触控基板、显示装置的制作方法

文档序号:12259096阅读:341来源:国知局
触控基板、显示装置的制作方法

本实用新型属于触控技术领域,具体涉及一种触控基板、显示装置。



背景技术:

一种现有的触控基板如图1、图2所示,包括多个同层设置且相互间隔的触控电极1,触控电极1分为发射电极11和感应电极12,在两种触控电极1交叉处,其中一种触控电极1(如发射电极11)桥接,通过两种触控电极1间的电容感应可实现触控。

触控基板的边缘部分的具有用于设置引线(连接触控芯片等)等的非触控区,非触控区的基底9上设置有黑矩阵51,用于遮挡引线以使其在外界不可见。与非触控区相邻的触控区的边缘部分仍要能实现触控功能,但因为该区域太靠近触控基板的边缘,故其中触控电极1间的电场分布与触控基板中部不同。为避免以上问题,可改变非触控区(以及与非触控区相邻的触控区的边缘部分)中触控电极1的形状,并形成与触控电极1间隔的辅助电极3,以调整电场分布。

黑矩阵51由黑色光阻材料构成,抗电击穿的性能较差;同时,触控基板在制备过程中不断经历摩擦、移动、吸附、分离、加热、冷却等,故会产生静电,但其基底9绝缘,故静电会积累在各电极(触控电极1和辅助电极3)中。当黑矩阵51上的相邻辅助电极3中积累的静电达到一定量时,会瞬间形成较大的放电电流将二者间的黑矩阵51击穿,造成辅助电极3开路、短路,导致其性能变差或永久失效。因此,现有触控基板的抗静电释放(ESD)能力差,制程良率低。



技术实现要素:

本实用新型至少部分解决现有触控基板的抗静电释放能力差,制程良率低的问题,提供一种抗静电释放能力强,制程良率高的触控基板、显示装置。

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种触控基板,其具有非触控区,所述非触控区设有由非导电材料构成的中介层,所述中介层所在位置还设有多个与中介层接触的第一辅助电极;所述触控基板还包括:

与第一辅助电极相邻且间隔设置的第二辅助电极,且第二辅助电极与中介层间隔设置。

优选的是,所述触控基板还包括:触控电极,其具有与中介层重叠且接触的叠置部分。

进一步优选的是,所述叠置部分在中介层上的垂直投影与第一辅助电极在中介层上的垂直投影间的最小距离大于等于60微米。

进一步优选的是,所述叠置部分在中介层上的垂直投影与第一辅助电极在中介层上的垂直投影间的最小距离大于等于100微米。

进一步优选的是,所述触控电极、第一辅助电极、第二辅助电极均由透明导电材料构成。

优选的是,任意两所述第一辅助电极在中介层上的垂直投影间的最小距离大于等于60微米。

进一步优选的是,任意两所述第一辅助电极在中介层上的垂直投影间的最小距离大于等于100微米。

优选的是,所述中介层由有机绝缘材料构成。

进一步优选的是,所述中介层由黑色光阻材料构成。

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种显示装置,其包括:

上述的触控基板。

本实用新型的触控基板中,相邻的第一辅助电极和第二辅助电极中,一个设在中介层上(或下),而另一个则位于与中介层外;因此它们之间即使产生放电,也不会因为中介层被击穿而导致开路、短路等(因为其中一个根本不与中介层接触),从而提高了触控基板的抗静电释放(ESD)性能和制程良率。

附图说明

图1为现有的一种触控基板的包括非触控区的局部俯视结构示意图;

图2为图1中沿AA’线的局部剖视结构示意图;

图3为本实用新型的实施例的一种触控基板的包括非触控区的局部俯视结构示意图;

图4为图3中沿BB’线的局部剖视结构示意图;

图5为图3中沿CC’线的局部剖视结构示意图;

图6为本实用新型的实施例的另一种触控基板的包括非触控区的局部俯视结构示意图;

图7为图6中沿DD’线的局部剖视结构示意图;

其中,附图标记为:1、触控电极;11、发射电极;12、感应电极;19、重叠部分;3、辅助电极;31、第一辅助电极;32、第二辅助电极;33、第三辅助电极;5、中介层;51、黑矩阵。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。

实施例1:

如图3至图7所示,本实施例提供一种触控基板,其具有非触控区,非触控区设有由非导电材料构成的中介层5,中介层5所在位置还设有多个与中介层5接触的第一辅助电极31;且触控基板还包括:

与第一辅助电极31相邻且间隔设置的第二辅助电极32,且第二辅助电极32与中介层间隔设置。

本实施例提供一种触控基板,该触控基板的周边部分为非触控区,在非触控区中设有由绝缘材料构成的中介层5,以及多个相互间隔并与中介层5接触的第一辅助电极31。同时,触控基板中还设有与第一辅助电极31相邻的第二辅助电极32(例如图3中BB’线两端所在的第一辅助电极31和第二辅助电极32就是相邻的)。该第二辅助电极32与中介层5间隔设置,也就是说,第二辅助电极32位于中介层5的边缘外(或者说位于触控区与非触控区相邻的位置),并与第一辅助电极31相对。

也就是说,如图3、图4所示,第一辅助电极31是位于中介层5上或中介层5下(此处的上下仅仅是针对图4中的位置而言,并无绝对限定意义)并与中介层5接触的,而与第一辅助电极31相邻的第二辅助电极32则设在中介层5外且不与中介层5接触。显然,对于以上的第一辅助电极31和第二辅助电极32,它们之间的间隔是沿中介层5的边缘分布的,或者说中介层5的边缘位于第一辅助电极31和第二辅助电极32间的间隙中。所述第一辅助电极和第二辅助电极是相互绝缘的。

