本发明涉及发光材料技术领域，尤其涉及一种发光材料的检测方法。
背景技术：
当今的发光材料和激光材料的研究，在国民经济及国家安全的实际应用中，占主导和最重要地位。在进入新世纪后，稀土发光材料科学和技术成为今后占主导地位的平板显示，第四代新照明光源，现代医疗电子设备，更先进的光纤通信等高新技术的发展和创新可靠的依据和保证。LED半导体发光二极管(LED)具有发光效率高、节能、无污染、寿命长、体积小、质量轻等优点，是最被看好的新一代固态照明产品，在照明市场具有很大的发展潜力。发光材料可应用于LED半导体发光二极管中。
但是，对于新研制发光材料的表征和检测分析还存在一定的困难。
技术实现要素：
本发明主要针对上述技术问题，提出一种发光材料的检测方法，能够减小发光材料检测误差、排除实验干扰，提高实验效率，为发光材料的成分、发光性能的分析提供可靠的依据。
本发明提供了一种发光材料的检测方法，包括：
(1)取待测的发光材料，进行研磨；
(2)对发光材料进行XRD检测：将研磨后的发光材料置于XRD检测仪中进行检测，得到发光材料的XRD图谱，将XRD图谱与标准卡片进行比对，确定发光材料的基质成分；
(3)对发光材料进行激发光谱检测：将研磨后的发光材料置于荧光光谱仪中进行激发光谱检测，得到发光材料的激发光谱；
(4)对发光材料进行发射光谱检测：将研磨后的发光材料置于荧光光谱仪中进行发射光谱检测，得到发光材料的发射光谱；
(5)对发光材料的激发光谱和发射光谱进行分析，确定发光材料的掺杂成分以及发光性质。
优选的，所述XRD检测仪的工作参数为：
使用金属Cu靶(辐射源为K线，λ＝0.15406nm)作为阳极，仪器阳极加速电压设置为40KV，工作电流为30mA，扫描速度为2°/min，选用的2θ角扫描步长为0.02°，测量的2θ角度范围为20°～60°。
优选的，所述荧光光谱仪的工作参数为：
用150W的氙灯作为激发光源，R928光电倍增管作为检测器，分辨率为1.0nm，扫描速度为2400nm/min。
优选的，还包括：根据发光材料的激发光谱和发射光谱得到发光材料的色坐标，以进行发光材料的色度学分析。
本发明提供的一种发光材料的检测方法，本发明方法简单、成本低廉，能够减小发光材料检测误差、排除实验干扰，提高实验效率，为发光材料的成分、发光性能的分析提供可靠的依据。
具体实施方式
为使本发明解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面结合实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。
本发明提供了一种发光材料的检测方法，包括：
(1)取待测的发光材料，进行研磨；
(2)对发光材料进行XRD检测：将研磨后的发光材料置于XRD检测仪中进行检测，得到发光材料的XRD图谱，将XRD图谱与标准卡片进行比对，确定发光材料的基质成分；
(3)对发光材料进行激发光谱检测：将研磨后的发光材料置于荧光光谱仪中进行激发光谱检测，得到发光材料的激发光谱；
(4)对发光材料进行发射光谱检测：将研磨后的发光材料置于荧光光谱仪中进行发射光谱检测，得到发光材料的发射光谱；
(5)对发光材料的激发光谱和发射光谱进行分析，确定发光材料的掺杂成分以及发光性质。
优选的，所述XRD检测仪的工作参数为：
使用金属Cu靶(辐射源为K线，λ＝0.15406nm)作为阳极，仪器阳极加速电压设置为40KV，工作电流为30mA，扫描速度为2°/min，选用的2θ角扫描步长为0.02°，测量的2θ角度范围为20°～60°。
优选的，所述荧光光谱仪的工作参数为：
用150W的氙灯作为激发光源，R928光电倍增管作为检测器，分辨率为1.0nm，扫描速度为2400nm/min。
优选的，还包括：根据发光材料的激发光谱和发射光谱得到发光材料的色坐标，以进行发光材料的色度学分析。
本发明提供的一种发光材料的检测方法，本发明方法简单、成本低廉，能够减小发光材料检测误差、排除实验干扰，提高实验效率，为发光材料的成分、发光性能的分析提供可靠的依据。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。