一种差分正交速度传感器的制作方法

本实用新型涉及传感器技术领域，特别涉及一种差分正交速度传感器。

背景技术：

目前，大部分的传感器是一种基于霍尔效应的磁电传感器，具有对磁场敏感度高、输出信号稳定、频率响应高、抗电磁干扰能力强、结构简单、使用方便等特点。目前被大量应用在高速铁路机车、城市轨道车辆、电动汽车、新能源汽车等领域的牵引系统和制动系统中。

其中传统的霍尔效应的磁电传感器，不能承受0至15千赫兹的频率使用，且输出信号容易缺失，很难在大气隙恶劣的坏境中使用。所以需要一种能承受0至15千赫兹的频率使用，能在大气隙恶劣的坏境中使用的传感器。

技术实现要素：

本实用新型主要解决的技术问题是提供一种差分正交速度传感器，该一种差分正交速度传感器，能承受0至15千赫兹的频率使用，能在大气隙恶劣的坏境中使用，结构简单。

为了解决上述问题，本实用新型提供一种差分正交速度传感器，包括传感器主体、差分型霍尔传感器、背磁、FPC电路板、内部骨架，所述差分型霍尔传感器在传感器主体内部的顶端，背磁在差分型霍尔传感器的下面，FPC电路板在传感器主体内部的左侧，内部骨架固定了差分型霍尔传感器、背磁、FPC电路板位置；所述差分型霍尔传感器内置两片霍尔芯片，且两片霍尔芯片对磁场变化情况通过差分的方式进行检测；所述FPC电路板为差分型霍尔传感器提供了驱动电路和滤波电路；所述背磁为差分型霍尔传感器提供了一个规则磁场。

进一步地说，所述差分型霍尔传感器，当齿轮通过差分型霍尔传感器时，由于其内置两片霍尔芯片安装位置的差异，分别感应出两列方波。

进一步地说，所述两列方波套定的尺寸相位差为90度，从而实现了方向和速度的检测。

进一步地说，所述当齿轮边缘靠近背磁时，背磁的磁场发生变化，差分型霍尔传感器感应到磁场发生变化后，会输出高低电平信号。

进一步地说，所述霍尔芯片是BiCMOS霍尔芯片。

使用时，当齿轮通过差分型霍尔传感器时，由于其内置两片霍尔芯片安装位置的差异，分别感应出两列方波。所述两列方波套定的尺寸相位差为90度，从而实现了方向和速度的检测，由于霍尔芯片为数字信号芯片，能在大气隙的恶劣坏境中应用，能在0到15千赫兹的频率使用，工作温度能在-40℃到150℃间。

本实用新型的有益效果在于：双霍尔能提高产品的分辨率、动态目标，保证产品输出信号的准确，能在大气隙的恶劣坏境中应用，能在0到15千赫兹的频率使用，工作温度能在-40℃到150℃间，结构简单。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，而描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。

图1是本实用新型实施例产品的剖面示意图。

图2是本实用新型实施例产品的差分型霍尔传感器示意图。

图3是图1的立体示意图。

下面结合实施例，并参照附图，对本实用新型目的的实现、功能特点及优点作进一步说明。

具体实施方式

为了使实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例一

参阅附图1、图2、图3所示，所述一种差分正交速度传感器，包括传感器主体1、差分型霍尔传感器2、背磁3、FPC电路板4、内部骨架5，所述差分型霍尔传感器2在传感器主体1内部的顶端，背磁3在差分型霍尔传感器2的下面，FPC电路板4在传感器主体1内部的左侧，内部骨架5固定了差分型霍尔传感器2、背磁3、FPC电路板4位置；所述差分型霍尔传感器2内置两片霍尔芯片21，且两片霍尔芯片21对磁场变化情况通过差分的方式进行检测；所述FPC电路板4为差分型霍尔传感器2提供了驱动电路和滤波电路；所述背磁3为差分型霍尔传感器2提供了一个规则磁场。

具体说：当齿轮通过差分型霍尔传感器2时，由于其内置两片霍尔芯片21安装位置的差异，分别感应出两列方波。所述两列方波套定的尺寸相位差为90度，从而实现了方向和速度的检测，由于霍尔芯片21为数字信号芯片，能在大气隙的恶劣坏境中应用，能在0到15千赫兹的频率使用，工作温度能在-40℃到150℃间。

参阅附图1、图2所示，所述差分型霍尔传感器2，当齿轮通过差分型霍尔传感器2时，由于其内置两片霍尔芯片21安装位置的差异，分别感应出两列方波。

参阅附图1、图2所示，所述两列方波套定的尺寸相位差为90度，从而实现了方向和速度的检测。

参阅附图1、图2所示，所述当齿轮边缘靠近背磁3时，背磁3的磁场发生变化，差分型霍尔传感器2感应到磁场发生变化后，会输出高低电平信号。

参阅附图2所示，所述霍尔芯片21是BiCMOS霍尔芯片。

以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，而这些修改或替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。