技术总结
本发明公开了一种基于相场模型利用激光控制硅基表面形态的研究方法，按如下步骤进行：一、在原子力显微镜下，采用硅夹具将微纳结构的硅基板夹住；二、用激光对硅基板的悬空端照射数秒，观察硅基板的硅基表面形态并测量相对应的尺寸；三、在相场模型下模拟基于激光照射下的硅原子扩散行为和纳米结构硅基表面形态的演变过程。
技术研发人员：张俐楠;程从秀;吴立群;郑伟;王洪成
受保护的技术使用者：杭州电子科技大学
文档号码：201710015449
技术研发日：2017.01.10
技术公布日：2017.05.31