专利名称：射频消融导管和磁共振成像系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及导管，尤其是用于磁共振成像系统中的导管。
背景技术：
射频消融导管用于利用电能消融或破坏组织。可以将射频消融导管插入到静脉或动脉中。已知使用基于X射线的医学成像技术来引导射频消融导管的放置和操作。射频消融导管已经在消融导致心律紊乱的心脏组织和在其他疗法中消融组织方面获得成功。用于X射线成像系统的现代常规EP消融导管装备有顶端冷却，主要是为了避免过热和烧焦紧邻顶端的组织，避免血液凝固，因此允许用更大RF功率进行更深更快的消融。美国专利7388378公开了一种装置，用于保护电气装置的传导部分，使其免受磁共振成像系统的振荡磁场诱发的电流和电压浪涌影响。
发明内容
本发明在独立权利要求中提供了一种导管和磁共振成像系统。在从属权利要求中给出了实施例。X射线成像技术与包含导线或传输线路的导管兼容，因为X射线不会在传输线路上诱发电流。不过，身体中的坚硬结构，例如骨骼，对X射线的衰减大于柔软组织。这是使用 X射线成像装备引导导管的缺点，因为对于一些用途而言，例如引导射频消融导管消融软组织，对软组织成像是有用的。相反，磁共振成像能够对软组织进行有效成像。因此，有利的是有一种与磁共振成像兼容的导管，例如射频消融导管。使用磁共振成像引导射频消融导管的使用难处是，磁共振成像系统工作期间生成的电磁场可能在用于向射频消融导管的顶端电极输送射频功率的射频传输线路中诱发电流。射频消融导管可以具有顶端电极、多个电极或分布式电极。在这里要理解，提到顶端电极或电极同样适用于射频消融导管的所有电极。本发明的实施例利用沿传输线路分布的射频陷波器(trap)为这个问题提供了解决方案。在这里要理解，对射频传输线路的援引和限制也适用于传输线路。在这里将射频传输线路定义为适于传输射频电信号或电功率的传输线路。在这里将传输线路定义为适于传输电信号或电功率的电线或导体。射频陷波器抑制诱发的射频电流和相关联的顶端发热， 但可能使自身发热。对于射频消融导管而言，可以由液体冷却射频陷波器，提供液体是为了冷却导管的电极。为此目的，可以设计陷波器，使得陷波器的可能导致相邻有损耗电介质的射频发热的强电场的位置几乎都限制在冷却液之内或接近冷却液的区域之内。通往冷却液的热传递得到优化，同时避免了电场进入受检者的相邻组织。因此，排除了与导管管路相邻的组织的直接射频加热。类似地，设计射频陷波器可能经受电阻加热的电感部分，使得向冷却线路的热传递得到优化，并且向身体组织的热传递被最小化。因此，射频陷波器中或附近过量热的生成被最小化，残余生成的热量被不断冷却，使得稳态陷波器温度保持低温，防止了射频陷波器故障和二次组织发热。
本发明提供了一种包括传输线路的导管。传输线路包括多个射频陷波器。导管还包括冷却线路，用于利用流体冷却所述多个射频陷波器。当在具有周围射频能量的环境中， 例如在磁共振成像单元中使用导管时，传输线路可能能够拾取周围射频能量并具有其上因周围射频能量诱发的电流。射频陷波器可用于防止传输线路上的诱发电流，不过射频能量集中在射频陷波器中，最终被转变成热。冷却线路输送的流体用于从射频陷波器散布热或去除热。这种组合使得导管在磁共振成像系统中的使用更加安全。可以由冷却线路中的流体冷却整个传输线路或者可以仅冷却一部分传输线路。这取决于射频陷波器的设计。射频陷波器中消耗射频能量的部分将被加热，这是射频陷波器中被优先冷却的部分。例如，如果使用分立的电容器和电感器形成射频陷波器，那么有利的是使分立电容器或电感器在冷却线路之内或靠近冷却线路，从而能够由冷却线路去除热量。有很多可能类型的导管可实现为
具体实施例方式-诊断EP导管，具有若干电线以连接电极-主动跟踪的导管，具有一个或多个有线微型接收线圈，用于在磁共振程序中进行定位-血管成形术导管，用于利用或不用支架部署来扩张阻塞的血管-瓣膜置换导管-用于为未闭卵圆孔部署闭塞装置的导管-具有有线内部MR成像线圈的血管内MR成像导管-需要用于生理测量的有线传感器的导管-用于测量内部血压的压力导管-用于测量内部血流量的导管-用于测量内部血液温度的导管在另一实施例中，该导管是射频消融导管。传输线路是射频传输线路。导管还包括电极。冷却线路适于向电极输送流体。传输线路包括连接端和电极端。连接端适于连接到射频发生器。电极端连接到电极。本实施例是有利的，因为它允许在高射频场中使用射频消融导管而不干扰导管的工作。例如，可以使用几百千赫的射频能量来消融电极附近的组织。可以构造射频陷波器，使它们阻断不同频率的射频能量。例如，可以阻断磁共振成像系统生成的射频场并防止其在传输线路上导致诱发电流，诱发电流导致电极额外发热。在另一实施例中，多个射频陷波器都包括共轴扼流圈。在这一实施例中，传输线路为同轴线缆。以规则间隔切割同轴线缆的外屏蔽。屏蔽的一端连接到同轴线缆的内导体， 另一端开放或任选地与电容器连接。同轴线缆外导体的各段短于希望阻断或陷波的频率的四分之一波长。短于四分之一波长防止了在同轴线缆的外导体上积聚诱发电流。这样防止在同轴线缆的内导体上形成诱发电流。共轴扼流圈又称为共轴陷波器，通常称为“超高频平衡不平衡变换器(bazooka balun) 共轴扼流圈为同轴线缆外部流动的电流生成高阻抗。其初始用途是抑制连接到 (不平衡)同轴线缆的平衡天线馈电点处的不平衡电流(“不平衡变换器”=平衡-不平衡)。根据完整波长，用于外屏蔽电流的高阻抗发生在基本频率。对于磁共振成像而言，选择其为拉莫尔频率，抑制在磁共振射频传输期间诱发的屏蔽电流。
