结构或者钛和铜的双层结构，但本发明不限于此。
[0064]第二感光图案155形成在第二金属层150上。第二感光图案155包括:第一开口部OPl，贯穿第二感光图案、与第一源电极SEl和第一漏电极DEl之间限定的第一沟道区域CHl对应形成；以及第一半色调部HPl，与第二源电极SE2和第二漏电极DE2之间限定的第二沟道区域CH2对应形成。第一开口部OPl与第二感光图案155开口的区域对应，并且第二金属层150的上表面的一部分通过第一沟道区域CHl中的第一开口部OPl暴露。第一半色调部HPl与第二感光图案155的厚度部分减少并且小于其相邻的厚度的区域对应，并且第二金属层150的上表面的部分在第二沟道区域CH2中未暴露。
[0065]使用第二感光图案155作为掩模蚀刻第二金属层150和氧化物半导体层140。可以通过湿蚀刻处理基本上同时蚀刻第二金属层150和氧化物半导体层140。因此，如图3F所示，第一氧化物半导体图案OSl和第二氧化物半导体图案0S2形成在光学响应图案SP上，并且第一源电极SEl和第一漏电极DEl分别形成在第一氧化物半导体图案OSl和第二氧化物半导体图案0S2上。此外，第三氧化物半导体图案0S3形成在栅极绝缘层120上、面对第二栅电极GE2，并且金属图案MP布置在第三氧化物半导体图案0S3上。因为基本上同时蚀刻第三氧化物半导体图案0S3和金属图案MP，所以第三氧化物半导体图案0S3和金属图案MP具有相同的形状。
[0066]参照图3G，回蚀刻第二感光图案155以形成第三感光图案157。第三感光图案157包括:形成贯穿第三感光图案以暴露与第二沟道区域CH2相对应的金属图案MP的第二开口部0P2。在回蚀刻处理中，在回蚀刻处理后可能增加第一开口部OPl的宽度。
[0067]使用第三感光图案157作为掩模，湿蚀刻第一源电极SE1、第一漏电极DE1、和金属图案MP。因此，如图3H所示，第一源电极SEl和第一漏电极DEl之间的第二距离d2 (参考图1)变得大于第一氧化物半导体图案OSl和第二氧化物半导体图案0S2之间的第一距离dl。同样，第二源电极SE2和第二漏电极DE2形成在第三氧化物半导体图案0S3上，并且第二源电极SE2和第二漏电极DE2在第二沟道区域CH2中彼此隔开。
[0068]湿蚀刻的第一源电极SEl使第一氧化物半导体图案OSl的上表面的边缘部分暴露并且湿蚀刻的第一漏电极DEl使第二氧化物半导体图案0S2的上表面的边缘部分暴露。湿蚀刻的第一源电极SEl还使布置在光学响应图案SP上的第一氧化物半导体图案OSl的上表面的一部分暴露并且湿蚀刻的第一漏电极DEl使布置在光学响应图案SP上的第二氧化物半导体图案0S2的上表面的一部分暴露。
[0069]此后，剥离第三感光图案157以完成如图1所示的基底基板110上的感测晶体管TRl和开关晶体管TR2。
[0070]在第三氧化物半导体图案0S3之前通过干蚀刻处理来图案化光学响应层130而形成光学响应图案SP，并且使用湿蚀刻处理图案化的第三氧化物半导体图案0S3用作开关晶体管TR2中的沟道层。因此，可以简化传感器基板100的制造过程并且可以增加其产量。
[0071]图4A至图4G是示出图2的传感器基板的制造过程的示例性实施方式的截面图。在示例性实施方式中，在图4A之前的制造方法与图3A至图3B中示出的那些基本相同，并且因此将省去对于相同处理的详细说明。
[0072]参照图4A，光学响应层130和欧姆接触层133形成在栅极绝缘层120上。光学响应层130包括非晶锗(a-Ge)或非晶硅锗(a_SiGe)，并且欧姆接触层133包括η+非晶硅(a_Si)ο
[0073]第一感光图案135形成在欧姆接触层133上。通过使用第一感光图案135作为掩模的干蚀刻处理来蚀刻光学响应层130和欧姆接触层133。在蚀刻处理之后将第一感光图案135剥离时，光学响应图案SP形成在栅极绝缘层120上并且欧姆接触图案OT形成在光学响应图案SP上，如图4B所示。
[0074]参照图4C，氧化物半导体层140和第二金属层150顺次堆叠在欧姆接触图案OT和栅极绝缘层120上。氧化物半导体层140包括非晶氧化物材料，例如铟-镓-锌-氧化物(In-Ga-Zn-O)或者多晶材料，例如氧化锌(ZnO)。
[0075]第二感光图案155形成在第二金属层150上。第二感光图案155包括:第一开口部OPl，贯穿第二感光图案、与第一源电极SEl和第一漏电极DEl之间限定的第一沟道区域CHl对应形成；以及第一半色调部HPl，与第二源电极SE2和第二漏电极DE2之间限定的第二沟道区域CH2对应形成。
