一种电容式触控面板的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种电容式触控面板，包括一基板与一纳米银线电极层，纳米银线电极层设置在基板一表面上，所述纳米银线电极层包括沿第一方向排布的第一电极串、第一导接线和沿第二方向排布的第二电极串，第一电极串包括多个第一纳米银线导电单元，第二电极串包括多个第二纳米银线导电单元；基板上对应每个第二纳米银线导电单元区域内设置有贯通上下表面的穿孔，每个第二纳米银线导电单元对应两个穿孔；第一纳米银线导电单元通过第一导接线相连，第二纳米银线导电单元通过穿孔内的导电材料和桥接线相导通，所述桥接线设置于基板异于纳米银线电极层的一面。本实用新型具有低电阻、工艺简单的优点。
【专利说明】-种电容式触控面板 【【技术领域】】
[0001] 本实用新型涉及触控领域，尤其涉及一种电容式触控面板。 【【背景技术】】
[0002] 触控面板技术已成为当前最简便的人机交流的输入设备。鉴于触摸屏具有简便、 反应速度快、节省空间、易于交流等许多优点，触摸面板技术在我国的应用范围越来越广 阔，其不仅普遍应用于随身携带的电子装置，如智能手机，平板电脑或笔记本电脑，同时也 广泛应用于广告资讯装置，工业控制，军事指挥，电子游戏，多媒体教学，房地产预售，W及 公共信息的查询装置，如电信局、税务局、银行、电力等部口的业务查询等等。
[0003] 现有的最常用的触控面板为电容式触控面板，电容式触控面板技术利用人体的电 流感应进行工作，其具有操作简便，支持多点触控等诸多优点。随着信息技术的发展，人们 对触控面板的要求越来越高，其主要体现在两大方面，其一是触控面板的精度，二是触控面 板的厚度，高灵敏度的轻薄化的触控面板是业界的一致追求，尤其是轻薄化，其已经成为 了近年来的触控面板厂商之间相互竞争比拼的一大卖点。
[0004] 通常，在现有触控面板大都采用氧化钢锡（ITO)作为导电电极材料，由于钢元素 为一种稀±元素，在大自然的存储量比较小，其价格比较昂贵，氧化钢锡作为触控面板的导 电材料在很大程度上提升了触控面板的制造成本，此外，ITO的电阻较高，其在一定程度上 影响到了触摸灵敏度，如果要降低方阻，则需要将电极层变厚，该不仅会进一步提高制备成 本，还会降低电极层的透光度，同时，增加厚度与现行轻薄化电子设备的发展趋势相违背。 又，ITO电极层的制作采用的是黄光工艺，黄光工艺制程复杂，设备成本高，故，其在一定程 度上抑制了触控面板产业的发展。
[0005] 综上所述，要使触摸面板产业更加快速的发展，那么，我们确实急切需要寻找一种 新的方案能够解决ITO所存在的价格昂贵，电阻高，工艺复杂，抗损性能差等缺点。 【实用新型内容】
[0006] 为克服现有技术存在的问题，本实用新型提供一种低电阻、工艺简单的电容式触 控面板。
[0007] 本实用新型解决技术问题的方案是提供一种电容式触控面板，包括一基板与一纳 米银线电极层，纳米银线电极层设置在基板一表面上，所述纳米银线电极层包括沿第一方 向排布的第一电极串、第一导接线和沿第二方向排布的第二电极串，第一电极串包括多个 第一纳米银线导电单元，第二电极串包括多个第二纳米银线导电单元；基板上对应每个第 二纳米银线导电单元区域内设置有贯通上下表面的穿孔，每个第二纳米银线导电单元对应 两个穿孔；第一纳米银线导电单元通过第一导接线相连，第二纳米银线导电单元通过穿孔 内的导电材料和桥接线相导通，所述桥接线设置于基板异于纳米银线电极层的一面。
[0008] 优选地，所述纳米银线电极层包括基质及分布于所述基质中的多条纳米银线，所 述多条纳米银线相互搭接形成导电网络，所述第一纳米银线导电单元和第二纳米银线导电 单元的厚度为l〇nm-5ym，方阻为小于lOOohm/sq，所述多条纳米银线中的每条纳米银线的 线长介于20-50 y m,线径小于500皿，长宽比大于400。
