专利名称：一种硅棒表面处理方法
一种硅棒表面处理方法技术领域：
本发明涉及硅棒表面处理技术领域，尤其是涉及一种能够提高硅片切割良率的硅棒表面处理方法。背景技术：
公知的，在太阳能行业中，硅棒开方后会产生损伤层，在切片过程中或者脱胶时损伤层处的硅粒容易脱落或粘到胶层上，从而造成崩边，这不但会导致切出的硅片不能被正常应用，而且还严重到影响切片质量，给生产制造方增加了经济负担；鉴于硅棒损伤层的深浅与切出的硅片边缘质量的好坏有着密不可分的联系，因此，太阳能行业中均采用相应的硅棒表面处理技术来减少硅棒开方后所产生的损伤层，从而以尽可能多的获取合格的硅片； 目前，硅棒表面的处理办法主要分为物理法和化学法两种物理法就是使用一定目数的磨轮，一般选用300目 750目之间的磨轮来对硅棒表面进行磨削打平；这种方法虽然能够有效去除硅棒开方后产生的线痕，获得到整体平整度在300um以内的硅棒表面，但是却容易产生深度在20um 30um之间的损伤层，且磨头在硅棒表面留下的圆弧状划痕很难彻底清除；化学法则是把硅棒放置在能够与硅反应的HF或浓H2S04等高强酸中，使硅棒表面与酸发生反应，并利用硅棒表面损伤层硅结构和晶体硅反应速度的差异来去除损伤层；化学法虽然能够将娃棒表面的损伤层控制在IOum以内，但是却易于在娃棒表面产生高低不平的腐蚀坑，使硅棒表面的整体平整度较差，从而不但不利于后续的粘棒操作，而且还导致切出的硅片边缘存在有明显的凸凹感，同时，高强酸的高腐蚀性和强酸性在一定程度上也限制了这种化学处理法在工业生产领域中的广泛应用；
综上所述，目前还没有一种即能有效控制硅棒表面损伤层的深度，又能获得平整度较高的硅棒表面处理方法。
发明内容
为了克服背景技术中的不足，本发明公开一种硅棒表面处理方法，所述的方法即能有效控制硅棒表面损伤层的深度，又能获得平整度较高的硅棒表面。为实现上述发明目的，本发明采用如下技术方案
一种硅棒表面处理方法，所述的方法为使用I. 5 4. 5kg压力的气压喷枪将800 1500目的微粒物质由30 75度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为15 45分钟；所述微粒物质的硬度大于硅的硬度。所述的硅棒表面处理方法，所述的方法为使用2. 5kg压力的气压喷枪将800目的碳化硅微粒由40度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为20分钟。所述的娃棒表面处理方法,所述的方法为使用2. 5kg压力的气压喷枪将1200目的碳化硅微粒由50度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为20分钟。所述的娃棒表面处理方法,所述的方法为使用3. 5kg压力的气压喷枪将1200目的碳化硅微粒由70度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为30分钟。所述的娃棒表面处理方法,所述的方法为使用4kg压力的气压喷枪将1500目的金刚砂微粒由50度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为35分钟。
所述的硅棒表面处理方法，先将需要处理的硅棒稳定的放置在一上部连通抽风装置，且在一侧器壁上部设有开口的防护容器内，再将能够喷射微粒物质的气压喷枪的喷嘴由防护容器的开口对准硅棒的表面进行喷射；喷射过程中利用打开的抽风装置将喷射出的微粒物质进行收集以备再次利用。所述的娃棒表面处理方法,所述的防护容器尺寸为300mmX 120mmX 100mm。所述的硅棒表面处理方法，所述方法中使用的微粒物质为碳化硅或金刚砂。所述的硅棒表面处理方法，所述的气压喷枪工作时是通过注入喷枪后部的气压将注入喷枪中部的微粒物质由喷枪的喷嘴喷射而出。由于采用如上所述的技术方案，本发明具有如下有益效果
本发明所述的硅棒表面处理方法不但能够有效控制硅棒表面损伤层的深度，而且还能获得平整度较闻的娃棒表面，从而有效的减少了娃片崩边的现象，提闻了娃片的切割良率。具体实施方式
通过下面的实施例可以更详细的解释本发明，公开本发明的目的旨在保护本发明范围内的一切变化和改进，本发明并不局限于下面的实施例；
实施例一使用2. 5kg压力的气压喷枪将800目的碳化硅微粒由40度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为20分钟；
实施例二 使用2. 5kg压力的气压喷枪将1200目的碳化硅微粒由50度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为20分钟；
实施例三使用3. 5kg压力的气压喷枪将1200目的碳化硅微粒由70度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为30分钟；
