含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜的电流变化的百分比相比，浸于含有其他金属离子、且pH值为4.5的溶液中预设时间后的所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜的电流变化百分明显小，如此，证明当PH为4.5，Hg2+使DNA仍保持双链发夹式构型，而其他金属离子存在的情况下DNA均构型转变为四链体1-motif结构。
[0159]本发明实施例提供的应用方法具有良好的稳定性；图11为本发明实施例修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜对Hg2+与Ag +的检测方法的稳定性的验证示意图；如图11所示，将本发明实施例所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜浸入含有Hg2+与Ag +的溶液中预设时间后，检测所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜的离子运输性能，随后，清洗所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜，将清洗后的所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜再次浸入含有Hg2+与Ag +的溶液中预设时间后，再次检测所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜的离子运输性能，如此循环3次，检验所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜的稳定性；从图11中可以看出，本发明实施例所述的修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜对检在Hg2+与Ag +的应用方面，具有良好的稳定性。
[0160]以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种氧化铝纳米通道薄膜的应用方法，其特征在于，所述方法包括: 步骤一:采用皮安计法确定修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜对应的第一电流； 步骤二:将所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜浸于含有汞离子Hg2+和/或银离子Ag+的溶液中预设时间后，取出所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜； 步骤三:采用皮安计法确定步骤二处理后的所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜对应的第二电流； 步骤四:根据所述第一电流和第二电流，确定所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜能否对汞离子Hg2+、银离子Ag+进行特异性识别。
2.根据权利要求1所述的应用方法，其特征在于，所述方法还包括: 确定第一溶液，所述第一溶液中含有汞离子Hg2+;所述第一溶液的pH值为5.0-9.0 ； 确定第二溶液，所述第二溶液中含有银离子Ag+;所述第二溶液的pH值为5.0-9.0 ；将第一个所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜、和第二个所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜各自浸于第一溶液和第二溶液中预设时间后，取出第一个所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜和第二个所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜； 采用皮安计法确定第一个所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜对应的第三电流、和第二个所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜对应的第四电流； 将所述第一溶液和第二溶液中的pH值均调为5以下； 将清洗后的第一个所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜、和第二个所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜各自浸于PH值调整后的所述第一溶液和第二溶液中预设时间后，取出第一个所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜和第二个所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜； 采用皮安计法确定第一个所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜对应的第五电流、和第二个所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜对应的第六电流； 根据所述第三电流、第四电流、第五电流和第六电流，区分所述第一溶液和第二溶液。
3.根据权利要求1所述的应用方法，其特征在于，所述步骤一包括: 将修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜置于双电极电解槽的两个槽体中间的连通处，以将两个槽体中的电解液隔离； 采用皮安计法确定一槽体电解液中的离子经所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜后进入另一槽体时所形成的第一电流； 对应地，所述步骤三包括: 将步骤二处理后的所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜置于所述双电极电解槽的两个槽体中间的连通处，以将两个槽体中的电解液隔离； 采用皮安计法确定一槽体电解液中的离子经所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜后进入另一槽体时所形成的第二电流。
4.根据权利要求1所述的应用方法，其特征在于，当所述第一电流大于所述第二电流时，确定所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜能对汞离子Hg2+和/或银离子Ag +进行特异性识别；所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化销纳米通道薄膜能够对浓度范围在InM-1OmM的未离子或银离子进行特异性识别。
5.根据权利要求1至4任一项所述的应用方法，其特征在于，在所述氧化铝纳米通道薄膜上修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸得到所述修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜，包括: 步骤一:将所述氧化铝纳米通道薄膜浸于煮沸的双氧水中30-60分钟后，清洗并干燥；步骤二:将步骤一处理后的所述氧化铝纳米通道薄膜浸于质量百分含量为5% -10%的3-氨丙基三甲氧硅烷丙酮溶液中2-10小时后，用丙酮清洗，并干燥丙酮清洗后的所述氧化铝纳米通道薄膜； 步骤三:将步骤二处理后的所述氧化铝纳米通道薄膜浸于质量百分含量为10% -25%的戊二醛溶液中10小时以上后，清洗并干燥； 步骤四:将步骤三处理后的所述氧化铝纳米通道薄膜浸于10 μΜ的脱氧核糖核酸三羟甲基氨基甲烷缓冲液中12小时以上后，清洗，得到修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜； 其中，所述脱氧核糖核酸三羟甲基氨基甲烷缓冲液为: 1mM的脱氧核糖核酸溶液、500mM的氯化钠溶液、ImM的氯化镁溶液的混合溶液；其中，所述混合溶液的PH值为7.0-8.0o
6.一种氧化铝纳米通道薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括: 对铝片进行第一次阳极氧化，在所述铝片的表面形成氧化膜； 去除所述铝片表面的氧化膜，并对所述铝片依次进行第二次阳极氧化、扩孔及第三次阳极氧化形成新的氧化膜； 将所述新的氧化膜与所述铝片进行剥离，并去除剥离的新的氧化膜的阻挡层得到氧化铝纳米通道薄膜。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述对铝片进行第一次阳极氧化包括: 将所述铝片浸于多元酸电解液中，在温度为0-10°C的条件下，进行第一阳极氧化1-2小时； 对应地，所述去除所述铝片表面的氧化膜，包括: 在温度为60?100°C的条件下，将表面形成有氧化膜的所述铝片浸于质量百分含量为6%的磷酸和质量百分含量为1.8%的铬酸的混合液中1-2小时，去除所述铝片表面的氧化膜。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述对所述铝片依次进行第二次阳极氧化、扩孔及第三次阳极氧化形成新的氧化膜，包括: 将去除氧化膜的铝片浸于多元酸电解液中，在温度为0-10°C的条件下，进行第二次阳极氧化6-10小时；将第二次阳极氧化后的所述铝片浸于质量百分含量为5%的磷酸中20-40分钟进行扩孔，且在温度为0-10°C的条件下，进行第三次阳极氧化2-6小时，以在所述铝片上形成新的氧化膜。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述去除剥离的新的氧化膜的阻挡层，包括: 将新的氧化膜浸于质量百分含量为5% -15%的磷酸中5-10分钟，去除所述新的氧化膜的阻挡层。
10.一种氧化铝纳米通道薄膜，其特征在于，所述氧化铝纳米通道薄膜的孔道形状为漏斗型； 所述漏斗型的氧化铝纳米通道薄膜的大孔孔径为25-80nm，小孔孔径为10_35nm ;所述漏斗型的氧化铝纳米通道薄膜的厚度为30 μπι-80 μπι。
【专利摘要】本发明公开了一种氧化铝纳米通道薄膜的应用方法，包括：采用皮安计法确定修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜对应的第一电流；将修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜浸于含有汞离子Hg2+和/或银离子Ag+的溶液中预设时间后，取出；采用皮安计法确定处理后的修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜对应的第二电流；根据第一电流和第二电流，确定修饰含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的单链脱氧核糖核酸的氧化铝纳米通道薄膜能否对汞离子、银离子进行特异性识别。本发明还公开了一种氧化铝纳米通道薄膜及其制造方法。
【IPC分类】G01N27-26, C25D11-12
【公开号】CN104713924
【申请号】CN201410582272
【发明人】范霞, 王慧敏
【申请人】北京航空航天大学
【公开日】2015年6月17日
【申请日】2014年10月27日