[0009] 优选地，一条桥接线通过穿孔导通连接每条第二电极串上所有第二纳米银线导电 单元。
[0010] 优选地，至少一条桥接线通过穿孔导通连接第二电极串上相邻的第二纳米银线导 电单元。
[0011] 优选地，两条平行并列的桥接线通过穿孔导通连接第二电极串上相邻的第二纳米 银线导电单元。
[0012] 优选地，所述桥接线的长度大于或等于相邻第二纳米银线导电单元内的两个穿孔 之间的距离。
[001引优选地，所述桥接线为直线、"V"形、"Z"形或"S"形。
[0014] 优选地，进一步包括第一走线和第二走线，所述第一走线与所述第一电极串的一 端或两端连接，所述第二走线与所述第二电极串的一端或两端连接。
[0015] 优选地，所述第一电极串和/或第二电极串分别包括两条或多条平行排列的子电 极串，该第一纳米银线电极串的两条或多条子电极串同一端电性连接，该第二纳米银线电 极串的两条或多条子电极串同一端电性连接。
[0016] 优选地，纳米银线电极层两侧更设置增粘层，平整层，光学匹配层之中的一层或多 层，增粘层、平整层、光学匹配层之中的两或H层可设置在电极图案层的同侧或异侧，光学 匹配层，增粘层和平整层H者之间位置可互换。
[0017] 与现有技术相比，本实用新型电容式触控面板的纳米银线电极层主要采用了纳米 银线图案化后制作而成，纳米银线作为触控电极导电材料具有价格低，电阻低，轻薄，挽性 好等优点，更重要的是，本实用新型电容式触控面板通过将桥接线设置于基板下表面，通过 背面桥接的方式，使得桥接线的制作变得简单，只需在对应的基板背面穿孔位置印刷一层 纳米银线层即可，简化了工艺的同时，相比在第一导接线上方形成桥接线需要在导接线上 布设绝缘层，本实用新型采用背面桥接，故无需在布设绝缘层，符合触控面板轻薄化的发展 趋势。桥接线形成于基板背面，形成图案较为方便，桥接线的规格图案可W实现多样化，且 使桥接线的图案化形成与电极图案的形成由一道制程制作完成实现了可能，在卷对卷制程 中，上方親筒压印形成电极图案，下方親筒压印形成桥接线图案，实现了工艺的简化，节省 了制作成本。
[0018] 除此W外，桥接线设置于基板的下表面，桥接线不会受到曲面张力，从而使得桥接 线连接稳定，不易断线，可W大大的提升产品良率。 【【专利附图】
【附图说明】】
[0019] 图1是纳米银线电极层分布于基板上的截面结构示意图。
[0020] 图2是纳米银线电极层分布于基板上的平面结构示意图。
[0021] 图3是本实用新型第一实施例电容式触控面板立体结构示意图。
[0022] 图4是本实用新型第一实施例电容式触控面板的纳米银线电极层平面结构示意 图。
[0023] 图5是本实用新型第一实施例电容式触控面板沿Y方向的截面结构示意图。
[0024] 图6是本实用新型第一实施例电容式触控面板的桥接线示意图。
[0025] 图7是本实用新型第一实施例电容式触控面板的走线示意图。
[0026] 图8是本实用新型第二实施例电容式触控面板的桥接线示意图。
[0027] 图9是本实用新型第H实施例电容式触控面板的桥接线示意图。
[0028] 图10是本实用新型第四实施例电容式触控面板的桥接线示意图。
[0029] 图11是本实用新型第五实施例电容式触控面板的第一种桥接线示意图。
[0030] 图12是本实用新型第五实施例电容式触控面板的第二种桥接线示意图。
[0031] 图13是本实用新型第五实施例电容式触控面板的第H种桥接线示意图。
[0032] 图14是本实用新型第六实施例电容式触控面板的平面结构示意图。
[0033] 图15是本实用新型第走实施例电容式触控面板的结构示意图。
[0034] 图16是本实用新型第八实施例电容式触控面板的结构示意图。
