式而继续使用。特别是，处于单层存储单元模式的不良的物理抹除单元因为其存储单元的电位范围较广，可让原来会发生错误的存储单元变成不会发生错误，而降低这些不良的物理抹除单元中的物理程序化单元所发生的错误比特数目，增进存储于这些不良的物理抹除单元的数据的稳定性，同时也因为可以继续使用错误比特数目超过错误比特数目门槛值的不良的物理抹除单元，而延长可复写式非易失性存储器模块的使用寿命。
[0157][第二范例实施例]
[0158]第二范例实施例在硬件架构上相似于第一范例实施例，而第二范例实施例与第一范例实施例不同的地方在于，第一范例实施例是基于物理抹除单元为单位对不良的物理抹除单元做处理，而第二范例实施例是基于物理程序化单元为单位，对不良的物理程序化单元做处理。以下将利用第一范例实施例的元件编号详细说明此第二范例实施例的不同之处。
[0159]当从主机系统1000接收一笔第一数据，存储器控制电路单元104 (或存储器管理电路202)会选择可复写式非易失性存储器模块的数据区502中还有空间的第一物理抹除单元410 (O)来写入第一数据。
[0160]如同第一范例实施例所述，存储器控制电路单元104 (或存储器管理电路202)会记录着第一物理抹除单元410 (O)的每个程序化单元的每个错误检查与校正框的错误比特数目。以上述图8的例子，第一物理抹除单元410 (O)中的第一物理程序化单元802的大小为2K bytes (2048bytes)，可存储4个错误检查与校正框大小的数据，分别为第一错误检查与校正框801、第二错误检查与校正框803、第三错误检查与校正框805、第四错误检查与校正框807、每个错误检查与校正框的大小为512bytes ;而第二物理程序化单元804的大小为2K bytes (2048bytes)，可存储4个错误检查与校正框大小的数据，分别为第一错误检查与校正框809、第二错误检查与校正框811、第三错误检查与校正框813、第四错误检查与校正框815、每个错误检查与校正框的大小为512bytes。举例来说，假设第一物理程序化单元802的第一错误检查与校正框801的错误比特数目为3，第二错误检查与校正框803的错误比特数目为4、第三错误检查与校正框805的错误比特数目为5、第四错误检查与校正框807的错误比特数目为11 ;第二物理程序化单元804的第一错误检查与校正框809的错误比特数目为3，第二错误检查与校正框811的错误比特数目为4、第三错误检查与校正框813的错误比特数目为5、第四错误检查与校正框815的错误比特数目为6。
[0161]存储器控制电路单元104 (或存储器管理电路202)会在写入数据到第一物理抹除单元410(0)中的物理程序化单元之前，根据所记录的物理程序化单元的错误检查与校正框的错误比特数目来判断在欲写入的物理程序化单元之中是否其中一个错误检查与校正框的错误比特数目大于错误比特数目门槛值。如上述的例子，系统预先定义的错误比特数目门槛值为10，而第一物理抹除单元410 (O)的第一物理程序化单元802中第四错误检查与校正框807的错误比特数目为11，大于错误比特数目门槛值。基此，存储器控制电路单元104 (或存储器管理电路202)会辨识出欲写入的第一物理程序化单元802的其中一个错误检查与校正框的错误比特数目大于错误比特数目门槛值，并且因此先将一笔虚拟数据(Dummy data)写入并填满第一物理程序化单元802。接着存储器控制电路单元104 (或存储器管理电路202)会判断下一个物理程序化单元(即，第二物理程序化单元804)中是否有任何错误检查与校正框的错误比特数目大于错误比特数目门槛值。如上述的例子，第二物理程序化单元804的每个错误检查与校正框的错误比特数目都不大于错误比特数目门槛值，因此，存储器控制电路单元104 (或存储器管理电路202)会将第一数据写入第二物理程序化单元804中。
[0162]值得一提的是，在另一范例实施例中，存储器控制电路单元104 (或存储器管理电路202)也可不将虚拟数据写入其中一个错误检查与校正框的错误比特数目大于错误比特数目门槛值的第一物理程序化单元802，而会先将此其中一个错误检查与校正框的错误比特数目大于错误比特数目门槛值的第一物理程序化单元802先标记为不良物理程序化单元或是先记录第一物理程序化单元802于一个不良物理程序化单元表中。之后，存储器控制电路单元104 (或存储器管理电路202)判断后续的物理程序化单元中是否有任一个错误检查与校正框的错误比特数目大于错误比特数目门槛值。依序直到找到所有错误检查与校正框的错误比特数目皆非大于错误比特数目门槛值的物理程序化单元时，才写入第一数据于此所有错误检查与校正框的错误比特数目皆非大于错误比特数目门槛值的物理程序化单元。