在另一个实施例中，所述传输线路包括外屏蔽电极。外屏蔽电极包括沿传输线路最大分开预定距离的多个段。由多个射频陷波器电连接多个段。在本实施例的实施方式中， 外屏蔽可以是同轴线缆的编织屏蔽。可以切割编织屏蔽以生成电隔离段。因此能够利用射频陷波器将这些电隔离段电连接到一起。例如，可以使用并联的电容器和电感器以连接外屏蔽的两个相邻段。本实施例可以使用被外屏蔽与周围射频能量屏蔽的单个导体或电线。 或者，可以由外屏蔽来屏蔽多个导体或电线。可以通过将传输线路放置在冷却线路之内，或通过将射频陷波器的部件放置为与冷却线路热接触来冷却射频陷波器。在另一实施例中，多个射频陷波器的每个均包括并联的电容器和电感器。射频陷波器沿射频传输线路最大分开预定距离。在另一实施例中，多个射频陷波器都包括印刷电路板。电感器形成于印刷电路板上。电线线圈可以在印刷电路板上图案化。电感器可以形成于电路板的单层上或可以形成于多层上。在另一实施例中，射频传输线路形成于印刷电路板上。电感器形成于印刷电路板上。在这一实施例中，在长而窄的印刷电路板上制造整个长度或可观长度的导管传输线路。本发明提供了一种导管。该导管可以是射频消融导管。在这里要理解，对射频传输线路的援引同样适用于包含电线或传输线路的其他导管。这种情况的例外是，并非作为本发明实施例的所有导管都包括电极或顶端电极。射频消融导管包括电极。电极可以是顶端电极。电极可以在沿着射频消融导管位置的任何位置。射频消融导管也可以具有多个电极。要理解，在这里，对顶端电极的所有援引可应用于可能是射频消融导管的部件的任何其他电极。射频消融导管还包括适于向顶端电极输送流体的冷却线路。射频消融导管还包括射频传输线路。射频传输线路包括连接端和电极端。连接端适于连接到射频发生器。电极端连接到顶端电极。射频传输线路包括多个射频陷波器。多个射频陷波器的每个均包括并联的电容器和电感器。射频陷波器沿射频传输线路最大分开预定距离。冷却线路适于冷却多个射频陷波器。将射频陷波器调谐至阻断频率。当在磁共振成像系统中使用射频消融导管时，希望将射频陷波器调谐到磁共振成像系统的拉莫尔频率，其方式是选择电感L和电容C，使得其中ω是拉莫尔频率。线圈和分布式电容器额外受到冷却线路尺度的约束。可以通过向冷却管上安装测试线圈和/或通过选择适当的集总式或分布式电容器来确定线圈设计(绕组数、绕组密度)和电容的选择。可以如下测量所得陷波器的共振频率将网络分析器的端口连接到圆形拾取线圈，拾取线圈用于弱电感耦合到线圈L。然后网络分析器的Sll模式示出RF陷波器共振频率处的最小反射功率。可以迭代地改变线圈参数和电容器以将共振频率调整到ω。可以通过改变线圈的绕组密度实现完全组装状态下射频陷波器的精细调谐。为此目的，在组装期间应当将线圈松弛地缠绕到冷却管上，仅在测量RF陷波器的共振频率并通过轻微改变绕组位置进行精细调谐之后，才可以用粘合剂固定线圈绕组。在射频消融导管连接到射频发生器时，经由射频传输线路向顶端电极传输射频电功率。由于局部高电流密度导致组织局部消融，来自射频发生器的射频电功率加热与顶端电极相邻的组织。由来自被加热组织的区域的热传导对不与顶端电极相邻的组织加热。冷却线路向顶端电极输送流体以防止与顶端电极直接相邻的组织变得过热。可以使用几种不同变体。例如，冷却线路可以向顶端携带盐溶液，然后向与顶端电极相邻的组织中泄露冷却流体，以便进行顶端灌注。或者，能够使用闭合环路，其中优选第一管向顶端中输送冷却流体以冷却顶端，装备有陷波器的冷却线路用于为冷却液提供返回通路。或者，可以用第一管冷却陷波器。在所有闭合环路设置中，都没有液体泄露到身体中，允许使用除盐之外的冷却液。射频陷波器可以包括并联的电容器和电感器。这样允许将频率陷波器调谐到窄频带。实质上，电容器和电感器形成陷波滤波器。沿着射频传输线路的长度周期性放置射频陷波器允许在具有变化射频电磁场的区域中使用射频消融导管。可以调谐射频陷波器， 使它们在射频陷波器的共振频率具有高阻抗，并防止射频电磁场在射频传输线路上诱发电流。射频陷波器通过在电容器和电感器中存储能量来阻断这个电流。这种存储的能量最终被转换为热，这就是使用冷却线路冷却射频陷波器的原因。冷却管既冷却顶端电极又冷却射频陷波器。在另一实施例中，电容器在冷却线路之内。这个实施例是有益的，因为电容器被冷却剂围绕，电容器也在冷却线路之内，进一步远离导管壁。导管壁是围绕冷却线路和射频传输线路的管或外壳。在另一实施例中，冷却线路具有外表面。电容器与外表面接触。使构成陷波器的电容器与冷却线路接触，以便从它们转移热。在另一实施例中，电感器包括线圈。线圈在所述冷却线路之内。将多个射频陷波器的每个的线圈放置在冷却线路之内。这是有利的，因为用于冷却顶端电极的流体能够冷却构成多个射频陷波器的线圈的每个。在另一实施例中，冷却线路具有外表面。电感器包括线圈。线圈缠绕在外表面周围。本实施例是有利的，因为线圈与冷却线路接触并能够用于高效率地冷却线路圈。通过这种方式，冷却了构成用于多个射频陷波器的每个的电感器的线圈。在另一实施例中，电容器是集总式电容器。这里使用的集总式电容器是用于形成电容器的电极和电介质层被折叠的电容器。用作电气装置的电气部件的电容器通常是集总式电容器。在另一实施例中，电容器是分布式电容器。这里使用的分布式电容器是电极和电介质层不折叠的电容器。分布式电容器的范例是两个平面电极，两者之间为电介质层。在另一实施例中，电容器包括电介质层。冷却线路形成电介质层。例如，冷却线路可以包括电介质层。可以在冷却线路彼此相对的内部和外部上放置电极。这样将形成电容
ο在另一实施例中，电容器包括第一电极。电容器还包括电介质层。电容器还包括第二电极。电介质层与第一电极和第二电极接触。第一电极的表面面积比第二电极的表面面积更大。第二电极与冷却线路接触。多个射频陷波器通过在电容器和电感器中存储能量而工作。结果，在第一电极和第二电极之间可以有大电场。使第二电极小于第一电极且使第二电极接触冷却线路，使得大电场指向远离导管壁。这样的好处是，当在受检者体内使用射频消融导管时，电容器的大电场将不会导致受检者体内发热。在另一实施例中，第一电极和第二电极的曲率与冷却线路的曲率匹配。本实施例是有利的，因为第二电极小于第一电极且与冷却线路接触。弯曲表面还将大电场指向冷却线路内部。这进一步减少了多个射频陷波器的大电场。在另一实施例中，射频线路包括传导管。传导管可以覆盖冷却线路的表面，或者传导管和冷却线路可以是同一部件。如果它们是独立部件，那么冷却线路可以是电介质管。射频陷波器包括传导管中的间隙。如果传导管和冷却线路是同一部件，那么传导管将覆盖电介质管的表面。电感器连接在传导管中间隙的两端，可以缠绕在电介质管周围。电容器包括第三电极。电容器还包括传导管。第三电极安装在电介质内部。射频线路是传导管。电感器可以由缠绕在间隙两端的电介质管内部或外部的电线线圈形成。