>[0043]图2E示出了出自图2A至图2D的芯片卡模块的结构的叠加图示；
[0044]图3示出了依据不同的实施例的芯片卡模块的接触区域；以及
[0045]图4示出了依据不同的实施例的用于制造芯片卡模块的方法。
[0046]在图中，贯穿不同的示图，相同或类似的附图标记表示相同或相似的装置(模块)或步骤。
【具体实施方式】
[0047]在接下来的详细的描述之中将参照所附的附图来进行，其中一部分用于示出具体的实施形式，在其中的图示之中能够实施该发明。在该些图示之中，方向术语如“上”、“下”、“前”、“后”、“更前”、“更后”等用于参照所描述的图(多个图)的方向。因为实施例的组件能够被定位在许多不同的方向之上，所以方向术语是为了说明之用途而非以任何方式来加以限制。应当理解，其他实施形式也能够加以利用并且能够进行结构或逻辑上的修改而不脱离本发明的范围。应当理解，本文所描述的各种示例性实施方式的特征能够彼此结合，除非另外特别说明的除外。下面的详细的描述因此不应当被解释为限制性的，并且本发明的范围由所附的权利要求来加以限定。
[0048]在本说明书的范围之中，概念“相连接”、“连接”以及“耦合”被用于描述直接地以及间接地相连接，直接的或者间接地连接以及直接地或者间接地耦合。在附图中将有利地以相同的附图标记来标注相同的或者相似的元件。
[0049]图1A至图1F示意性地示出了依据不同的实施例的在其制造的不同阶段期间的芯片卡模块100的截面图图示。其中如此地示出为了清晰地示出的重要的结构，而不是将其在芯片卡模块100之中以横截面视图来设置，尽管一个或者多个结构在一个具有接近实际的装置(例如在图1G之中)的实施例之中并不处于同一平面或者它们仅仅相交。
[0050]在不同的实施例之中，该芯片卡模块100如在图1A之中所示出的那样能够包括具有第一主表面105和与该第一主表面相对置的第二主表面107的基体106。
[0051]该基体106能够具有介电材料或者基本上由其所组成。该介电材料能够是物美价廉的，其例如能够为塑料材料，例如聚合物。该聚合物例如能够为聚酯，例如PET或聚萘二甲酸(PEN)或聚酰亚胺(PI)。替代地，该基体106能够包括另一种物美价廉的介电材料。
[0052]在不同的实施例之中，该芯片卡模块100能够包括第一金属结构108。该第一金属结构108能够例如部分地或者完全地由天线108所组成。该第一金属结构能够例如设置在基体106的第二主表面107之上。该第一金属结构108能够被设置在一个平面之中，该平面基本上与该第二主表面107平行地加以走向。
[0053]第一金属结构108能够包括导电的材料。该导电的材料包括或者有以下材料中的至少一种所组成:金属、金属材料、合金、金属间化合物、铜、招、钛、氮化钛、妈、金、银、镍、
锌、招娃合金。
[0054]第一金属结构108能够借助于在基体106之上所形成的层和该层的蚀刻例如借助于铜蚀刻技术或者借助于铝蚀刻技术来形成或者加以构造。
[0055]在不同的实施例之中，第一金属结构108(例如天线108)能够包括单个的电导体或者基本上由其所组成。第一金属结构108能够如此地设置在一个平面之中，使得其围绕该区域，例如围绕矩形或者正方形区域。在不同的实施例之中，第一金属结构108能够如其在图1G中所示出的那样被形成或者构造为围绕矩形或者正方形区域的扁平螺旋。
[0056]在不同的实施例之中，该芯片卡模块100包括另一个金属结构114，例如结构化的另一个金属结构114。该另一个金属结构114能够被设置在基体106的第一主表面105之上。
[0057]另一个金属结构114能够借助于在基体106之上的金属层的形成和该金属层的蚀刻来形成或者加以构造。
[0058]在不同的实施例之中，该基体106能够包括至少一个通孔接触110、160 (对于通孔接触160来说请参见图1B)。
[0059]在通孔接触之中设置开口，该开口穿过该材料地加以构造，例如借助于冲孔、蚀亥IJ、激光打孔或者钻孔来形成，并且如此地加以设置，使得通过该些开口能够导通电流，例如借助于导电的涂层，例如沿着该开口的内表面，或者借助于导体例如金属丝或者针，其安装在该开口之中。为了简便起见也将随后设置有导体或者导电的涂层的开口描述为通孔接触，例如图1B之中的通孔接触160，在其中刚好设置有图1F之中的导电的连接168。
[0060]通孔接触110能够包括导电的材料或者基本上由其所组成。例如，该开口的内表面能够导电地加以涂覆，例如金属化或者该开口能够借助于导电的材料来加以填充。在不同的实施例之中，该通孔接触110、160能够具有在约0.3mm至1.5mm范围内的直径，例如具有约0.5mm至Imm范围内的直径。