由此可见,第一辅助电极31和第二辅助电极32是一个位于中介层5上,另一个位于中介层5下的,因此,它们之间即使产生放电,也不会因为中介层5被击穿而导致开路、短路等(因为其中一个根本不与中介层5接触),从而提高了触控基板的抗静电释放(ESD)性能和制程良率。

当然,为了起到改变电场的作用,除了第一辅助电极31和第二辅助电极32外,在的触控区与非触控区相邻的边缘部分中,还可在其他位置设有不与第一辅助电极31相邻的第三辅助电极33,在此不再详细描述。

优选的,触控基板中还包括触控电极1;触控电极1包括与中介层5重叠且接触的叠置部分19。

也就是说,触控基板中用于实现触控功能的触控电极1也有一部分会延伸到中介层5的位置,即如图3所示,触控电极1有一部分也设在中介层5上(或下),触控电极1的这部分称为重叠部分19。

其中,触控电极1可为互容模式,即以分为发射电极11和感应电极12,两种触控电极1的交叉处,其中一种触控电极1(如发射电极11)可通过桥接(图中未标号)方式连接。具体的,各发射电极11用于以扫描的方式轮流提供触控信号,而感应电极12中则产生相应的感应信号,当有手指进行触控时,触控位置处相邻触控电极1间的电容会变化,故该位置的感应电极12中的感应信号也会相应变化,因此,通过对感应信号进行分析,即可确定手指的位置,实现触控。

当然,以上触控电极1也可为其他形式,例如,可只有一种电极(即为自容模式),在此,对触控电极1的具体形式不再详细描述。

更优选的,触控电极1、第一辅助电极31、第二辅助电极32(当然也包括第三辅助电极33)均由透明导电材料构成。

触控电极1必然在用于显示的区域中也有分布,故其不能影响显示用光的透过,因此其优选由氧化铟锡(ITO)等透明导电材料构成。

当然,如果触控电极1是金属网格等其他形式,也是可行的。

更优选的,叠置部分19在中介层5上的垂直投影与第一辅助电极31在中介层5上的垂直投影间的最小距离大于等于60微米,更优选大于等于100微米。

显然,触控电极1的重叠部分19与第一辅助电极31均是位于中介层5所在区域的,故二者间无法采用以上的将一个电极设在无中介层的位置的方式防击穿。为此,可采用增大二者间距离的方式。如图3、图5所示,在本实施例中,触控电极1的重叠部分19和第一辅助电极31在中介层上的垂直投影间的最小距离(图中标的d)至少为60微米,更优选为100微米。随着间距的增大,触控电极1的重叠部分19和第一辅助电极31间的电场强度会相应降低,从而可避免造成中介层5的击穿。具体的,若触控电极1的重叠部分19和第一辅助电极31间的静电压差达到10kV,则在二者间的距离为30微米时,二者间的电场强度可达300MV/m,超过了一般聚合物的击穿强度;而若二者间的距离为100微米,则电场强度会降低至100MV/m左右,从而避免击穿。

优选的,至少部分第一辅助电极31相邻设置,相邻的两个第一辅助电极31间的最小距离大于等于60微米,更优选小于等于100微米。

显然,如图6、图7所示,所有的第一辅助电极31都是位于中介层5所在位置的,故它们之间也可能发生击穿,因此可将第一辅助电极31的投影间的最短距离(当然是相邻第一辅助电极31间的距离,图中标的d)也限定为至少为60微米,优选为100微米。

优选的,中介层5由有机绝缘材料构成。

相对于氮化硅、氧化硅等无机材料,通常有机绝缘材料的抗电击穿性能较差,因此若中介层5由有机绝缘材料构成,则更需要采用以上的电极结构。

更优选的,触控基板还包括:基底9;引线,引线设在中介层5远离基底9的一侧,中介层5由黑色光阻材料构成。

为将触控电极1的信号引到触控芯片等,触控基板的非触控区中需要设置引线。不同于触控电极1、第一辅助电极31、第二辅助电极32等,引线通常由金属等材料构成,故会造成反光,在外界可见。因此,可用黑色光阻材料构成中介层5(也就是黑矩阵51),并将引线设于中介层5上(即远离基底9的一侧),由于触控基板在使用时是基底9朝外,故可使引线不可见。

具体的,以上触控基板的制备过程可包括形成中介层5(黑矩阵51)的步骤,形成连接桥(如氧化铟锡连接桥)的步骤,形成树脂绝缘层的步骤,形成触控电极1、第一辅助电极31、第二辅助电极32、第三辅助电极33的步骤,形成树脂保护层的步骤等,在此不再详细描述。

可见,本实施例的触控基板中,并未增设新的结构,而只是稍微改变了部分触控电极1、第一辅助电极31、第二辅助电极32的形状、尺寸;因此,其制备工艺流程并无变化,制备方法与现有工艺差别小,容易实现,改造成本低;同时,由于触控电极1、第一辅助电极31、第二辅助电极32的变化很细微,故其对于非触控区中的电场分布、触控性能等也不会造成不良影响。

本实施例还提供一种显示装置,其包括:

上述的触控基板。

也就是说,可将触控基板与其他的结构组成能进行显示的显示装置。例如,显示装置中可包括显示面板(如液晶显示面板、预计发光二极管显示面板等),而以上触控基板可设在显示面板外,用于实现触控;或者,以上触控基板也可与显示面板中靠外侧的基板结合为一体,从而构成显示面板的一部分。

可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式,然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。

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