存储器存储方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电能表的存储技术领域，具体讲是一种存储器存储方法。
【背景技术】
[0002]现有技术的存储器(EEPROM、FLASH) —般都是有一定读写寿命的。若是长时间的对其中的一个地址或多个地址进行重复多次使用的话，则很容易导致该地址或多个地址的损坏，即无法再进行读写。因此，基于上述原因，亟待需要一种能够避免一个地址或多个地址被重复读写的存储器存储方法，该方法能够在一定程度上提高存储器的读写寿命，以解决上述问题。
【发明内容】
[0003]本发明要解决的技术问题是，提供一种能够避免一个地址或多个地址被重复读写的存储器存储方法。
[0004]本发明的技术方案是，提供一种存储器存储方法，包括以下步骤:
[0005](I)、在存储器内连续开辟K个连续区间，每个区间均由若干个连续地址组成；
[0006](2)、设置一个指针，并将该指针指向第一区间；
[0007](3)、将第一个区间读写N次，指针后移指向第二个区间；将第二个区间读写N次，指针后移指向第三个区间；……；将第K个区间读写N次，指针后移指向第一个区间；
[0008](4)、将第一个区间读写N次，指针后移指向第二个区间，依次类推。
[0009]所述的N = 5，K = 3。
[0010]采用以上方法后，本发明与现有技术相比，具有以下优点:
[0011]本发明存储器存储方法能够重复地利用多个地址，以避免其中的一个地址或多个地址进行重复多次使用，这样不仅不会导致该地址或多个地址的损坏，而且也提供了一定的使用间隔，从而能够在一定程度上提高存储器的读写寿命。
【具体实施方式】
[0012]下面结合具体实施例对本发明作进一步说明。
[0013]本发明(I)、在存储器内连续开辟K个连续区间，每个区间均由若干个连续地址组成；
[0014](2)、设置一个指针，并将该指针指向第一区间；
[0015](3)、将第一个区间读写N次，指针后移指向第二个区间，相当于将第一个区间的多个连续地址基本上读写5次；将第二个区间读写N次，指针后移指向第三个区间；……；将第K个区间读写N次，指针后移指向第一个区间；
[0016](4)、将第一个区间读写N次，指针后移指向第二个区间，依次类推。即将第一个区间读写5次，指针后移指向第二个区间，相当于将第一个区间的多个连续地址基本上读写5次；将第二个区间读写5次，指针后移指向第三个区间；将第3个区间读写5次，指针后移指向第一个区间，这样一直循环。
[0017](4)、将第一个区间读写N次，指针后移指向第二个区间，依次类推。
[0018]所述的N = 5，k = 3。
[0019]以上仅就本发明的最佳实施例作了说明，但不能理解为是对权利要求的限制。本发明不仅限于以上实施例，其具体结构允许有变化。但凡在本发明独立权利要求的保护范围内所作的各种变化均在本发明的保护范围内。
【主权项】
1.一种存储器存储方法，其特征在于:包括以下步骤: (1)、在存储器内连续开辟K个连续区间，每个区间均由若干个连续地址组成； (2)、设置一个指针，并将该指针指向第一区间； (3)、将第一个区间读写N次，指针后移指向第二个区间；将第二个区间读写N次，指针后移指向第三个区间；……；将第K个区间读写N次，指针后移指向第一个区间； (4)、将第一个区间读写N次，指针后移指向第二个区间，依次类推。2.根据权利要求1所述的存储器存储方法，其特征在于:所述的N= 5，K = 3。
【专利摘要】本发明公开了一种存储器存储方法，包括以下步骤：(1)在存储器内连续开辟K个连续区间，每个区间均由若干个连续地址组成；(2)设置一个指针，并将该指针指向第一区间；(3)将第一个区间读写N次，指针后移指向第二个区间；将第二个区间读写N次，指针后移指向第三个区间；……；将第K个区间读写N次，指针后移指向第一个区间；(4)将第一个区间读写N次，指针后移指向第二个区间，依次类推。上述方法能够避免一个地址或多个地址被重复读写，以保证存储器的存储寿命。
【IPC分类】G06F3/06, G06F12/02
【公开号】CN104899152
【申请号】CN201510300234
【发明人】郑坚江, 胡志刚
【申请人】宁波三星智能电气有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年6月5日