[0035] 图17是本实用新型第九实施例电容式触控面板的结构示意图。 【【具体实施方式】】
[0036] 为了使本实用新型的目的，技术方案及优点更加清楚明白，W下结合附图及实施 实例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用W解 释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0037] 银在纳米级时，纳米银线具有良好的透光率和极佳的导电性，能够很好的运用于 触控面板的导电电极。
[0038] 请参阅图1与图2,系纳米银线电极层1005分布于基板1003上的示意图，纳米银 线电极层1005包括基质1007和嵌入在基质1007中的多根纳米银线1001，纳米银线1001 相互搭接形成导电网络。纳米银线1001的线长为l〇ym-300ym，优选为20ym-100ym，最 优其长度为20 y m-50 y m,线径小于500皿，或小于200皿，100皿，优选为小于50皿，且其长 宽比（线长与线径之比）大于10,优选大于50,更优选大于100。基板1003 -般为透明绝 缘材料。
[0039] 纳米银线1001散布或嵌入基质1007中，形成导电网络，依靠基质1007形成纳米 银线电极层1005,基质1007可W保护纳米银线1001不易受腐蚀、磨损等外界环境的影响。
[0040] 基质1007是指纳米银线溶液在经过涂布等方法设置在基板1003上，经过加热烘 干使得易挥发的物质挥发后，留在基板1003上的非纳米银线物质。纳米银线溶液是指，纳 米银线1001分散在特定的溶剂里而形成的息浮溶液，该溶剂可W是水、水溶液、离子溶液、 含盐溶液、超临界流体、油或其混合物等。该溶剂里还可含有其它添加剂，如分散剂、表面活 性剂、交联剂、稳定剂、润湿剂或增稠剂，但不W此为限。
[0041] 纳米银线电极层1005的厚度约为lOnm-5 Ji m，优选为20nm-l Ji m，更优为 10nm-200nm，方阻小于lOOohm/sq。在一些实施例中，纳米银线电极层1005的折射率为 1. 3-2. 5,更优为 1. 35-1. 8。
[0042] 请参阅图3,本实用新型第一实施例电容式触控面板10包括一基板11 W及一纳米 银线电极层13,纳米银线电极层13形成于基板11 一表面上，即基板11为纳米银线电极层 13的附着层。纳米银线电极层13包括在第一方向上（W下简称X方向）阵列设置的多个 第一电极串131，和在第二方向上（W下简称Y方向）阵列设置的多个第二电极串133,多 个第一电极串131与多个第二电极串133分别构成了两个方向上的触控电极。
[0043] 请参阅图4,第一电极串131和第二电极串133为纳米银线电极层1005图案化形 成，第一电极串131包括多个第一纳米银线导电单元1311，其为菱形，第一纳米银线导电单 元1311之间通过多条第一导接线1315实现串联，在两两相邻的第一电极串131之间包括 多个第一缕空区1313。相应地，第二电极串133包括多个第二纳米银线导电单元1331，也 为菱形，第二纳米银线导电单元1331之间彼此相对独立。从电容式触控面板10的正面看 过去，第一电极串131上的第一纳米银线导电单元1311与第二电极串133上的第二纳米银 线导电单元1331无重叠区域，也就是说，第二纳米银线导电单元1331设置在第一缕空区 1313内，最佳地，第一电极串131上的第一纳米银线导电单元1311与第二电极串133上的 第二纳米银线导电单元1331之间图形互补，该样使得光线穿过纳米银线电极层13的材质 尽量保持了一致，光学效果最佳，克服了因材质折射率差异所带来的光线不均匀，浮现电极 图案等缺点。