[0076]使用第二感光图案155作为掩模基本上同时湿蚀刻第二金属层150和氧化物半导体层140。因此，如图4D所示，第一氧化物半导体图案OSl和第二氧化物半导体图案0S2形成在欧姆接触图案OT上，并且第一源电极SEl和第一漏电极DEl分别形成在第一氧化物半导体图案OSl和第二氧化物半导体图案0S2上。在对应于第一开口部OPl的区域中移除了第二金属层150和氧化物半导体层140，并且因此暴露了在第一沟道区域CHl中布置的欧姆接触图案OT的上表面。
[0077]第二感光图案155具有比光学响应图案SP的区域更大的区域。因此，第一氧化物半导体图案OSl完全覆盖布置在光学响应图案SP的一侧处的边缘部分，并且第二氧化物半导体图案0S2完全覆盖布置在光学响应图案SP的另一侧处的边缘部分。
[0078]此外，第三氧化物半导体图案0S3形成在栅极绝缘层120上、面对第二栅电极GE2，并且金属图案MP布置在第三氧化物半导体图案0S3上。
[0079]然后，通过使用第二感光图案155作为掩模的干蚀刻处理蚀刻了布置第一氧化物半导体图案OSl和第二氧化物半导体图案0S2之间的第一沟道区域CHl中的欧姆接触图案OTo如图4E所示，第一欧姆接触图案OTl形成在第一氧化物半导体图案OSl和光学响应图案SP之间并且第二欧姆接触图案0T2形成在第二氧化物半导体图案0S2和光学响应图案SP之间。
[0080]参照图4F，回蚀刻第二感光图案155以形成第三感光图案157。第三感光图案157包括:贯穿第三感光图案形成以暴露第三氧化物半导体图案0S3上与第二沟道区域CH2对应的金属图案MP的第二开口部0P2。在回蚀刻处理中，在回蚀刻处理之后可能增加第一开口部OPl的宽度。
[0081]参照图4G，使用第三感光图案157作为掩模湿蚀刻第一源电极SE1、第一漏电极DE1、和金属图案MP。然后，第一源电极SEl和第一漏电极DEl之间的第二距离d2(参考图1)变得大于第一氧化物半导体图案OSl和第二氧化物半导体图案0S2之间的第一距离dl (参考图1)，如图2所示。
[0082]此外，第二源电极SE2和第二漏电极DE2形成在第三氧化物半导体图案0S3上，并且第二源电极SE2和第二漏电极DE在第二沟道区域CH2中被布置为彼此隔开。
[0083]湿蚀刻的第一源电极SEl使第一氧化物半导体图案OSl的上表面的边缘部分暴露并且湿蚀刻的第一漏电极DEl使第二氧化物半导体图案0S2的上表面的边缘部分暴露。湿蚀刻的第一源电极SEl还使布置在光学响应图案SP上的第一氧化物半导体图案OSl的上表面的一部分暴露并且湿蚀刻的第一漏电极DEl使布置在光学响应图案SP上的第二氧化物半导体图案0S2的上表面的一部分暴露。
[0084]然后，当剥离了第三感光图案157时，在基底基板110上完成了感测晶体管TRl和开关晶体管TR2，如图2所不。
[0085]图5A至图是示出根据本发明的图2中所示的传感器基板的制造过程的另一个示例性实施方式的截面图。在示例性实施方式中，在图5A之前的制造方法与图3A至图3B中示出的那些基本相同，并且因此将省去对于相同处理的详细说明。
[0086]参照图5A，光学响应层130和欧姆接触层133形成在栅极绝缘层120上。光学响应层130包括非晶硅锗(a-SiGe)，并且欧姆接触层133包括η+非晶硅(a_Si)。
[0087]第四感光图案137形成在欧姆接触层133上。第四感光图案137包括第一沟道区域CHl中的第二半色调部HP2。通过使用第四感光图案137作为掩模的干蚀刻处理来蚀刻光学响应层130和欧姆接触层133。如图5B所示，当完成蚀刻处理时，光学响应图案SP形成在栅极绝缘层120上并且欧姆接触图案OT形成在光学响应图案SP上。
[0088]然后，回蚀刻第四感光图案137以在欧姆接触图案OT上形成第五感光图案139，如图5C所示。第五感光图案139包括贯穿第五感光图案形成的第三开口部0P3，以暴露与第一沟道区域CHl对应的欧姆接触图案0T。
[0089]使用第五感光图案139作为掩模蚀刻所暴露的欧姆接触图案0T，从而第一欧姆接触图案OTl和第二欧姆接触图案0T2形成在光学响应图案SP上，如图所示。然后，剥离第一欧姆接触图案OTl和第二欧姆接触图案0T2上的第五感光图案139。
[0090]因为在图中示出的处理之后的制造过程与参考图3E至图3H描述的制造方法基本相同，所以将省去相同处理的详细说明。
[0091]图6是示出根据本发明的显示装置的示例性实施方式的框图，图7是示出如在图6中示出的显示装置的多个传感器的示例性实施方式的电路图。
[0092]参照图6，显示装置500包括:显示面板300、定时控制器410、栅极驱动器420、数据驱动器430、扫描驱动器440、和读出电路450。
[0093]定时控制器410接收来自显示装置500外部的图像信号RGB和控制信号CS