实施例四使用4kg压力的气压喷枪将1500目的金刚砂微粒由50度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为35分钟；
综上所述，所述的硅棒表面处理方法就是使用I. 5 4. 5kg压力的气压喷枪将800 1500目的微粒物质由30 75度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为15 45分钟，即所述的方法是通过高速流动的微粒物质气流磨擦硅棒表面来达到使硅棒表面平整的目的，由于娃棒表面的损伤层较为疏松，其结构易于在微粒物质气流的摩擦下破碎，而娃棒本身的晶体硅结构却较为紧凑，所以很难受到微粒物质气流的磨擦影响，因此，所述的方法能够将硅棒表面的损伤层控制在IOum以下，而且还不会破坏到硅棒的表面平整度；此外，在所述方法中使用的微粒物质为硬度大于硅的硬度的碳化硅或金刚砂；
根据需要，在实施所述的方法时，能够先将需要处理的硅棒稳定的放置在一个上部连通抽风装置，且在一侧器壁上部设有开口的防护容器内，再将能够喷射微粒物质的气压喷枪的喷嘴由防护容器的开口以相应角度对准硅棒的表面进行喷射；为便于放置硅棒，所述的防护容器尺寸能够设为300mmX 120mmX IOOmm ;防护容器的主要目的是能够确保将喷出的微粒物质限制在容器中，且能够通过抽风装置对微粒物质进行收集后再利用；所述方法中使用的气压喷枪的工作原理是通过注入喷枪枪管后部的气压将注入喷枪枪管中部的微粒物质由喷枪枪管的喷嘴喷射而出。经多次实验得知，切割经所述方法处理过的硅棒，能够使硅片的切割良率提高 0.91 2. 16%，使切割出的硅片的崩边比率下降0. 51 I. 8%;以年产硅片750万片计算， 采用本发明所述的方法能够每年为生产企业增加盈利185万元 342万元。
本发明未详述部分为现有技术，故本发明未对其进行详述。
权利要求
1.一种硅棒表面处理方法，其特征是所述的方法为使用I. 5 4. 5kg压力的气压喷枪将800 1500目的微粒物质由30 75度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为15 45分钟；所述微粒物质的硬度大于硅的硬度。
2.根据权利要求I所述的硅棒表面处理方法，其特征是所述的方法为使用2.5kg压力的气压喷枪将800目的碳化硅微粒由40度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为20分钟。
3.根据权利要求I所述的硅棒表面处理方法，其特征是所述的方法为使用2.5kg 压力的气压喷枪将1200目的碳化硅微粒由50度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为20 分钟。
4.根据权利要求I所述的硅棒表面处理方法，其特征是所述的方法为使用3.5kg压力的气压喷枪将1200目的碳化硅微粒由70度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为30分钟。
5.根据权利要求I所述的硅棒表面处理方法，其特征是所述的方法为使用4kg压力的气压喷枪将1500目的金刚砂微粒由50度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为35分钟。
6.根据权利要求I 5任一所述的娃棒表面处理方法,其特征是先将需要处理的娃棒稳定的放置在一上部连通抽吸装置，且一侧器壁上部设有开口的防护容器内，再将能够喷射微粒物质的气压喷枪的喷嘴由防护容器的开口对准硅棒的表面进行喷射；喷射过程中通过打开的抽吸装置将喷射出的微粒物质进行收集以备再次利用。
7.根据权利要求6所述的硅棒表面处理方法，其特征是所述的防护容器尺寸为 300mmX 120mmX IOOmm0
8.根据权利要求I或6所述的硅棒表面处理方法，其特征是所述方法中使用的微粒物质为碳化硅或金刚砂。
9.根据权利要求I 5任一所述的硅棒表面处理方法，其特征是所述的气压喷枪工作时是通过注入喷枪后部的气压将注入喷枪中部的微粒物质由喷枪的喷嘴喷射而出。
全文摘要
一种涉及硅棒表面处理技术的硅棒表面处理方法，所述的方法为使用1.5～4.5kg压力的气压喷枪将800～1500目的微粒物质由30～75度角均匀的喷射到硅棒表面，喷射时间为15～45分钟；采用所述的方法即能有效控制硅棒表面损伤层的深度，又能获得平整度较高的硅棒表面。
文档编号B24C1/00GK102581771SQ20121004228
公开日2012年7月18日 申请日期2012年2月23日 优先权日2012年2月23日
发明者刘永生, 吴剑枢, 姚小威, 张杨, 张泰运, 王党卫, 高晓舵 申请人:上海超日(洛阳)太阳能有限公司