1.一种电压调节器，其特征在于，包括：
输入端子，所述输入端子配置为接收输入电压；
输出端子，所述输出端子配置为供应输出电压；
功率晶体管，所述功率晶体管具有耦合到所述输入端子的第一导电端子、耦合到所述输出端子的第二导电端子、以及控制端子；
差分放大器，所述差分放大器具有用于接收电压参考的第一输入、用于接收对应于所述输出电压的反馈信号的第二输入、以及用于基于在所述电压参考和所述反馈信号之间的差来提供驱动信号的输出；
驱动器，所述驱动器包括耦合到所述功率晶体管的所述控制端子的阻抗器件、以及驱动器晶体管，所述驱动器晶体管具有耦合到所述功率晶体管的所述控制端子的第一导电端子、以及控制端子，所述控制端子从所述差分放大器接收所述驱动信号，以便于改变去往所述功率晶体管的所述控制端子的偏置电流；以及
压差检测器和偏置电流限制器，耦合到所述功率晶体管。
2.根据权利要求1所述的电压调节器，其特征在于，所述压差检测器和偏置电流限制包括：
第一晶体管，所述第一晶体管具有耦合到所述输入端子的第一导电端子、耦合到所述阻抗器件的第二导电端子、以及控制端子；
第二晶体管，所述第二晶体管具有耦合到所述输出端子的第一导电端子、耦合在一起并且耦合到所述第一晶体管的所述控制端子的控制端子和第二导电端子；以及
偏置电流生成器，所述偏置电流生成器耦合到所述第二晶体管的所述第二导电端子。
3.根据权利要求2所述的电压调节器，其特征在于，所述偏置电流生成器被配置为生成第二偏置电流；并且其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管被配置为电流镜，使得用于所述功率晶体管的所述偏置电流反映所述第二偏置电流。
4.根据权利要求2所述的电压调节器，其特征在于，所述压差检测器和偏置电流限制器进一步包括：
第三晶体管，所述第三晶体管具有耦合到所述输入端子的第一导电端子、耦合到所述第一晶体管的所述控制端子的控制端子、以及第二导电端子；以及
第四晶体管，所述第四晶体管具有耦合到所述第三晶体管的所述第二导电端子的第一导电端子、耦合到所述阻抗器件并且耦合到所述功率晶体管的所述控制端子的控制端子、以及耦合到所述差分放大器的第二导电端子。
5.根据权利要求4所述的电压调节器，其特征在于，进一步包括：电流源，所述电流源被耦合在所述输入端子和所述差分放大器之间，并且还与所述第三晶体管和所述第四晶体管并联耦合。
6.根据权利要求1所述的电压调节器，其特征在于，进一步包括：
耦合到所述输出端子的电阻分压器；
反馈路径，所述反馈路径被耦合在所述电阻分压器和所述差分放大器的第二输入之间，以对其提供所述反馈信号。
7.根据权利要求1所述的电压调节器，其特征在于，所述阻抗器件被配置为具有阻抗，使得跨所述阻抗器件的电压对应于跨所述功率晶体管的电压。
8.根据权利要求7所述的电压调节器，其特征在于，所述阻抗器件包括电阻、配置为二极管的晶体管和与配置为二极管的晶体管串联耦合的电阻中的至少一个。
9.根据权利要求1所述的电压调节器，其特征在于，进一步包括：电流源，所述电流源被耦合在所述输入端子和所述差分放大器之间。
10.根据权利要求1所述的电压调节器，其特征在于，进一步包括：参考电压源，所述参考电压源被耦合到所述差分放大器的所述第一输入，提供所述参考电压。
11.根据权利要求1所述的电压调节器，其特征在于，所述功率晶体管包括p沟道MOSFET，并且所述驱动器晶体管包括n沟道MOSFET。
12.一种电压调节器，其特征在于，包括：
输入端子，所述输入端子配置为接收输入电压；
输出端子，所述输出端子配置为供应输出电压；
功率晶体管，所述功率晶体管具有耦合到所述输入端子的第一导电端子、耦合到所述输出端子的第二导电端子、以及控制端子；
差分放大器，所述差分放大器具有用于接收电压参考的第一输入、用于接收对应于所述输出电压的反馈信号的第二输入、以及用于基于在所述电压参考和所述反馈信号之间的差来提供驱动信号的输出；
参考电压源，所述参考电压源被耦合到所述差分放大器的所述第一输入，提供所述参考电压；
驱动器，所述驱动器包括耦合到所述功率晶体管的所述控制端子的阻抗器件、以及驱动器晶体管，所述驱动器晶体管具有耦合到所述功率晶体管的所述控制端子的第一导电端子、以及控制端子，所述控制端子从所述差分放大器接收所述驱动信号，以便于改变去往所述功率晶体管的所述控制端子的偏置电流；以及
压差检测器和偏置电流限制器，耦合到所述功率晶体管并且包括：
第一晶体管，所述第一晶体管具有耦合到所述输入端子的第一导电端子、耦合到所述阻抗器件的第二导电端子、以及控制端子；
第二晶体管，所述第二晶体管具有耦合到所述输出端子的第一导电端子、耦合在一起并且耦合至所述第一晶体管的所述控制端子的控制端子和第二导电端子；以及
偏置电流生成器，所述偏置电流生成器耦合到所述第二晶体管的所述第二导电端子。
13.根据权利要求12所述的电压调节器，其特征在于，所述偏置电流生成器被配置为生成第二偏置电流；并且其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管被配置为电流镜，使得用于所述功率晶体管的所述偏置电流反映所述第二偏置电流。
14.根据权利要求12所述的电压调节器，其特征在于，进一步包括：
第三晶体管，所述第三晶体管具有耦合到所述输入端子的第一导电端子、耦合到所述第一晶体管的所述控制端子的控制端子、以及第二导电端子；以及
第四晶体管，所述第四晶体管具有耦合到所述第三晶体管的所述第二导电端子的第一导电端子、耦合到所述阻抗器件并且耦合到所述功率晶体管的所述控制端子的控制端子、以及耦合到所述差分放大器的第二导电端子。
15.根据权利要求14所述的电压调节器，其特征在于，进一步包括：电流源，所述电流源被耦合在所述输入端子和所述差分放大器之间，并且还与所述第三晶体管和所述第四晶体管并联耦合。
16.根据权利要求12所述的电压调节器，其特征在于，进一步包括：
电阻分压器，耦合到所述输出端子；以及
反馈路径，所述反馈路径被耦合在所述电阻分压器和所述差分放大器的第二输入之间，以对其提供所述反馈信号。
17.根据权利要求12所述的电压调节器，其特征在于，所述阻抗器件被配置为具有阻抗，使得跨所述阻抗器件的电压对应于跨所述功率晶体管的电压。
18.根据权利要求7所述的电压调节器，其特征在于，所述阻抗器件包括电阻、配置为二极管的晶体管和与配置为二极管的晶体管串联耦合的电阻中的至少一个。
19.根据权利要求12所述的电压调节器，其特征在于，进一步包括：电流源，所述电流源被耦合在所述输入端子和所述差分放大器之间。
20.根据权利要求12所述的电压调节器，其特征在于，所述功率晶体管包括p沟道MOSFET，并且所述驱动器晶体管包括n沟道MOSFET。