1.一种保护芯片测试模式的方法，该方法包括：
在芯片进行测试前的初始化时，将所述芯片中的电子可编程熔丝E-fuse模块的预定存储位置的比特位串作为保护码；
在所述芯片完成测试前的初始化后，从所述E-fuse模块的预定存储位置读取所述保护码；在所述保护码不为0时，禁止所述芯片进入测试模式；在所述保护码为0时，允许所述芯片进入测试模式，如果要禁止芯片下次进入测试模式，则更改所述保护码。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：
更改所述保护码，包括：将所述保护码的每一个比特位置为1。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：
所述保护码的长度是预先约定的。
4.一种保护芯片测试模式的方法，该方法包括：
在芯片进行测试前的初始化时，将所述芯片中的电子可编程熔丝E-fuse模块的第一存储位置的比特位串作为保护码，在所述E-fuse模块的第二存储位置写入密钥，在所述E-fuse模块的第三存储位置写入第一密文；
在所述芯片完成测试前的初始化后，从所述E-fuse模块的第一存储位置读取所述保护码；在所述保护码不为0时，禁止所述芯片进入测试模式；在所述保护码为0时，从所述E-fuse模块的第二存储位置读取所述密钥，从所述E-fuse模块的第三存储位置读取所述第一密文，从所述芯片中的其他存储模块中读取明文，利用所述密钥对所述明文进行加密获得第二密文；如果所述第二密文与所述第一密文不相同，则禁止所述芯片进入测试模式；如果所述第二密文与所述第一密文相同，则允许所述芯片进入测试模式，如果要禁止芯片下次进入测试模式，则更改所述保护码，或者，更改所述保护码和所述密钥。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，
更改所述保护码，包括：将所述保护码的每一个比特位置为1；
可选地，更改所述密钥，包括：将所述密钥的每一个比特位置为1。
6.一种保护芯片测试模式的装置，包括：
初始化模块，用于在芯片进行测试前的初始化时，将所述芯片中的电子可编程熔丝E-fuse模块的预定存储位置的比特位串作为保护码；
测试模式判断模块，用于在所述芯片完成测试前的初始化后，从所述E-fuse模块的预定存储位置读取所述保护码；在所述保护码不为0时，禁止所述芯片进入测试模式；在所述保护码为0时，允许所述芯片进入测试模式，如果要禁止芯片下次进入测试模式，则更改所述保护码。
7.如权利要求6所述的装置，其特征在于：
测试模式保护模块，用于更改所述保护码，包括：将所述保护码的每一个比特位置为1。
8.如权利要求6或7所述的装置，其特征在于：
所述保护码的长度是预先约定的。
9.一种保护芯片测试模式的装置，包括：
初始化模块，用于在芯片进行测试前的初始化时，将所述芯片中的电子可编程熔丝E-fuse模块的第一存储位置的比特位串作为保护码，在所述E-fuse模块的第二存储位置写入密钥，在所述E-fuse模块的第三存储位置写入第一密文；
测试模式判断模块，用于在所述芯片完成测试前的初始化后，从所述E-fuse模块的第一存储位置读取所述保护码；在所述保护码不为0时，禁止所述芯片进入测试模式；在所述保护码为0时，从所述E-fuse模块的第二存储位置读取所述密钥，从所述E-fuse模块的第三存储位置读取所述第一密文，从所述芯片中的其他存储模块中读取明文，利用所述密钥对所述明文进行加密获得第二密文；如果所述第二密文与所述第一密文不相同，则禁止所述芯片进入测试模式；如果所述第二密文与所述第一密文相同，则允许所述芯片进入测试模式，如果要禁止芯片下次进入测试模式，则更改所述保护码，或者，更改所述保护码并且更改所述密钥。
10.如权利要求8所述的装置，其特征在于：
测试模式保护模块，用于更改所述保护码，包括：将所述保护码的每一个比特位置为1；
测试模式保护模块，用于更改所述密钥，包括：将所述密钥的每一个比特位置为1。