[0061]在不同的实施例之中能够借助于该通孔接触110来在第一金属结构108和另外的金属结构114之间制造或者被制造导电的连接。
[0062]如在图1B中所示出的那样，在不同的实施例之中该芯片卡模块100能够具有由电绝缘的材料所制成的层109，亦被描述为介电层109。
[0063]该电绝缘材料109能够覆盖第一金属结构108。
[0064]在不同的实施例之中，该介电层109能够包括介电质，例如为聚合物例如硅树脂、聚对苯二甲酸乙酯(PET)、聚氯乙烯(PVC)或聚碳酸酯(PCB)。该介电层109能够包括胶黏剂，例如粘结材料例如硅树脂。该介电层109能够例如具有胶黏剂例如粘结材料，该粘结材料能够被用于将第二金属结构162 (参见图1C)层压在第一金属结构108和基体106之上，例如为能够被用于冷层压的粘结材料或者例如为在加热到其熔点之上之后例如在层压过程之中其粘结作用的热塑胶，其中，该粘结作用也能够在该介电层109冷却之后继续保持。
[0065]在不同的实施例之中，该芯片卡模块100能够具有通孔接触160，其穿过该基体106和介电层109地加以形成或者构造。
[0066]如在图1C中所示出的那样，该芯片卡模块100在不同的实施例之中能够包括第二金属结构162。该第二金属结构162能够被设置在介电层109之上。其中，该第二金属结构162如此地加以设置，使得其至少基本上覆盖该通孔接触160的开口的下部末端，该末端被设置在该介电层109之中。
[0067]该第二金属结构162能够为金属层，例如铜层或者铜合金层，或者基本上由金属所组成。其能够例如包括Cu、Al、Au、Ag、Pt、T1、N1、Sn、Zn和Pb的至少一种金属。
[0068]该第二金属结构162能够具有在约5 μπι至约100 μπι范围内的厚度，例如在约10 μπι至约50 μ m范围内的厚度，例如在约12 μπι至约30 μπι范围内的厚度。
[0069]在不同的实施例之中，该第二金属结构162能够被层压在基体106的第二主表面107和第一金属结构108之上，例如借助于被构造为胶黏剂例如粘结材料的介电层109。换句话说，该第二金属结构162能够借助于胶黏剂109而粘结在第二主表面107和第一金属结构108之上。该第二金属结构162能够如此地被设置在第一金属结构108之上，使得不会在第一金属结构108和第二金属结构162之间形成任何直接的导电接触。换句话说，该介电层109能够如此地设置在第一金属结构108和第二金属结构162之间，使得该介电层使得第一金属结构108相对于第二金属结构162电绝缘。
[0070]如在图1D中所示的那样，该第二金属结构162能够在不同的实施例中不同地加以结构化。在第二金属结构162的结构之中还能够结构化一个介电层109。该第二金属结构的结构以及可能的介电层109能够借助于光刻和蚀刻方法来实现。例如，在第二金属结构162和可能的在介电层109之中能够设置例如以开口、沟槽等为形式的非导电结构164。
[0071]在不同的实施例之中能够借助于第二金属结构162的结构化来形成具有多个电接触的接触区域(参见例如图1G、图2Ε、图3和相应的所属的说明)，借助于非导电结构164使得它们相互电绝缘。
[0072]如在图1E之中所示出的那样，在该芯片卡模块100的裸露的金属面之上能够设置有层166。该层166能够例如朝向第一主表面105和/或朝向第二主表面107地加以设置。概括地讲，该层166能够从第一主表面105之上涂覆至第一主表面之中，从而使得该层166既在该第一主表面105之上例如在另一个金属结构114至上形成，也在另一个裸露的金属面之上，该另一个裸露的金属面在所描述的安装方向上实现，然而例如能够设置在第一主表面105 (并且也在第二主表面107)之下，例如在至少一个通孔接触160之中。类似地，该层166能够从第二主表面107之下涂覆至第二主表面107之中，从而使得该层166既在第二主表面107之下例如在第二金属结构162之上加以构造(参见图1E下面和左边以及右边起)，也在另一个裸露的金属面(未示出)之上，该裸露的金属面在所描述的安装方向之上加以实现。
[0073]根据需要，该层166在不同的实施例之中在第一主表面105之上能够包括相同的材料，和在第二主表面107之上一样，或者该层166能够在第一主表面105和在第二主表面107之上包括不同的材料。
[0074]该层166能够一层或者多层地加以构造。该层166能够包括相应的材料，这些材料适于为裸露的金