一种在微流控孔道中沉积纳米金的方法与流程

技术特征：

1.一种在微流控孔道中沉积纳米金的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1将PDMS单体和引发体按10:1的质量比制备成微流控芯片；

S2ITO玻璃经臭氧清洗，使其表面附带大量负电荷；

S3将经过臭氧处理后的ITO玻璃放入PDDA溶液中与PSS组装，制备出带有(PDDA/PSS)_n多层自组装膜的ITO玻璃；

S4在匀胶机中将光刻胶均匀地铺在S3处理过ITO玻璃上，将微流控芯片与ITO玻璃封接在一起；

S5采用三电极体系，将KAuCl₄和H₂SO₄的混合液注入微流控通道中，采用计时电流法进行纳米金沉积。

2.根据权利要求1所述的一种在微流控孔道中沉积纳米金的方法，其特征在于，所述步骤S2中，先用无水乙醇超声清洗ITO玻璃，再置于紫外臭氧清洗机中。

3.根据权利要求1所述的一种在微流控孔道中沉积纳米金的方法，其特征在于，所述步骤S3中，PDDA溶液浓度为1～10mg/mL。

4.根据权利要求1所述的一种在微流控孔道中沉积纳米金的方法，其特征在于，所述步骤S5中三电极体系为：将表面带有(PDDA/PSS)_n静电自组装膜的ITO玻璃作为工作电极，铂片电极为对电极，Ag/AgCl电极为参比电极。

5.根据权利要求1所述的一种在微流控孔道中沉积纳米金的方法，其特征在于，所述步骤S5中计时电流法中固定沉积电压为1～-1000mV，时间为1～3600s。

6.根据权利要求1所述的一种在微流控孔道中沉积纳米金的方法，其特征在于，所述步骤S5中，KAuCl₄浓度为0.0001～1mol/L，H₂SO₄浓度为0.0001～1mol/L。