技术特征：
技术总结
本发明公开了一种高精度带隙基准曲率补偿方法及高精度带隙基准电路，其利用工作在亚阈值区的两个MOSFET(金属‑氧化物‑半导体场效应管)的栅源电压差△VGS补偿传统低压BJT(双极性晶体管)带隙基准的高次曲率。所述高精度带隙基准电路由MOSFET带隙基准结合低压BJT带隙基准构成。其中，MOSFET带隙基准采用MOSFET产生PTAT(与绝对温度成正比)电压；低压BJT带隙基准采用BJT产生PTAT电压。MOSFET带隙基准的输出具有正的二次温度系数；典型低压BJT带隙基准的输出具有负的二次温度系数。所述高精度带隙基准电路将上述两种类型的带隙基准输出加权相加，完全抵消了输出的二次温度系数，部分抵消了三次温度系数，实现了高次曲率补偿，使得输出的温度系数更小，实现了高精度的目的。
技术研发人员：马彪
受保护的技术使用者：马彪
技术研发日：2017.11.10
技术公布日：2018.02.16