如果线圈在电介质管内部，那么线圈可能需要穿过或围绕电介质管，以便接触传导管。也可以通过几种不同方式实现第三电极。第三电极可以包括位于冷却线路内部的两个独立子电极。子电极的每个均与传导管形成传导管中间隙任一侧上的电容器。然后可以将两个子电极电连接在一起。如果使用独立的冷却线路和传导管，将不需要钻孔形成电容器。或者，可以有通过冷却线路并附着到传导管一端的电连接。那么将有连接到第三电极的电线，然后第三电极连接到传导管内部。在另一实施例中，顶端电极包括温度传感器。本实施例尤其有利，因为温度传感器能够用于监测使用射频消融导管时顶端电极的温度。如果顶端电极发热超过预期，那么这可以是一个或多个射频陷波器失效的指示。这是因为，如果射频陷波器失效，那么可能在射频传输线路中诱发电流。在另一方面中，本发明提供了一种磁共振成像系统。该磁共振成像系统包括适于生成磁场的磁体，磁场用于对位于成像体积之内的受检者的原子核磁自旋进行取向。该磁共振成像系统还包括用于采集磁共振数据的射频系统。这里将磁共振数据定义为在操作磁共振成像系统的过程中采集的无线电信号的表示。例如，在磁共振成像系统工作期间，使用梯度场和射频场操纵和控制原子核磁自旋的取向。在磁自旋弛豫时，它们发射射频，能够使用天线检测射频并进行记录。来自磁自旋的这些无线电传输的记录即磁共振数据。能够利用傅里叶技术将磁共振数据变换成受检者成像体积的图像或可视化。射频系统包括射频收发器和射频线圈。要理解的是，射频收发器实际上可以是独立的发射器和独立的接收器。射频线圈也可以是独立的发射线圈和独立的接收线圈。该磁共振成像系统还包括用于对成像体积之内的原子核磁自旋进行空间编码的磁场梯度线圈。 该磁共振成像系统还包括用于向磁场梯度线圈供应电流的磁场梯度线圈电源。该磁共振成像系统还包括适于与受检者形成电连接的受检者电极。该磁共振成像系统还包括适于接收受检者的受检者支撑。受检者电极可以集成到受检者支撑中。该磁共振成像系统还包括用于产生第一频率下的射频功率的射频发生器。射频发生器连接到受检者电极。射频发生器适于连接到根据本发明实施例的射频消融导管。在将射频消融导管放置在受检者体内与受检者电极接触时，通过导管、受检者，然后通过受检者电极返回，形成完整的电路。该磁共振成像系统还包括计算机系统，适于从磁共振数据构造图像并控制磁共振成像系统的工作。计算机系统适于在射频发生器工作时生成受检者的磁共振图像。这种磁共振成像系统是有益的，因为能够使用磁共振图像引导医生或操作员使用射频消融导管。在另一实施例中，射频发生器适于生成测试频率下的射频功率。测试频率优选是多个射频陷波器所调谐到的频率。射频发生器适于以比第一频率更低的功率生成测试频率。射频发生器包括反射功率测量仪，用于测量测试频率的反射功率。射频发生器适于利用反射功率检测多个射频陷波器中的至少一个的故障。射频发生器还适于在检测到故障时用信号通知计算机系统。测量功率的一种方式是向射频发生器中并入网络分析器功能。或者，反射功率测量仪可以通过测量测试频率下的驻波比来工作。计算机系统还适于在射频发生器用信号通知计算机系统时减小射频收发器生成的射频功率。在射频发生器用信号通知计算机系统时也可以停止生成射频功率。在这一实施例中，使用测试频率来测试射频陷波器是否在工作。如果陷波器变为短路或开路，测试频率下的阻抗可以改变。如前所述，测试频率可以在射频陷波器所调谐到的频率。或者，测试频率也可以在不同频率，例如高于测试频率和第一频率的频率，或在介于第一频率和磁共振成像系统磁体中氢原子的拉莫尔频率之间的频率。如果射频陷波器失效，阻抗，因此测试频率的反射或发射的功率可能变化。在这里要理解，反射功率的测量结果相当于测试频率下发射功率的测量结果。这可以指示失效的射频陷波器。在另一实施例中，射频消融导管具有顶端电极，顶端电极包括温度传感器。射频发生器还适于利用温度传感器确定顶端电极的温度测量结果。计算机系统还适于从射频发生器接收温度测量结果。计算机系统还适于在温度测量结果高于预定安全阈值时减小射频收发器生成的射频功率。如果多个射频陷波器具有失效的陷波器，这可能在射频传输线路中诱发电流。这可能导致顶端电极发热。通过监测顶端电极的温度，看工作期间温度是否有异常升高，可以允许检测到失效的射频陷波器。在另一个实施例中，导管可以包括传感器，以测量冷却液的温度。也可以利用升高温度的冷却来检测射频陷波器的故障或磁共振系统与导管的其他强射频耦合，例如也是因为不正确地使用了磁共振成像系统或导管。此外，能够采用导管顶端测量的温度，例如冷却液的测得温度，来控制磁共振检查系统的各种RF功能。尤其是可以基于在导管顶端测量的温度准确地调节射频消融导管输送的射频功率。在另一方面中，能够基于在导管顶端测量的温度控制磁共振检查系统的RF 激励场的功率水平。于是，基于在导管顶端测量的温度控制在患者身体中/上沉积的SAR 水平。可以独立于传输线路中可切换陷波器故障的监测有利地采用基于在导管顶端测量的温度对磁共振检查系统RF功能的这种控制。
在下文中将仅通过举例，并参考附图描述本发明的优选实施例，在附图中图1图示了根据本发明实施例的射频消融导管的实施例；图2图示了根据本发明实施例的射频消融导管的另一实施例200 ；图3图示了一段冷却线路，具有根据本发明的射频陷波器的实施例；图4图示了一段冷却线路，具有根据本发明的射频陷波器的另一实施例；图5图示了一段冷却线路，具有根据本发明的射频陷波器的另一实施例；图6图示了一段冷却线路，具有根据本发明的射频陷波器的另一实施例；
