-N-CBZ-L-Asp模板分子的S12溶胶的制备:
[0032]采用溶胶凝胶法，在室温(25°C)条件下，将0.Sg聚乙二醇(分子量6000)和32.5mL无水乙醇加入四口烧瓶中，升温至60°C，水浴回流搅拌30min后，加入3.6mL的0.5mM的步骤(I)中所制备的L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp三元络合物的溶液，搅拌混合30min，将5mL的0.35M的正硅酸乙酯溶液缓慢加入上述四口烧瓶中后，将温度升至70°C，水浴回流搅拌6h，待反应结束后，得到含有三元络合物L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp的S12S胶，将该溶胶置于30°C恒温水浴下保存；
[0033](3)印迹L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp三元络合物模板的S12溶胶修饰电极的制备:
[0034]用微量进样器移取6 μ L步骤(2)中制备的含有L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp三元络合物的S12溶胶，均匀滴于GC电极表面，待自然晾干后，再次移取6yL步骤⑵中制备的溶胶均匀滴于GC电极表面，自然晾干后，即得修饰电极；
[0035](4) L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp 三元络合物模板的脱除:
[0036]以步骤(3)中得到的修饰电极为工作电极，饱和甘汞电极(SCE)为参比电极，以铂丝为对电极，将所述工作电极浸在2% (v/v)醋酸溶液中，于0.1V电位下脱三元络合物模板500s，即得到具有L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp三元络合物铸型的印迹电极，
[0037]将上述脱模板后的印迹电极置于pH为3.0的0.1M的KCl溶液中溶出，若未出现铜离子的还原电流，证明三元络合物L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp模板完全脱除；
[0038]为评价具有L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp铸型构型的S12修饰电极对L-Asp和D-Asp的识别效果，本发明分别采用浓度均为0.1mM的L-Asp和D-Asp溶液，均与N-CBZ-L-Asp、Cu2+组成两种三元络合物溶液，即 L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp 溶液和 D-Asp-Cu2+-N-CBZ-L_Asp溶液；
[0039]再采用本实施例所制备的印迹L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp铸型的S12修饰电极为工作电极(准备两个工作电极)，饱和甘汞电极(SCE)为参比电极，铂丝电极为对电极，将准备好的两个工作电极分别置于上述两种溶液(pH均为3.0)中对络合物进行吸附800s后，又分别在PH 3.0的0.1M KCl溶液中进行溶出，记录方波溶出伏安法曲线，通过测定铜离子的还原峰可知，L-Asp的电流是D-Asp电流的2.6倍。由此结果可知，该修饰电极对L-Asp具有很好的选择性。
[0040]将印迹修饰电极置于不同L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp浓度的富集溶液中富集并检测，确定其浓度检测范围及最低检测限，将富集L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp后的印迹修饰电极，置于pH为3.0的0.1M KCl溶液中溶出，记录方波溶出伏安法曲线作为标准曲线(如图3所示)，结果表明，印迹修饰电极在L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp浓度为0.0lmM到2.0mM范围内的溶液中，呈现出良好的线性。可以看出还原峰电流值随着L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp浓度的增加而增大。在低浓度0.0lmM到0.2mM时，线性方程为I = 0.22+22.52c (I: μΑ, c:mM)，线性相关系数为0.989 ;在高浓度0.2mM到1.0mM时，线性方程为I = 2.66+8.91c (1:μ A, c:mM)，线性相关系数为0.996 ;最低检测限为1.77X 10 6M0
[0041]对未知构型的天冬氨酸的识别:
[0042]将未知具体构型的天冬氨酸制备成三元络合物(溶液)，再以上述步骤(4)中得到的脱模板后的印迹电极为工作电极，饱和甘汞电极(SCE)为参比电极，铂丝电极为对电极，将所述工作电极置于PH为3.0的、含有上述制备的未知构型天冬氨酸三元络合物的富集溶液(富集溶液浓度值在检测线内)中，开路电位下富集800s后，在pH 3.0的0.1M的KCl缓冲溶液中溶出，记录方波溶出伏安法曲线，通过与上述标准曲线(附图3中)对比等浓度时的还原峰电流值，从而判断天冬氨酸的光学构型，
[0043]其中，方波溶出伏安法的扫描电位增量为2.0mV,振幅为50.0mV,脉冲宽度为0.05V，初始电位为-0.4V，终止电位为0.9V，静置时间为2s。
【主权项】