[0044] 请继续参阅图5、图6,由于第二纳米银线导电单元1331之间彼此相对独立，没有 实现电性导通，为使之电性导通，需采用"架桥结构"，基板11上表面排布有多个第一电极 串131和多个第二电极串133,第一电极串131的第一纳米银线导电单元1311通过第一导 接线1315相串联，第二电极串133的第二纳米银线导电单元1331相互独立，在基板11上 设置有贯通其上下两个表面的穿孔111，该穿孔111与第二纳米银线导电单元1331相对应， 本实施例中，每一个第二纳米银线导电单元1331对应两个穿孔111，两个穿孔111分别对应 于第二纳米银线导电单元1331的菱形沿Y方向的两个对角附近区域，穿孔111内灌注有导 电材料。基板11下方设置有桥接线18,桥接线18桥接两个相邻的穿孔111，用于连接导通 相邻两个第二纳米银线导电单元1331，最终使第二电极串133实现导通。
[0045] 所述导电材料可W为纳米银线导电材料、导电银浆、铜浆或其他导电金属浆或是 导电碳浆等非金属导电浆。第一电极串131和第二电极串133由一道制程图案化形成。
[0046] 所述穿孔111也可W对应在第二纳米银线导电单元1331图形中的任意位置，穿孔 111形状可W为圆形，方形，菱形，H角形，多边形，或不规则图形，其宽度为5ym-60ym，优 选为 10 y m-40 y m。
[0047] 每条桥接线18将相邻两个第二纳米银线导电单元1331导通，所述桥接线18的长 度大于或等于相邻两个穿孔111之间的距离，桥接线18的宽度大于穿孔111的宽度，桥接 线18完全覆盖穿孔111 W保证相邻两个第二纳米银线导电单元1331的完全导通，桥接线 18的材料采用纳米银线。
[0048] 请继续参阅图7,本实用新型电容式触控面板10还包括连通触控电极与外部柔性 电路板（简称FPC)的走线（未标号），走线包括多条第一走线171与多条第二走线173,每 一第一电极串131通过两条第一走线171连接至FPC，每一第二电极串133通过两条第二走 线173连接至FPC，该样，第一电极串131与第二电极串133通过多条第一走线171与第二 走线173形成双边走线，其加强传输信号，减弱信号衰减，即便是同一第一电极串131或第 二电极串133上其中一条第一走线171或其中一条第二走线173出现断线现象，电容式触 控面板10仍然能保持正常工作。该第一走线171和第二走线173材质为纳米银线1001，其 可与纳米银线电极层13同一道工艺一起图案化形成，也可采用传统ITO触摸屏工艺，由两 道制程分别图案化形成。
[0049] 本实施例还包括W下变形：
[0050] 走线除了采用纳米银线1001形成外，在另一些实施例中，走线还可W是其他透明 或不透明导电材料图案化后形成，所述透明导电材料如；IT0、IZO狂nO: In)、AZO狂nO:Al)、 GZO狂nO:Ga)、IGZ0(In:Ga:化）、纳米铜线、石墨帰、聚苯胺、阳DOT. PSS、透明导电高分子材 料、碳纳米管、石墨帰等；所述不透明导电材料如：导电金属Al、Ag、All、化等，或者是导电 金属层叠结构MoAlMo、MoNb等。
[0051] 第一纳米银线导电单元1311与第二纳米银线导电单元1331可W是矩形，其还可 W是H角形、六边形、多边形、圆形，波浪形或不规则图形等其他任意形状。
[0052] 与现有技术相比，本实施例电容式触控面板10的纳米银线电极层13主要采用了 纳米银线图案化后制作而成，纳米银线作为触控电极导电材料具有价格低，电阻低，轻薄， 挽性好等优点，更重要的是，本实施例电容式触控面板10通过将桥接线18设置于基板11 下表面，通过背面桥接的方式，使得桥接线18的制作变得简单，只需在对应的基板11背面 穿孔111位置印刷一层纳米银线层即可，简化了工艺的同时，相比在第一导接线1315上方 形成桥接线18需要在导接线上布设绝缘层，本实施例采用背面桥接，故无需在布设绝缘 层，符合触控面板轻薄化的发展趋势。桥接线18形成于基板11背面上，形成图案较为方便， 因此桥接线18的规格图案可W实现多样化，且图案化形成过程简单。
