专利名称：薄膜磁头的制造方法及其制造装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及在对诸如磁盘装置等中使用的薄膜磁头实施研磨加工时，可以实施高精度研磨加工的薄膜磁头用制造方法以及制造装置。
现有的薄膜磁头通常是在由诸如氧化铝-碳化钛(Al2O3-TiC)等材料构成的基板上，通过诸如溅射等方法依次叠层设置构成薄膜磁性元件用的、诸如绝缘层、磁性层和导电层等的薄膜层，进而根据需要通过诸如照相平版印刷方法和离子研磨方法等方法，对各薄膜层实施加工的方式制造的。
采用这种薄膜磁头制造方法，便可以在如图5所示的基板2上形成呈若干列的若干个薄膜磁性元件1(在图5中仅示出了其中的一部分)。薄膜磁性元件1可以是一种所谓的磁阻/电感型复合磁头，这种复合磁头具有与写入用电感型磁头形成为一体的、对记录信息实施读取用的磁性阻抗效应元件的磁阻型磁头(MR磁头)。与薄膜磁性元件1间的导通连接，可以通过与薄膜磁性元件1相导通的电极4实现。沿着虚线对基板2实施切断即可获得如图6所示的棒状滑动体(スライダバ-)3。
在制造磁阻型磁头时，需要依据预定值对位于所述薄膜磁性元件1中磁阻型磁头处的磁性阻抗效应元件的高度实施调整。对磁阻体高度值的这种调整，可以通过取若干个已形成的磁性阻抗效应元件中的某些个作为监测元件，进而对连接在磁性阻抗效应元件两个端部处的电极层之间的直流电阻值(DCR值)实施测定，同时对如图6所示的暴露表面(ABS面)3a实施研磨加工的方式进行。
通过在所述直流电阻值进入至与精加工制成品值相关的公差范围内之前，持续对所述暴露表面3a实施加工的方式，便可以将磁性阻抗效应元件的高度值(磁阻体高度值)设定为适当的值。而且在使磁阻体高度值达到需要之后，按照如图6中的虚线部分对棒状滑动体3实施切断，便可以获得呈一个个形状的薄膜磁头。由所述棒状滑动体3处分离出的一个个基板即为滑动体(スライダ)。这种滑动体上的暴露表面3a将与记录媒体相对设置，并且由移动着的记录媒体处获得浮起力。
如果举例来说，可以利用如图8所示的研磨平台21，为获得所述的磁阻体高度值而实施研磨加工。即可以将如图6所示的棒状滑动体3中的暴露表面3a，抵接在所述研磨平台21处。随后对研磨平台21实施转动驱动，并且对棒状滑动体3上的暴露表面3a实施研磨加工。
图9为表示为获得所述磁阻体高度值而实施研磨加工用的示意性流程图。
研磨加工可以由向研磨平台21的上表面处供给研磨液而实施加工的粗加工(请参见图9A)，以及根据需要实施的、向研磨平台21的上表面供给润滑油而实施加工的精加工(请参见图9B)构成。
如图9A所示的粗加工，可以通过一边对监测元件的直流电阻值实施监测，一边进行研磨加工的方式进行，进而在其进入至预定的直流电阻值范围之内时结束加工。
如图9B所示的精加工，可以通过类似的方式进行，即通过一边对监测元件的直流电阻值实施监测一边进行研磨加工的方式进行，当直流电阻值进入至与精加工制成品值相关的公差范围内时，即认为磁阻体高度值已进入至与精加工制成品值相关的公差范围内而结束加工。
然而如图9A、图9B所示的现有研磨方法，存在有在研磨加工后的薄膜磁头处，即在棒状滑动体3上的暴露表面3a与薄膜磁性元件1之间残存有差量的问题。
图11A为表示在研磨加工开始前、图11B为表示在加工过程中或在加工之后，棒状滑动体3与薄膜磁性元件1用的示意性侧面图。通过对薄膜磁性元件1实施的成膜作业(请参见图5所示的工序)，可以形成有盖覆着薄膜磁性元件1的盖覆层5。这一盖覆层5可以由诸如氧化铝(Al2O3)和氧化硅(SiO2)等材料构成。
如图9A所示的粗加工，是通过向研磨平台21的表面供给包含有微粒的研磨液，并对暴露表面3a实施研磨加工的方式实施的。
主要由氧化铝和坡莫合金(NiFe)等材料构成的薄膜磁性元件1，被研磨的速度要比由诸如氧化铝-碳化钛(Al2O3-TiC)等材料构成的棒状滑动体3更快。因此在经过粗加工时，将会如图11B所示，在棒状滑动体3的暴露表面3a与薄膜磁性元件1的记录媒体相对面1a之间，容易产生差量。
特别是当通过向研磨平台21的表面施加研磨液而实施粗加工时，研磨液内的微粒将进一步加快对薄膜磁性元件1上相对面1a的研磨速度，从而会使所述差量(凹退量)进一步增大。在下面，该差量(凹退量)由字母R表示。这一凹退量R在磁性阻抗效应元件上的相对面1a与棒状滑动体3上的暴露表面3a保持为一致时为0，并且取差量增大的方向为正方向。