图7图示了一段冷却线路，具有根据本发明的射频陷波器的另一实施例；图8图示了一段冷却线路，具有根据本发明的射频陷波器的另一实施例；图9图示了一段冷却线路，具有根据本发明的射频陷波器的另一实施例；图10图示了一段冷却线路，具有根据本发明的射频陷波器的另一实施例；图11示出了根据本发明实施例的磁共振成像系统的功能图；图12示出了根据本发明实施例的导管的一段冷却线路；图13示出了使用印刷电路板制造的传输线路的根据本发明的实施例；图14示出了在印刷电路板上构造的射频陷波器的根据本发明的实施例；图15示出了在印刷电路板上构造的射频陷波器的根据本发明的另一实施例；图16示出了在印刷电路板上构造的射频陷波器的根据本发明的另一实施例；图17示出了在印刷电路板上构造的射频陷波器的根据本发明的另一实施例；图18示出了利用多个印刷电路板制造的射频传输线路的根据本发明的实施例；图19示出了根据本发明实施例的一段冷却线路，具有带共轴扼流圈的传输线路；图20示出了根据本发明实施例的一段导管，具有带共轴扼流圈的传输线路1902 ；图21示出了具有共轴扼流圈的冷却线路的根据本发明的另一实施例；图22示出了导管的根据本发明的另一实施例；以及图23示出了根据本发明另一实施例的导管的截面图。附图标记列表100射频消融导管102导管壁104冷却线路106射频传输线路108射频传输线路的电极端110顶端电极112指示通往顶端电极的流体流的箭头114顶端电极中的通道116指示流体流流出顶端电极通道的箭头118射频陷波器120相邻射频陷波器之间的预定距离200射频消融导管202温度传感器204高阻抗线路210顶端电极212指示流体流流出顶端电极通道的箭头214顶端电极中的通道216导管壁形成的腔302等效电路304冷却线路306 线圈
308集总式电容器
310冷却线路中的孔
318射频陷波器
402等效电路
406线圈
408集总式电容器
418射频陷波器
502等效电路
506线圈
508分布式电容器
518射频陷波器
602等效电路
606线圈
618射频陷波器
700侧视图
702等效电路
704无冷却线路的底视图
706线圈
718射频陷波器
720第一电极
722第二电极
724电场线
800侧视图
802等效电路
804无冷却线路的底视图
806线圈
818射频陷波器
820第一电极
822第二电极
902等效电路
906线圈
918射频陷波器
924传导管
拟6第三电极
拟8第四电极
930电线
932传导管中的间隙
1002等效电路
1010 孔
1018射频陷波器10 第三电极1030 电线1100磁共振成像系统1102 磁体1104磁场梯度线圈1106磁场梯度电源1108射频线圈1110射频收发器1112 受检者1114 成像区1116受检者电极1118射频发生器1120射频消融导管1122 连接IlM顶端电极11 加热区11 计算机系统1130 硬件接口1132微处理器11；34 用户接口1136计算机存储设备1138计算机存储器1140计算机程序产品1142导管控制模块1144磁共振成像控制模块1146图像重建模块1148磁共振数据1150磁共振图像1200冷却线路1202传输线路1204射频陷波器1302传输线路1404射频陷波器1406 电容器1408 线圈1410印刷电路板1508 线圈1512印刷电路板相对侧上的电路板迹线
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1800印刷电路板1802 线圈1804电容电极1806电介质层1900冷却线路1902传输线路1904 外屏蔽1906 电介质1908外屏蔽和传输线路之间的连接1910 电容器1912通过冷却线路的流体流1914共轴扼流圈2000 导管壁2002多条传输线路2004 内屏蔽2008外屏蔽和内屏蔽之间的连接2102组合的传输线路和冷却线路2104 流体2108外屏蔽和传输线路之间的连接2200 内壁2202用于流体流的区域2204指示流体流的十字2206传输线路和射频陷波器的位置2208 内腔2300 导管壁2302冷却线路2304指示流体流的箭头2306传输线路2308 外屏蔽ぬ10射频陷波器2312电介质层
具体实施例方式这些附图中编号类似的元件是等价元件或执行相同功能。如果功能等价，先前论述过的元件未必会在后面的图中加以论述。图1图示了根据本发明实施例的射频消融导管100的实施例。射频消融导管100 具有导管壁102。在导管壁102之内是冷却线路104。导管壁102可以是管路。导管壁102 典型直径为2mm到3mm。在导管壁102末端是顶端电极。在图1中所示的实施例中，射频传输线路106被示为通过冷却线路104延伸。射频传输线路106具有连接到顶端电极110的电极末端108。顶端电极110处在导管壁102的末端。标记为112的箭头示出用于冷却顶端电极110的流体方向。在这ー实施例中，顶端电极110中有一个或多个通道114，允许流体离开顶端电极110。标记为116的箭头指示流体从顶端电极通道114流出。在典型的用法中，每小时使用一升流体，流体典型地是盐溶液。射频传输线路106还包括射频陷波器 118。射频陷波器118被示为分开预定距离120。将射频陷波器118调谐到特定的阻断频率。射频陷波器由并联的电感器和电容器构成。这样产生了所谓的陷波滤波器。预定距离 120常常小于射频消融导管所在介质中阻断频率下的电磁波波长。出于实际的目的，可用于计算波长的材料可以是水，因为射频消融导管典型地用于大部分由水构成的组织之内。通过将这些射频陷波器118以小于波长的距离放置，这样阻止了阻断频率下的外部电磁波在射频传输线路106上生成电流。可能有益的是在ー个波长之内放置几个射频陷波器118。 这是因为如果单个射频陷波器失效，那么仍然不能在射频传输线路106上诱发电流。在图1中所示的实施例中，射频传输线路106和射频陷波器118都被示为在冷却线路104之内。射频传输线路106可以在冷却线路104内部或外部。射频陷波器118也可以在冷却线路104内部或外部。如果射频陷波器118不在冷却线路104之内，那么构成射频陷波器118的部件优选与冷却线路104接触。图2示出了根据本发明实施例的射频消融导管200的另ー实施例。图2中所示射频消融导管200的设计非常类似于图1中所示射频消融导管100的设计。顶端电极210和顶端电极210的冷却方法的设计与图1所示不同。如图1所示，有连接到冷却线路104和射频传输线路106的顶端电极210。顶端电极210还具有通道214，用于冷却顶端电极210 的流体。不过，在这ー实施例中，流体不离开顶端电极210，而是返回由导管壁102形成的腔 216之内。标记为212的箭头指示流体流出顶端电极214的通道并通过导管壁102形成的腔216返回的方向。