[0053] 除此W外，桥接线18设置于基板11的下表面，桥接线不会受到曲面张力，从而使 得桥接线18连接稳定，不易断线，可W大大的提升产品良率。
[0054] 请参阅图8,本实用新型第二实施例电容式触控面板20的结构与第一实施例基本 相同，基板21的一面上成型有多个第一电极串231和多个第二电极串233,第一电极串231 的第一纳米银线导电单元2311之间通过第一导接线2315相连，第二电极串233的第二纳 米银线导电单元2331通过在基板21另一面形成桥接线28导通，不同之处仅在于；该电容 式触控面板20在Y方向上相邻两个第二纳米银线导电单元2331之间设置了两条桥接线 28,该两条桥接线28的长度大于等于相邻两个穿孔211之间的距离，同时也大于两相邻第 二纳米银线导电单元2331在Y方向上的距离。相邻第二纳米银线导电单元2331之间的桥 接线28不限定条数，其还可W是多条。
[0055] 通过设置有多条桥接线28,其可实现低线电阻，并使得桥接更加稳定，大大提高触 控灵敏度，而且即使其中一条桥接线28断裂，其他桥接线28仍然正常工作，降低产品废片 率，大大提升广品良率。
[0056] 请参阅图9,本实用新型第H实施例电容式触控面板30的结构与第一实施例基本 相同，基板31的一面上成型有多个第一电极串331和多个第二电极串333,第一电极串331 的第一纳米银线导电单元3311之间通过第一导接线3315相连，第二电极串333的第二纳 米银线导电单元3331通过在基板31另一面形成桥接线38导通，不同之处仅在于；每一条 第二电极串333上的所有第二纳米银线导电单元3331之间仅通过一条桥接线38连接，实 现第二电极串333的电性导通，该桥接线38将所有第二纳米银线导电单元3331对应的所 有穿孔311导接，其长度大于第二电极串333首尾两个第二纳米银线导电单元3331的距 贸。
[0057] 请参阅图10,本实用新型第四实施例电容式触控面板50的结构与第H实施例基 本相同，基板51的一面上成型有多个第一电极串531和多个第二电极串533,第一电极串 531的第一纳米银线导电单元5311之间通过第一导接线5315相连，第二电极串533的第二 纳米银线导电单元5331通过在基板51另一面形成桥接线58导通，不同之处仅在于；该电 容式触控面板50在Y方向上通过两根紧邻的桥接线58将每个第二纳米银线导电单元5331 对应的两个穿孔511导接，还可W设置两根W上的桥接线58进行导通，在此不做限定。
[0058] 请参阅图11、图12和图13,本实用新型第五实施例电容式触控面板60的结构与 第一实施例基本相同，基板61的一面上成型有多个第一电极串631和多个第二电极串633， 第一电极串631的第一纳米银线导电单元6311之间通过第一导接线6315相连，第二电极 串633的第二纳米银线导电单元6331通过在基板61另一面形成桥接线68导通，不同之处 仅在于：所述桥接线68设置成"V "形、"Z "形、"S "形。
[0059] 请参阅图14,本实用新型第六实施例电容式触控面板70的结构与第一实施例基 本相同，基板71上设置纳米银线电极层73，该纳米银线电极层73包括多个沿X方向的第一 电极串731和多个沿Y方向的第二电极串733,第一电极串731和第二电极串733之间等间 距设置，不同之处在于；第一电极串731包括两条相互平行的第一子电极串7312,两条第一 子电极串7312之间平行设置并在两条第一子电极串7312同一端形成电性连接端，第二电 极串733与之类似，但是第二子电极串7332的纳米银线导电单元7331彼此通过基板71下 方的桥接线78相导通，实现电性连接，桥接线78的种类可选自上述桥接线中的任意一种或 其组合。如此一来，即便是电极串的其中一条子电极串出现线路断裂的状况时，也不影响电 容式触控面板70的正常工作。