1.一种识别天冬氨酸光学异构体的电化学方法，其特征在于:所述识别方法的具体步骤为， (1)制备L-Asp-Cu2 -N-CBZ-L-Asp 二兀络合物； (2)印迹L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp模板分子的S12溶胶的制备 采用溶胶凝胶法，在室温条件下，将0.Sg聚乙二醇和32.5mL无水乙醇加入四口烧瓶中，升温至60 °C，水浴回流搅拌30min后，加入0.5mM的步骤(I)中所制备的L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp三元络合物的溶液，搅拌混合30min，将5mL的0.35M的正硅酸乙酯溶液缓慢加入上述四口烧瓶中后，将温度升至70°C，水浴回流搅拌6h，待反应结束后，得到含有三元络合物L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp的S12溶胶，将该溶胶置于30°C恒温水浴下保存； (3)印迹L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp三元络合物模板的S12溶胶修饰电极的制备 用微量进样器移取6 yL步骤(2)中制备的含有L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp三元络合物的S12溶胶，均匀滴于GC电极表面，待自然晾干后，再次移取6yL步骤⑵中制备的溶胶均匀滴于GC电极表面，自然晾干后，即得修饰电极； (4)L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp三元络合物模板的脱除 以步骤(3)中得到的修饰电极为工作电极，饱和甘汞电极(SCE)为参比电极，以铂丝为对电极，将所述工作电极浸在醋酸溶液中，于0.1V电位下脱三元络合物模板500s，即得到具有L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp三元络合物铸型的印迹电极； (5)选择性识别天冬氨酸光学异构体 a、以步骤⑷中得到的脱模板后的印迹电极为工作电极，饱和甘汞电极(SCE)为参比电极，铂丝电极为对电极，将所述工作电极置于不同L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp浓度的富集溶液中富集，将富集L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp后的印迹修饰电极，置于0.1M的KCl缓冲溶液中溶出，记录方波溶出伏安法曲线，并绘制标准曲线， b、将未知具体构型的天冬氨酸制备成L-或D-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp三元络合物， C、以步骤⑷中得到的脱模板后的印迹电极为工作电极，饱和甘汞电极(SCE)为参比电极，铂丝电极为对电极，将所述工作电极置于含有步骤b中所制备的L-或D-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp的富集溶液中，开路电位下富集800s后，在0.1M的KCl缓冲溶液中溶出，记录方波溶出伏安法曲线，通过与步骤a中得到的标准曲线对比还原峰电流值，实现对天冬氨基酸光学异构体的选择性识别。2.如权利要求1所述的识别天冬氨酸光学异构体的电化学方法，其特征在于:步骤(I)中所述的聚乙二醇的分子量为6000。3.如权利要求1所述的识别天冬氨酸光学异构体的电化学方法，其特征在于:步骤(5)中所述的富集溶液的PH值为3.004.如权利要求1所述的识别天冬氨酸光学异构体的电化学方法，其特征在于:步骤(5)中所述的KCl缓冲溶液的pH值为3.005.如权利要求1所述的识别天冬氨酸光学异构体的电化学方法，其特征在于:步骤(5)中所述的方波溶出伏安法的扫描电位增量为2.0mV，振幅为50.0mV，脉冲宽度为0.05V，初始电位为-0.4V，终止电位为0.9V，静置时间为2s。
【专利摘要】本发明涉及电化学分析测试技术领域，具体涉及一种通过溶胶法印迹天冬氨酸光学异构体(如L-Asp)、铜离子和N-苄氧羰基(CBZ)-L-天冬氨酸(L-Asp)三元络合物的方法，将该溶胶修饰于电极，通过在电极上构筑具有L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp空间结构，由于N-CBZ-L-Asp上苯环与D-Asp上羧基的空间位阻，在水溶液中L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp三元络合物的稳定性大于D-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp三元络合物，印迹电极在溶液中对L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp三元络合物的吸附量远大于对D-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp，进而导致印迹电极中铜离子的浓度不同，以铜离子为探针，通过铜离子的还原电流的测量，实现对天冬氨酸光学异构体的选择性识别。
【IPC分类】G01N27/48, G01N27/333
【公开号】CN105092682
【申请号】CN201510536308
【发明人】陈智栋, 张静, 王文昌, 张士博
【申请人】常州大学
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年8月27日