流体流出通道也可以通过额外线路。在这ー实施例中，顶端电极210之内还有温度传感器202。温度传感器202可用于监测顶端电极210在工作期间的温度。工作期间顶端电极210的异常高温可能指示ー个或多个射频陷波器118失效。高阻抗线路204连接到温度传感器202。可以利用诸如热电偶的温度传感器来实现温度传感器202。高阻抗线路204可以是具有充分高阻抗的线连接，使得不必提供阻抗以阻止高阻抗线路204上电流的生成。或者，温度传感器202可以连接到射频传输线路104。然后会为温度传感器202信号的读出单元装备AC阻断电路，以拒绝用于消融的射频电功率，但不拒绝用于温度感测的低频信号。图3图示了一段冷却线路304，具有根据本发明的射频陷波器318的实施例。还示出了等效电路302。等效电路302中的部件与射频陷波器318中的那些进行相同标记。冷却线路304外部是射频传输线路106。冷却线路304周围缠绕的线圈306形成射频陷波器 318的电感器。在冷却线路304之内是集总式电容器308。冷却线路中有孔310，以将集总式电容器308连接到射频传输线路106。图4图示了类似于图3所示的射频陷波器418的另ー实施例。图4还具有等效电路图402，以与针对所述一段冷却线路304所示相同的方式标记部件。示出了一段冷却线路 304。在这ー实施例中，射频传输线路106连接到位于冷却线路304内部的线圈406。与线圈406并联的是集总式电容器或电容408。在这ー实施例中，线圈406和集总式电容器408 都位于冷却线路304之内。
图5图示了射频陷波器518的另ー实施例。还有标注了部件的等效电路502。在这ー实施例中，冷却线路304外部有射频传输线路106。缠绕冷却线路304的是线圈506。 冷却线路304内部是分布式电容器508。冷却线路有孔310，允许射频传输线路106和分布式电容器508之间的电连接。在本范例中，分布式电容器508被示为两个电极，它们之间为电介质。本实施例的优点是分布式电容器508具有非常大的表面面积。这有助于分布式电容器508的冷却。图6示出了射频陷波器618的另ー实施例。在本图中，有等效电路602，其示出了射频陷波器618的部件。在这ー实施例中，有冷却线路304。冷却线路内部是射频传输线路 106。线圈606和分布式电容器608都在冷却线路之内。在图3和图5所示的实施例中，导致局部高电场E的电容器(集总式或分布式) 和所有传导部分都完全浸渍在冷却液内部。这样完全排除了高场强进入患者组织。通过冷却液管的恒定流动通过利用液体对流分布热量有效地“模糊”了危险的局部比吸收量(SAR) 热点或甚至在闭合灌溉方式的情况下从系统完全去除热量。图4和图6描绘了图3和5的实施例变型。在这些实施例中，在冷却管内部安排(route)射频传输线路106，这进ー步减小了组件的总体外形。在射频陷波器或消融线缆的部分安排在冷却管内部的所有实施例中，优选向这样的部分施加生物相容的隔离涂层，以实现生物相容性并防止射频电流从这样的部分泄露到冷却液中，这会导致对冷却管内部冷却液的寄生射频加热较少。图7示出了射频陷波器718的另ー实施例。示出了侧视图700、等效电路图702和底视图704。底视图704未示出冷却线路104。射频传输线路106被示为在冷却线路104外部。线圈106缠绕在冷却线路104周围。第一电极720和第二电极722形成电容器。第一电极720的表面面积比第二电极722更大。此外，第二电极722与冷却线路104相邻。在这ー实施例中，第一电极720被用作针对电场线724的屏蔽。射频陷波器718可以存储大量的电磁能。将第一电极720用作屏蔽改善了射频陷波器718的安全性。或者，射频传输线路106和/或线圈706和/或第一电极720和/或第二电极722可以位于冷却线路104 之内。图8示出了与图7所示类似的实施例。在图8中，示出了具有射频陷波器118的一段冷却线路104的侧视图。视图802示出了具有标记部件的等效电路。视图804示出了视图800的底视图，但未示出冷却线路104。示出了位于冷却线路104外部的射频传输线路106。线圈806缠绕在冷却线路104周围。与线圈806并联的是由第一电极820和第二电极822形成的电容器。在这ー实施例中，第一电极820和第二电极822被示为具有与冷却线路104匹配的曲率。图中所示的实际曲率被夸大，以使得它们更可见。如图7中所示的实施例那样，射频传输线路106和/或线圈806和/或第一电极820和/或第二电极822 可以位于冷却线路104内部。图9图示了根据本发明实施例的射频陷波器918。还示出了等效电路902，在这幅等效电路图902中也标记了部件。在图9中，示出了冷却线路304。冷却线路304可以包括电介质。在这ー实施例中，射频传输线路是传导管924。在传导管924中的间隙932周围形成射频陷波器918。在两段传导管拟4之间是形成射频陷波器918的电感器的线圈906。 电容器由第三电极拟6和第四电极拟8形成。这些电极安装在冷却线路304内部。第三电极拟6和第四电极拟8安装在传导管924中的间隙932的相对端上。第三电极拟6和第四电极928电容性耦合到传导管924的一段。第三电极拟6和第四电极928由电线930或某种其他导体连接。第三电极拟6和第四电极928也可以安装在传导管拟4外部。不过，有利的是使第三电极拟6和第四电极拟8在冷却线路304之内。这是因为传导管拟4屏蔽可能处于第三电极拟6或第四电极拟8边缘周围的任何高电场。图10示出了与图9所示类似的实施例。图10示出了根据本发明实施例的射频陷波器918的实施例。还示出了等效电路1002。在等效电路图1002上还标记了部件。在图 10中，示出了冷却线路304。射频传输线路是传导管924。如图9中的实施例那样，在传导管拟4中有间隙932，在间隙中形成射频陷波器1018。线圈1006电连接间隙932的两个末端。这个线圈1006形成射频陷波器1018的电感器。在这ー实施例中，第三电极10 位于冷却线路304内部，在间隙932 —端处的传导管拟4下方。第三电极10 电容性耦合到一段传导管924。电线1030然后将第三电极10 连接到间隙932的另一端处的传导管924。 