[0163]值得一提的是，在本范例实施例中，是记录每一物理程序化单元的错误检查与校正框的错误比特数目并据此决定是否将数据写入至所选择的物理程序化单元中。然而，本发明不限于此，在另一范例实施例中，存储器控制电路单元104 (或存储器管理电路202)还可将存有错误比特数目大于错误比特数目门槛的错误检查与校正框的物理程序化单元标记为不良物理程序化单元或记录于不良物理程序化单元表中。如此一来，之后，在执行写入指令时，存储器控制电路单元104 (或存储器管理电路202)可根据不良物理程序化单元的标记或不良物理程序化单元表，直接在不良物理程序化单元填入虚拟数据，如此一来，可以减少需要写入数据的时间，增进写入效率。
[0164]甲、而在另一范例实施例中，存储器控制电路单元104 (或存储器管理电路202)还可以在系统闲暇时，例如，一段预定时间未接收到任何指令时，检查在每个物理程序化单元中是否有任一个错误检查与校正框的错误比特数目大于错误比特数目门槛值(以下称不良的物理程序化单元)。并且，在辨识到有不良的物理程序化单元时，除了如上所述，做标记或是记录不良的物理程序化单元的步骤之外，存储器控制电路单元104 (或存储器管理电路202)还检查此不良的物理程序化单元之中，是否存储有有效数据，其中倘若存储着有效数据，存储器控制电路单元104 (或存储器管理电路202)将有效数据复制到非不良的物理程序化单元中，并且将原本映射到此不良的物理程序化单元的逻辑子单元重新映射到新存储着有效数据的非不良的物理程序化单元中，而在之后此不良的物理程序化单元所属的物理抹除单元进行抹除操作之后，于写入有效数据的同时，可根据标记或是坏物理程式单元表写入虚拟数据于不良的物理程序化单元中。
[0165]乙、图10为根据本发明的范例实施例，所示出的数据存储方法的流程图。
[0166]请参照图10，在步骤S1001中，存储器控制电路单元104(或存储器管理电路202)会从主机系统1000中接收一笔第一数据，接着在步骤S1003中，存储器控制电路单元104(或存储器管理电路202)会选择一个物理抹除单元(以下称为第一物理抹除单元)的一个物理程序化单元(以下称为第一物理程序化单元)作为目标物理程序化单元，接着在步骤S1005中，存储器控制电路单元104 (或存储器管理电路202)会检查在此目标物理程序化单元中是否其中一个错误检查与校正框的错误比特数目大于错误比特数目门槛值。倘若是，则接着在步骤S1007中，存储器控制电路单元104 (或存储器管理电路202)会写入并填满一笔虚拟数据于此目标物理程序化单元。
[0167]在写入并填满一笔虚拟数据于此目标物理程序化单元之后，接着回到步骤S1003中，存储器控制电路单元104 (或存储器管理电路202)会继续选择第一物理抹除单元的一个物理程序化单元作为目标物理程序化单元，值得注意的是，此时所选择的目标物理程序化单元为配置于刚刚存储虚拟数据的物理程序化单元之后的一个物理程序化单元，接着再执行步骤S1005。
[0168]若是在步骤S1005中判断在目标物理程序化单元中所有错误检查与校正框的错误比特数目皆非大于错误比特数目门槛值时，接着在步骤S1009中，存储器控制电路单元104 (或存储器管理电路202)会写入第一数据于此目标物理程序化单元中。
[0169]综上，根据第二范例实施例的描述，可得知本发明还可以使系统基于物理程序化单元，来对不良的物理程序化单元做处理，避免将数据写入不良的物理程序化单元，造成数据损坏，也可继续使用含有不良的物理程序化单元的不良物理抹除单元，不需使用如第一范例实施例所述，将此不良物理抹除单元设定成第二程序化模式物理抹除单元来继续操作。如此一来，相较于第一范例实施例，第二范例实施例还可以继续使用相较于第二程序化模式物理抹除单元，有着较大存储空间的非第二程序化模式物理抹除单元，同时也能达到延长可复写式非易失性存储器模块的使用寿命。
[0170]值得一提的是，于另一范例实施例中，第一范例实施例和第二范例实施例的方法也可以并存。也就是说，存储器控制电路单元104 (或存储器管理电路202)可以在写入第一数据于已经设定成单层存储单元模式的物理抹除单元之前，相似于第二范例实施例的方法，检查此第二程序化模式物理抹除单元中的物理程序化单元是否有不良的物理程序化单元，写入虚拟数据到不良的物理程序化单元，再将第一数据写入非不良的物理程序化单元中，或是如上所述，可先不写入虚拟数据于不良的物理程序化单元中，而先标记或是记录此不良的物理程序化单元，再写入第一数据于非不良的物理程序化单元。而在另一范例实施例中，存储器控制电路单元104 (或存储器管理电路202)还可以在此第二程序化模式物理抹除单元含有不良的物理程序化单元的数目大于一不良物理程序化单元门槛值时，再将此物理抹除单元标记为坏物理抹除单元。如此一来，可继续延长第二程序化模式物理抹除单元的使用寿命。
[0171 ] 而在本发明概念中，错误检查与校正框在本发明的范例实施例中，只是一个用来设定检查每个物理程序化单元的错误比特数目的预设区域的大小的例子，本发明不限于此。
