内漏，也就是阀门无法有截止作用；所以要定期对高纯硅烷供应管路进行脉冲反吹，尤其是气源更换后，残留硅烷和断开气源进入的空气可能形成二氧化硅粉末，但是普通的气流吹扫是无法清洗完全的，因为气流比较平缓。
技术实现要素：
为了解决上述问题，本发明提出了一种用于高纯硅烷供气的脉冲反吹装置。
为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：一种用于高纯硅烷供气的脉冲反吹装置，其包括：
气源，以及
供气管路，供气管路有两路，供气管路包括依次连接的第一截止阀，调压阀和第二截止阀；两路供气管路汇成一路作为供气端；
吹扫管路，包括文丘里，文丘里侧吸口分两路分别安装第三截止阀，第三截止阀连接到调压阀后端；
脉冲反吹管路，包括依次连接反吹头和第四截止阀，第四截止阀连接调压阀前端；
反吹头包括壳体，壳体呈漏斗形，漏斗形大端的端部有凹槽，凹槽内安装卡盘，同时漏斗形大端安装端盖，端盖卡住卡盘起限位作用，端盖设有出口作为第二接头；卡盘中心开有中心孔，中心孔安装阀杆；漏斗形小端是用于连接压缩气体的第一接头；壳体内部有凸起；阀杆顶端有阀杆头，阀杆安装有弹簧，阀杆头在弹簧作用下顶住凸起在壳体内部截断成两个空间。
进一步地，所述端盖和壳体通过螺纹连接。
进一步地，所述文丘里入口和反吹头连接接压缩高纯氮气。
进一步地，所述文丘里出口连接燃烧塔。
进一步地，所述第一接头和第二接头是vcr接头。
进一步地，所述阀杆、壳体、卡盘和端盖同心。
进一步地，所述供气管路两路之间装有第五截止阀。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：该装置可以实现对硅烷供应管路进行脉冲反吹，杜绝二氧化硅粉末对管路阀门的破坏。
附图说明
图1为本发明的示意图；
图2为本发明的反吹头示意图；
附图标记说明：1-气源；2-总阀；3-第五截止阀；4、8-第一截止阀；5、11-调压阀；6、16-第三截止阀；7、17-第二截止阀；；9、13-反吹头；901-第二接头；902-端盖；904-卡盘；905-气孔；906-阀杆；907-阀杆头；908-弹簧；909-凹槽；910-壳体；911-凸起；912-第一接头；10、12-第四截止阀；14-第六截止阀；15-文丘里；18-供气管路；19-脉冲反吹管路；20-吹扫管路；21-供气端。
具体实施方式
为了对本发明的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图说明本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围不局限于以下所述。
如图1和图2所示，本发明提供了一种用于高纯硅烷供气的脉冲反吹装置，其包括气源1、供气管路18、吹扫管路20和脉冲反吹管路19，其中：气源1，气源1出口有总阀2；供气管路18，供气管路18有两路，供气管路18包括依次连接的第一截止阀4、8，调压阀5、11和第二截止阀7、17；两路供气管路18汇成一路作为供气端21；吹扫管路20，包括文丘里15，文丘里15侧吸口分两路分别安装第三截止阀6、16，第三截止阀6、16连接到调压阀5、11后端；脉冲反吹管路19，包括依次连接反吹头9、13和第四截止阀10、12，第四截止阀10、12连接调压阀5、11前端；反吹头9、13包括壳体910，壳体910呈漏斗形，漏斗形大端的端部有凹槽909，凹槽909内安装卡盘904，同时漏斗形大端安装端盖902，端盖902卡住卡盘904起限位作用，端盖902设有出口作为第二接头901；卡盘904中心开有中心孔，中心孔安装阀杆906；漏斗形小端是用于连接压缩气体的第一接头912；壳体910内部有凸起911；阀杆906顶端有阀杆头907，阀杆907安装有弹簧908，阀杆头907在弹簧作用下顶住凸起911在壳体910内部截断成两个空间。
优选地，所述端盖902和壳体910通过螺纹连接，必要的话为了密封效果还需要在端盖902和壳体910密封面加垫片，垫片可以选择镍垫片。
优选地，所述文丘里15入口和反吹头9、13连接接压缩高纯氮气，高纯氮气的压力控制在90psi作用即可。
优选地，所述文丘里15出口连接燃烧塔，根据硅烷性质是遇空气自燃，所以燃烧塔是不断向外鼓风，稀释残留硅烷废气，防止集中燃烧爆炸。
优选地，所述第一接头912和第二接头901是vcr接头，vcr接头最早用于宇航工业，目前在半导体光电制造行业普遍使用；vcr接头洁净度高、密封性好，特别适用于要求无泄漏的超高纯净系统、超高真空系统及高压系统；vcr接头便于安装，具有最小拆卸间隙，可以反复拆装，只需重新更换新垫片即可。
优选地，所述阀杆906、壳体910、卡盘904和端盖902同心。
优选地，所述供气管路18两路之间装有第五截止阀3，使用时，一路作为备用，在脉冲反吹时也可对单路进行吹扫。
操作步骤：吹扫管路20对整个供气管路吹扫过后，管路的硅烷已经下降到很低的浓度，拆开气源1，保持反吹气，此时总阀2、第五截止阀3、第一截止阀4、8也是打开的，其他阀门关闭；打开第四截止阀10、12，压缩氮气冲击阀杆头907形成憋压，待憋压压力超过弹簧908的弹力后，憋压冲开阀杆头907，高压气流进入管路；压力释放后，阀杆头907由于弹簧908作用归位堵住凸起911；如此一堵一放，形成脉冲气流清洗管道的二氧化硅从断开后的气源出口出去。
可以得出的是，该装置可以实现对硅烷供应管路进行脉冲反吹，杜绝二氧化硅粉末对管路阀门的破坏。
以上揭露的仅为本发明的较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作地等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。