电线1030通过冷却线路304中的孔1010连接到传导管924。在图9和图10中所示的实施例中，并非像标准消融导管中通常做的那样使用独立的射频传输线路和额外的冷却线路304，而是传导管924既充当RF消融线路又充当冷却液源。冷却线路304和传导管拟4可以是相同部件。在这种情况下，在电极926、928、10观和传导管拟4之间可以安装一段非传导或电介质管，其跨过射频陷波器918、1018的传导管 924中的间隙932延伸。或者，可以有处于传导管924内部的独立冷却管。对于使用一段非传导管的实施例，将射频陷波器的线圈906、1006缠绕到非传导接合管。在图9中，为这个结合管在其内壁上装备两个有电线930连接的电极926、928，位于管末端的相邻处。传导管拟4提供与形成分布式电容器的那些内部板的一些电容性交叠。具有两个这种分布式电容器的对称实施例是可能的，仅在陷波器一端具有单个电容器的不对称形式也是可能的。由特殊的微型共轴射频陷波器抑制磁共振系统的入射射频场在这个传导管上诱发的共模电流，设计该射频陷波器，使得几乎没有电场泄露到导管外部，尤其是不泄露到相邻组织中。于是，最终将发热限制在陷波器之内。由于这种陷波器设计与传导冷却管的结合的热耦合高，所以可以高效率地散发和分布陷波器热量。于是，完全消除了局部热点，并且消融线路变得射频安全。在替代实施例中，也能够设计这样的射频陷波器以直接集成到常规消融线缆中。 该设计再次将电场限制在陷波器之内，而不会泄露到相邻组织中，从而避免了直接组织加热。然后将浇灌顶端导管的标准塑料冷却管用作电感线圈元件的支撑并用于冷却射频陷波
ο在图11中，图示了根据本发明的磁共振成像系统的实施例。磁共振成像系统1100 具有磁体1102。磁体1102可以是超导磁体、永磁体、电磁体或前述三种任何磁体的組合，用于生成磁场，以使成像体积1114之内受检者1112的原子核自旋对齐。在磁体膛内部，还有一組磁场梯度线圈。术语磁场梯度线圈是指用于对成像体积之内原子核的磁自旋进行空间编码的ー个或若干线圈。磁场梯度线圈1104连接到磁场梯度线圈电源1106。磁体膛之内还有射频线圈1108，其连接到射频收发器1110。射频线圈1108和射频收发器1110形成用于采集磁共振数据的射频系统。图中还示出了射频消融导管1120。 在射频消融导管1120和射频发生器1118之间为连接1122。射频发生器1118也被示为连接到受检者电极1116。受检者电极1116形成受检者1112和射频发生器1118之间的电连接。在这ー实施例中，受检者电极1116还充当受检者支撑。在射频消融导管1120的末端示出了顶端电极11对。在射频发生器1118为射频导管1120供应射频功率吋，对受检者1112 之内的加热区1126加热。射频收发器1110、磁场梯度电源1106和射频发生器1118全部连接到计算机系统 11 的硬件接ロ 1130。计算机系统11 还包括用于执行机器可执行指令的微处理器1132。 微处理器连接到计算机存储设备1136。计算机存储设备是适于存储机器可执行指令或机器可读数据的存储设备。计算机存储设备的范例不限于硬盘驱动器、软盘、闪速存储器或其他存储介质。微处理器1132还连接到用户接ロ 1134且能够向用户接ロ 1134发送指令。用户接ロ 1134包括用于从操作员接收输入数据的，还用于为操作员显示信息或图形的部件。 例如，用户接ロ可以包括键盘和鼠标。用户接ロ 1134还可以包括用于显示信息和图形的计算机显示器。用户接ロ可以包括显示器1134，用于显示医生或操作员在受检者1112体内引导射频消融导管1120时使用的磁共振图像和普通图像。计算机系统11 还包括计算机存储器1138。计算机存储器包含供微处理器1132使用的机器可读数据和机器可执行指令。存储器1138内存储的是计算机程序产品1140。计算机程序产品包括导管控制模块1142。导管控制模块1142包括机器可执行指令，其允许微处理器1132控制射频发生器1118的功能。导管控制模块1142也可以控制专用指令，用于控制射频消融导管1120的操作并确保其安全性。例如，如果顶端电极IlM具有温度传感器，导管控制模块1142可以包含专用的机器可执行指令，该指令确定顶端电极IlM是否因为采集磁共振成像数据在射频传输线路中诱发的电流而变得异常温暖。例如，在引导射频消融导管期间，在未执行消融时，采集磁共振成像数据可能导致顶端电极发热。其次，在使用射频消融导管消融组织期间，采集磁共振成像数据可能在射频传输线路中诱发电流，导致额外的顶端电极IlM发热。如果这两种情况的任一种情况下顶端电极IlM的这种额外发热超过预定安全阈值，可以停止磁共振成像。类似地，如果射频发生器1118包含反射功率測量仪，用于测量注射到射频消融导管1120中的测试频率的反射功率，则在导管控制模块1142之内可以有专用代码，允许微处理器1132确定是否有射频消融导管1120的失效。该计算机程序产品还包括磁共振成像控制模块1144，用于控制磁共振成像系统1100的功能。该计算机程序产品1140还包括图像重建模块1146。图像重建模块1146包含机器可执行指令，用于将磁共振数据重建成磁共振图像。在实践中，射频发生器1118典型地生成大致500kHz下的射频功率，以在受检者体内顶端电极的加热区126中产生消融。射频陷波器的频率取决于磁场的强度和正测量的原子自旋类型。例如，在1.5特斯拉的场中，氢原子的原子核共振频率大约为64MHz。拉莫尔频率和用于消融的频率之间的大频率差异允许射频陷波器在拉莫尔频率下进行有效滤波， 而不会有在用于产生消融的频率下的大的衰减。图12示出了根据本发明实施例的一段冷却线路1200。在冷却线路1200之内是传输线路1202。传输线路1202连接到射频陷波器1204。在这ー实施例中，射频陷波器1204 和传输线路1202都位于冷却线路1200之内。通过位于冷却线路1200之内，能够通过迫使流体通过冷却线路1200来冷却射频陷波器1204。在本范例中，在印刷电路板上构造射频陷波器1204。