[0172]综上所述，本发明可基于物理抹除单元为单位或是基于物理程序化单元为单位，来对不良的物理抹除单元或是不良的物理程序化单元做处理，藉此可以增进数据存储的稳定性，同时通过继续使用不良的物理抹除单元或是不良的物理程序化单元，以延长可复写式非易失性存储器模块的使用寿命。
[0173]最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
【主权项】
1.一种数据存储方法，用于一可复写式非易失性存储器模块，其特征在于，该可复写式非易失性存储器模块具有多个物理抹除单元，每一该些物理抹除单元具有多个物理程序化单元，且每一该些物理抹除单元的该些物理程序化单元包括多个下物理程序化单元与多个上物理程序化单元，该数据存储方法包括: 选择该些物理抹除单元之中的一第一物理抹除单元，其中该第一物理抹除单元的每一物理程序化单元具有一个或多个预设区域； 使用一第一程序化模式来存储一第一数据，其中该第一数据被程序化至该第一物理抹除单元的该些下物理程序化单元的至少其中之一与该些上物理程序化单元的至少其中之 记录该第一物理抹除单元的每一该些预设区域的一错误比特数目； 判断是否该第一物理抹除单元的该些物理程序化单元的所述预设区域之中的至少其中一个预设区域的该错误比特数目大于一错误比特数目门槛值；以及 倘若该第一物理抹除单元的该些物理程序化单元的该些预设区域之中的至少其中一个预设区域的该错误比特数目大于该错误比特数目门槛值时，在将该第一物理抹除单元中的该第一数据抹除之后，使用一第二程序化模式来存储一第二数据， 其中使用该第一程序化模式对该可复写式非易失性存储器模块进行程序化操作时所需要的程序化次数大于使用该第二程序化模式对该可复写式非易失性存储器模块进行程序化操作时所需要的程序化次数。2.根据权利要求1所述的数据存储方法，其特征在于，该第二程序化模式包括: 一单层存储单元模式以及一下物理程序化模式至少其中之一， 其中在该单层存储单元模式中，一个存储单元只存储有一个比特的数据，其中在该下物理程序化模式中，只有该些下物理程序化单元会被程序化。3.根据权利要求1所述的数据存储方法，其特征在于，还包括: 在将该第一物理抹除单元中的该第一数据抹除之前，判断该第一数据是否为有效的数据；以及 倘若该第一数据是有效的数据时，将该第一数据复制至该些物理抹除单元之中的一第二物理抹除单元中，并将原映射该第一物理抹除单元的一逻辑单元重新映射至该第二物理抹除单兀， 其中该第二物理抹除单元的任一预设区域的错误比特数目非大于该错误比特数目门槛值。4.根据权利要求1所述的数据存储方法，其特征在于，还包括: 倘若该第一物理抹除单元的该些物理程序化单元的所述预设区域之中的至少其中一个预设区域的该错误比特数目大于该错误比特数目门槛值时，记录该第一物理抹除单元于一第二程序化模式物理抹除单元分布表中。5.根据权利要求1所述的数据存储方法，其特征在于，还包括: 倘若该第一物理抹除单元的该些物理程序化单元的所述预设区域之中的至少其中一个预设区域的该错误比特数目大于该错误比特数目门槛值时，标记该第一物理抹除单元为一第二程序化模式物理抹除单元。6.根据权利要求1所述的数据存储方法，其特征在于，还包括在上述使用该单层存储单元模式来存储该第二数据的步骤之前，以一单层存储单元模式抹除指令对该第一物理抹除单元执行一抹除操作。7.根据权利要求1所述的数据存储方法，其特征在于，还包括: 判断该第一物理抹除单元是否已被记录在该第二程序化模式物理抹除单元分布表中； 倘若该第一物理抹除单元已被记录在该第二程序化模式物理抹除单元分布表中时，使用该单层存储单元模式抹除指令对该第一物理抹除单元执行该抹除操作；以及 倘若该第一物理抹除单元非被记录在该第二程序化模式物理抹除单元分布表中时，使用一多层存储单元模式抹除指令对该第一物理抹除单元执行该抹除操作。8.根据权利要求1所述的数据存储方法，其特征在于，还包括: 判断该第一物理抹除单元是否已被标记为该第二程序化模式物理抹除单元； 倘若该第一物理抹除单元已被标记为该第二程序化模式物理抹除单元时，使用该单层存储单元模式抹除指令对该第一物理抹除单元执行该抹除操作；以及 倘若该第一物理抹除单元非被标记为该第二程序化模式物理抹除单元时，使用一多层存储单元模式抹除指令对该第一物理抹除单元执行该抹除操作。9.一种数据存储方法，用于一可复写式非易失性存储器模块，其特征在于，该可复写式非易失性存储器模块具有多个物理抹除单元，每一该些物理抹除单元具有多个物理程序化单元，且每一该些物理抹除单元的该些物理程序化单元包括多个下物理程序化单元与多个上物理程序化单元，该数据存储方法包括: 接收一第一数据； 选择该些物理抹除单元之中的一第一物理抹除单元，其中该第一物理抹除单元的每一物理程序化单元具有一个或多个预设区域；