[0060] 请参阅图15,本实用新型第走实施例电容式触控面板91与实施例一至实施例六 中任一实施例的区别仅在于：本实施例在基板911与纳米银线电极层913之间设置一增粘 层912,故电容式触控面板91从上至下包括一基板911，一增粘层912, 一纳米银线电极层 913。在基板911与纳米银线电极层913之间涂覆一层增粘层912,增粘层912的涂覆面积 为纳米银线电极层913表面面积的100%，或80% -90%，最低不低于50%，此处涂覆面积 W纳米银线1001成形的纳米银线电极层913表面面积为基准，即当纳米银线电极层913大 于、小于或等于基板911表面面积时，涂覆面积均为纳米银线电极层913表面面积的100 %， 或80 % -90 %，最低不低于50 %。
[0061] 所述增粘层912的膨胀系数小于基板911的膨胀系数，增粘层912的配置可W减 小可挽性基板911在成膜制造工艺中产生翅曲的程度，大大提高产品的良率。
[0062] 所述增粘层912的材料可W选自高分子聚合物、绝缘材料、树脂、透明光学胶、氧 化物，类光阻等，包括但不限于；聚己快、聚苯胺、聚芳撑、聚喔吩、石墨帰等物质或它们的任 意组合。
[0063] 请参阅图16,本实用新型第八实施例触控面板92与实施例一至实施例六中任一 实施例的区别仅在于；本实施例在纳米银线电极层923表面设置一平整层924,故，电容式 触控面板92从上至下包括一基板921，一纳米银线电极层923, 一平整层924。
[0064] 将平整层924涂覆在纳米银线电极层923上方，并经过滚压工艺处理后，能够使纳 米银线1001之间的搭接面积增大从而提高纳米银线1001的接触率和导电率，从而达到良 好的平整度。所述平整层924位于纳米银线电极层923上面，或优选的，纳米银线电极层 923在厚度方向上有部分嵌入平整层924中。
[0065] 所述平整层924的材料可W选自高分子聚合物、绝缘材料、树脂、透明光学胶、氧 化物，类光阻等，包括但不限于；聚己快、聚苯胺、聚芳撑、聚喔吩、石墨帰聚3,4-亚己基二 氧吩（P邸OT)、等物质或它们的任意组合。
[0066] 请参阅图17,本实用新型第九实施例触控面板93与实施例一至实施例六中任一 实施例的区别仅在于；本实施例在纳米银线电极层933下表面设置一光学匹配层936,故电 容式触控面板93从上至下包括一基板931，一纳米银线电极层933, 一光学匹配层936。在 其他实施例中，光学匹配层936也可W设置在纳米银线电极层933的上表面或同时设置在 纳米银线电极层933的上表面和下表面。
[0067] 纳米银线存在一定的雾度问题，为了使整个触控面板达到最佳的显示效果，本变 形实施例在触控面板的纳米银线电极层933下表面设置光学匹配层936,该光学匹配层936 为一层低折射率的光学膜，其可W降低纳米银线1001的反射，所述低折射率为折射率小于 1. 6,优选的为1. 1?1. 6。光学匹配层936可W为有机物或无机物，或有机-无机混合涂层。 例如娃氧化物，氯氣化物，氣化镇，二氧化娃，优选的折射率为1. 1，1. 25,1. 32,1. 38,1. 46， 1.50,1.52。光学匹配层936的光学膜厚度为1/4波长奇数倍。在本实施例中增加一光学 匹配层936后，纳米银线电极层933的雾度可降低至5%左右，优选地小于3%，2%，1. 5%。