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图13示出了使用印刷电路板制造的根据本发明实施例的传输线路实施例。该图中还示出了一段冷却线路1200。并非让传输线路连接到个体射频陷波器，而是传输线路 1302和射频陷波器都一起连接在同一件印刷电路板上。印刷电路板足够薄，从而它是柔性且可弯曲的。在使用期间，在操纵导管吋，印刷电路板能够在导管之内扭曲和弯折，允许导
管的一整套运动。图14示出了在印刷电路板1410上构造的射频陷波器的实施例。与印刷电路板 1410的表面上图案化的线圈1408并联的有电容器1406。在本范例中，在印刷电路板1410 的单侧上构造射频陷波器1404。图15示出了在印刷电路板1410上构造的射频陷波器1504的替代实施例。电容器1406再次被示为与线圈1508并联。在这ー实施例中，线圈1508具有超过ー匝。为了连接电容器1406和线圈1508，使用印刷电路板1410相对侧上的迹线1512。图16示出了在印刷电路板1410上构造的射频陷波器1604的替代实施例。电容器1406再次被示为与线圈1608并联。线圈1608形成于印刷电路板1410的两层上。线圈 1608的该段与电容器1406形成于印刷电路板相同的ー侧上。虚线1612指示印刷电路板 1410相对侧上形成的线圈段。形成在印刷电路板相对侧上的一部分允许将线圈1608形成更大匝数。图17示出了在印刷电路板1410上形成的射频陷波器的替代实施例1704。在这ー 实施例中，在印刷电路板1410的ー侧上形成线圈1708。并非使用分立的电容器，而是在印刷电路板1410的相对侧上形成电容电扱。印刷电路板1410形成电容器的电介质。标记为 1714的电极形成电容器的一个电极，虚线1716表示在印刷电路板1410相对侧上形成的电扱。在图17中所示的实施例中，电容器和线圈1708都形成于印刷电路板1410上。图18示出了一段冷却线路1200，具有印刷电路板传输线路的替代实施例。传输线路由个体印刷电路板1800的各段形成。示出了印刷电路板之一的详细视图。每个印刷电路板1800都具有形成于印刷电路板表面上的线圈1802或电感器。此外，每个印刷电路板都具有电极1804，电极1804也形成于印刷电路板1800的表面上。然后通过在两个印刷电路板1800之间放置电介质层1806而形成电容器。能够通过调整两个相邻电容电极1804 之间的交叠量来调整射频陷波器的共振频率。将印刷电路板1800的各段连接在一起以形成用于导管的传输线路。有通孔接触1808用于形成相邻印刷电路板1800之间的电接触。图19示出了具有传输线路1902的一段冷却线路1900，其具有共轴扼流圈1914。 传输线路1902位于冷却线路1900之内。箭头1912指示通过冷却线路1900的流体流。通过使共轴外屏蔽1904围绕传输线路1902来形成共轴扼流圈1914。在外屏蔽1904和传输线路1902之间有电介质材料1906。将外屏蔽分成几段。在一端，在外屏蔽1904和传输线路 1902之间有连接1908。外屏蔽1904的另一端不连接到传输线路1902，或通过电容器1910 连接。在外屏蔽1904的长度小于入射电磁辐射的四分之一波长时，则在传输线路1902中诱发的电流将非常小或没有诱发电流。在这ー实施例中，由流经冷却线路1900的流体1912 冷却外屏蔽1904。图20示出了根据本发明实施例的一段导管200。在导管之内是一段冷却线路 1900。箭头1912指示通过冷却线路1900的流体流。在冷却线路1900之内是传输线路的实施例。在这ー实施例中，有多条传输线路2002。由共轴扼流圈1914保护多条传输线路2002以免受周围电磁场影响。在本范例中，共轴扼流圈1914包括外屏蔽1904和内屏蔽 2004。内屏蔽2004是多条传输线路2002延伸通过的管路。围绕内屏蔽2004的是电介质层1906。围绕电介质层1906的是外屏蔽1904。外屏蔽1904在标记为2008的点处连接到内屏蔽2004。这是形成外屏蔽1904和内屏蔽2004之间的连接的地方。外屏蔽的另一端不连接到内屏蔽2004，或通过电容器1910连接到内屏蔽。在这样的导管2000中，周期性地重复共轴扼流圈1914的结构。由通过冷却线路1900的流体流1912冷却共轴扼流圈1914的外屏蔽1904。图21示出了具有共轴扼流圈的一段冷却线路2102的另ー实施例。在本实施例中，组合传输线路和冷却线路2102。流体2104流动1912经过传输线路2102。在这ー实施例中，传输线路2102是空心管。如图19和20中所示的实施例那样，共轴扼流圈1914是由围绕内部导体的外屏蔽1904形成的，在这种情况下，内部导体是传输线路2102。在这ー实施例中，沿着传输线路2102的长度周期性地重复共轴扼流圈1914的结构。外屏蔽1904的一端在标记为2108的点处连接到传输线路2102。外屏蔽1904的另一端不连接到传输线路2102，或通过电容器1910连接到传输线路。外屏蔽1904和传输线路2102之间的空间可以填充电介质材料1906，或者可以是空气隙。在这ー实施例中，由流体2104冷却传输线路 2102。图22示出了根据本发明实施例的导管的替代实施例。图22示出了导管的截面图。 示出了导管的外壁2000。在这ー实施例中，有内壁2200。在导管的壁2000和内壁2200之间是用于流体流的区域2202。冷却线路是内壁2200和导管壁2000之间的区域。标记为 2204的箭头指示通过冷却线路的流体流。导管在内壁2200之内具有内腔2208。标记为 2206的圆指示传输线路和关联的射频陷波器的可能位置。在这ー实施例中，冷却导管2000 的外売，从而在来自射频陷波器的任何热量到达患者之前将其带走。传输线路和射频陷波器可以是先前所述的任何形式。图23示出了根据本发明的导管的另ー实施例的一短段的截面图。示出了导管壁 2300。在导管壁2300之内是一段冷却线路2302。箭头2304指示冷却线路2302之内的流体流。在本图所示的实施例中，有由各段外屏蔽2308屏蔽的传输线路2306。由射频陷波器2310将各段外屏蔽2308连接在一起。由电介质层2312或诸如空气的其他材料将外屏蔽2308与传输线路2306隔离。