[0068] 为进一步降低雾度，所述基板931可替换为1/4波长延迟片，当光通过四分之一波 长延迟片时产生反射，由于光程差延迟，入射光与反射光抵消，从而可W降低反射光，降低 纳米银线电极层933中纳米银线的雾度。此外，通过在纳米银线电极层933上方设置四分 之一波长延迟片，同时可W将LCD或OL邸的线偏光转化成圆偏光，从而在偏光太阳镜下观 看触控屏幕不会出现消光的现象。
[0069] 上述平整层924、增粘层912、光学匹配层936可任选一个添加至触控面板中，也可 任选两个添加或都添加。
[0070] W上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用W限制本实用新型，凡在本 实用新型的原则之内所作的任何修改，等同替换和改进等均应包含本实用新型的保护范围 之内。
【权利要求】
1. 一种电容式触控面板，包括一基板与一纳米银线电极层，纳米银线电极层设置在基 板一表面上，其特征在于：所述纳米银线电极层包括沿第一方向排布的第一电极串、第一导 接线和沿第二方向排布的第二电极串，第一电极串包括多个第一纳米银线导电单元，第二 电极串包括多个第二纳米银线导电单元； 基板上对应每个第二纳米银线导电单元区域内设置有贯通上下表面的穿孔，每个第二 纳米银线导电单元对应两个穿孔； 第一纳米银线导电单元通过第一导接线相连，第二纳米银线导电单元通过穿孔内的导 电材料和桥接线相导通，所述桥接线设置于基板异于纳米银线电极层的一面。
2. 如权利要求1所述的电容式触控面板，其特征在于：所述纳米银线电极层包括基质 及分布于所述基质中的多条纳米银线，所述多条纳米银线相互搭接形成导电网络，所述第 一纳米银线导电单元和第二纳米银线导电单元的厚度为l〇nm-5iim，方阻为小于lOOohm/ sq，所述多条纳米银线中的每条纳米银线的线长介于20-50 ii m，线径小于500nm，长宽比大 于 400。
3. 如权利要求1所述的电容式触控面板，其特征在于：一条桥接线通过穿孔导通连接 每条第二电极串上所有第二纳米银线导电单元。
4. 如权利要求1所述的电容式触控面板，其特征在于：至少一条桥接线通过穿孔导通 连接第二电极串上相邻的第二纳米银线导电单元。
5. 如权利要求4所述的电容式触控面板，其特征在于：两条平行并列的桥接线通过穿 孔导通连接第二电极串上相邻的第二纳米银线导电单元。
6. 如权利要求4或5任一项所述的电容式触控面板，其特征在于：所述桥接线的长度 大于或等于相邻第二纳米银线导电单元内的两个穿孔之间的距离。
7. 如权利要求3-5任一项所述的电容式触控面板，其特征在于：所述桥接线为直线、 "V"形、"Z"形或"S"形。
8. 如权利要求1所述的电容式触控面板，其特征在于：进一步包括第一走线和第二走 线，所述第一走线与所述第一电极串的一端或两端连接，所述第二走线与所述第二电极串 的一端或两端连接。
9. 如权利要求1所述的电容式触控面板，其特征在于：所述第一电极串和/或第二电 极串分别包括两条或多条平行排列的子电极串，该第一纳米银线电极串的两条或多条子电 极串同一端电性连接，该第二纳米银线电极串的两条或多条子电极串同一端电性连接。
10. 如权利要求1所述的电容式触控面板，其特征在于：纳米银线电极层两侧更设置增 粘层，平整层，光学匹配层之中的一层或多层，增粘层、平整层、光学匹配层之中的两或三层 可设置在电极图案层的同侧或异侧，光学匹配层，增粘层和平整层三者之间位置可互换。
【文档编号】G06F3/044GK204155256SQ201420534242
【公开日】2015年2月11日 申请日期:2014年9月17日 优先权日:2014年9月17日
【发明者】吕正源, 林荣琳, 王硕汶, 袁琼 申请人:宸鸿科技(厦门)有限公司