权利要求
1.一种导管，包括-传输线路(104，106，924，1202，1302，1902，2306)，其中，所述传输线路包括多个射频陷波器(118,318,418,518,618,718,818,918,1018,1202,1404,2310)；以及-冷却线路(104，304，1200，1900)，其用于利用流体冷却所述多个射频陷波器。
2.根据权利要求1所述的导管，其中，所述导管为射频消融导管，其中，所述传输线路是射频传输线路，其中，所述导管还包括电极(110，210，1124)；其中，所述冷却线路适于向所述电极输送所述流体；其中，所述传输线路包括连接端和电极端(108)；其中，所述连接端适于连接到射频发生器(1118)；且其中，所述电极端连接到所述电极。
3.根据权利要求2所述的导管，其中，所述电极包括温度传感器002)。
4.根据权利要求1、2或3所述的导管，其中，所述多个射频陷波器都包括共轴扼流圈 (1914)；其中，所述共轴扼流圈的每个沿所述频率传输线路最大都短于预定距离。
5.根据权利要求1、2或3所述的导管，其中，所述传输线路包括外屏蔽电极，其中，所述外屏蔽电极包括沿所述传输线路最大分开预定距离的多个段(2308)，其中，由所述多个射频陷波器O310)电连接所述段。
6.根据权利要求1、2或3所述的导管，其中，所述多个射频陷波器的每个均包括并联的电容器(308，408，508，608，720，722，820，822，926，928，924，1028，1406，1804，1806)和电感器(306，406，506，606，706，806，906，1006，1408，1508，1802)；且其中，所述射频陷波器沿所述传输线路最大分开预定距离(120)。
7.根据权利要求6所述的射频导管，其中，所述电容器在所述冷却线路之内。
8.根据权利要求6或7所述的射频导管，其中，所述电感器包括线圈；且其中，所述线圈在所述冷却线路之内。
9.根据权利要求8所述的导管，其中，所述多个射频陷波器的每个均包括印刷电路板 (1204，1410，1800)，其中，所述电感器(1408，1508，1608，1612，1708，1802)形成于所述印刷电路板上。
10.根据权利要求8所述的导管，其中，所述传输线路(1302)形成于印刷电路板上，其中，所述电感器形成于所述印刷电路板上。
11.根据权利要求6所述的导管，其中，所述电容器为分布式电容器(508，608，720， 722,820,822,926,928,924,1028)；其中，所述电容器包括第一电极(720,820)；其中，所述电容器还包括电介质层；其中，所述电容器还包括第二电极(722，822)；其中，所述电介质层与所述第一电极和所述第二电极接触；其中，所述第一电极的表面面积大于所述第二电极的表面面积；且其中，所述第二电极与所述冷却线路接触。
12.根据权利要求6所述的导管，其中，所述射频线路包括传导管(拟4)；其中，所述传导管覆盖电介质管(304)的表面；其中，所述射频陷波器包括所述传导管中的间隙(932)； 其中，所述电介质管至少跨越所述传导管中的所述间隙；其中，所述电感器连接于所述传导管中所述间隙的两端；其中，所述电容器包括第三电极(拟6，1028)；其中，所述电容器还包括所述传导管；其中，所述电容器还包括所述电介质管(304)；且其中，所述第三电极安装在所述电介质管内部。
13.一种磁共振成像系统(1100)，包括-磁体(1102)，其适于生成磁场，所述磁场用于对位于成像体积(1114)之内的受检者(1112)的原子核的磁自旋进行定向；-射频系统(1108，1110)，其用于采集磁共振数据，其中，所述射频系统包括射频收发器(1110)和射频线圈(1108)；-磁场梯度线圈(1104)，其用于对所述成像体积之内的原子核的磁自旋进行空间编码；-磁场梯度线圈电源(1106)，其用于向所述磁场梯度线圈供应电流； -受检者电极(1116)，其适于形成与所述受检者的电连接；-射频发生器(1118)，其用于产生第一频率下的射频功率，其中，所述射频发生器连接到所述受检者电极，且其中，所述射频发生器适于连接到根据前述权利要求中的任一项所述的导管(1120)；以及-计算机系统(11 )，其适于从磁共振成像数据(1148)构造图像并控制所述磁共振成像系统的工作，其中，所述计算机系统适于在所述射频发生器工作时生成所述受检者的磁共振图像(1150)。
14.根据权利要求13所述的磁共振成像系统，其中，所述射频发生器适于生成测试频率下的射频功率；其中，所述射频发生器适于以比所述第一频率更低的功率生成所述测试频率；其中，所述射频发生器包括反射功率测量仪，所述反射功率测量仪用于测量所述测试频率下的反射功率；其中，所述射频发生器适于利用所述反射功率检测所述多个射频陷波器中的至少一个的故障；其中，所述射频发生器还适于在检测到所述故障时用信号通知所述计算机系统；且其中，所述计算机系统还适于在所述射频发生器用信号通知所述计算机系统时减少由所述射频收发器生成的射频功率。
15.根据权利要求13或14所述的磁共振成像系统，其中，所述导管是根据权利要求3 所述的导管，其中，所述射频发生器还适于连接到所述温度传感器；其中，所述射频发生器还适于利用所述温度传感器确定所述电极的温度测量结果；其中，所述计算机系统还适于从所述射频发生器接收所述温度测量结果；且其中，所述计算机系统还适于在所述温度测量结果高于预定安全阈值时减少由所述射频收发器生成的射频功率。
全文摘要
一种导管，包括传输线路(104，106，924，1202，1302，1902)，其中所述传输线路包括多个射频陷波器(118，318，418，518，618，718，818，918，1018，1202，1404)；以及冷却线路(104，304，1200，1900)，其用于利用流体冷却所述多个射频陷波器。
文档编号G01R33/28GK102596081SQ201080049410
公开日2012年7月18日 申请日期2010年10月25日 优先权日2009年11月2日
发明者S·克吕格, S·魏斯 申请人:皇家飞利浦电子股份有限公司