在这儿，如图9A所示的粗加工，仅仅是对磁性阻抗效应元件的直流电阻值实施监视的条件下进行研磨加工的，虽然由此可以使所述直流电阻值进入至预定范围之内，即可以使磁性阻抗效应元件的高度值(磁阻体高度值)进入至预定范围，然而并不能由此对棒状滑动体3的暴露表面3a的研磨程度作出适当判断。因此，即使已经对薄膜磁性元件1上的相对面1a研磨掉足够的量，所述的磁阻体高度值也可能并未进入至预定范围，而且当对棒状滑动体3上的暴露表面3a的研磨量不足够大时，往往就会沿正方向产生相当大的凹退量R。
即使随后进行精加工，在其研磨过程中薄膜磁性元件1上的相对面1a，也会以比棒状滑动体3上的暴露表面3a更快的研磨速度被研磨。因此，对于粗加工时凹退量R比较大的场合，即对于棒状滑动体3上的暴露表面3a与薄膜磁性元件1上的相对面1a之间的残余差量比较大的场合，当进入至精加工，仅仅如图9B所示，即仅仅在对直流电阻值实施监视的条件下进行研磨加工时，往往会出现当薄膜磁性元件1的直流电阻值进入至与精加工制成品值相关的公差范围之内时，仍然存在有比较大的凹退量R的问题。
换句话说就是，如果当粗加工结束时的凹退量R比较大，且精加工的加工时间比较短时，将不能够按照充分降低棒状滑动体3上的暴露表面3a处的差量(凹退量)R的方式实施研磨加工，所以还存在有在精加工研磨结束时仍存在有凹退量R的问题。
近年来随着记录媒体的高密度化，在所需要的驱动状态下，薄膜磁头中薄膜磁性元件1上的相对面1a与记录媒体之间的距离，需要尽可能地缩短，以便能够尽可能地减少间隔损失。因此，需要被使用在这种设备中的薄膜磁头如果仍存在有如前所述的差量(凹退量)，就会使间隔损失增大，使记录/再生特性恶化。
而且在进行研磨加工时，研磨平台21通常是按照100转/每分钟(rpm)的转速转动的。在过去是当精加工结束时，通过阶段型驱动方式，按照使供给至驱动研磨平台21用电动机的电力由所述驱动状态，一下进入至停止状态的方式实施控制的。因此，在精加工结束时研磨平台21是由高速转动状态突然停止运行的，所以还存在有在棒状滑动体3上的暴露表面3a和薄膜磁性元件1上的相对面1a处会产生有划伤的问题。
出现在棒状滑动体3上的暴露表面3a处的划伤，将作为滑动体暴露表面处的划伤而被保留下来，所以由此还会产生浮起在记录媒体上时的浮起特性不稳定，或是会在记录媒体的表面上产生划伤的问题。
本发明就是解决上述问题用的发明，本发明的目的就是提供一种可以按照使棒状滑动体上的暴露表面与磁性阻抗效应元件上的记录媒体相对面之间的差量为最小的处理方式，实施研磨加工的薄膜磁头用制造方法以及制造装置。
而且，本发明的目的还在于提供一种可以防止在精加工结束时在棒状滑动体的暴露表面处产生划伤的问题出现的薄膜磁头用制造方法以及制造装置。
为了能够解决上述问题，本发明提供了一种薄膜磁头用制造方法，它是一种在基板上形成包含有由诸如绝缘层、磁性层、导电层等薄膜层叠层构成的磁性阻抗效应元件的薄膜磁性元件，而且一边对所述磁性阻抗效应元件的电阻值实施测定，一边对所述基板和所述磁性阻抗效应元件沿着高度方向实施研磨加工，从而对磁阻体高度值实施调整的制造方法，其特点在于在加工时间超过预定时间，且所述电阻值或由该电阻值换算出的磁阻体高度值进入至与精加工制成品值相关的公差范围内之前，持续进行研磨加工。
因此，本发明不象现有技术中那样，仅仅取电阻值或由该电阻值换算出的高度值作为指标实施研磨作业，而且还在研磨时间到达预定时间之前一直实施研磨和监测，并且在研磨时间超过预定时间，且电阻值或由该电阻值换算出的高度值进入至与精加工制成品值相关的公差范围内时，结束加工作业。通过这种一边对电阻值实施监测，一边持续进行超过预定时间的研磨加工的方式，便可以按照比较慢的研磨速度对基板(棒状滑动体)上的暴露表面实施足够量的研磨，从而可以使所述的暴露表面与薄膜磁性元件之间的差量尽可能地小，甚至可以使所述的差量为0。
而且，本发明还提供了一种薄膜磁头用制造方法，它是一种在基板上形成包含有由诸如绝缘层、磁性层、导电层等薄膜层叠层构成的磁性阻抗效应元件的薄膜磁性元件，而且一边对所述磁性阻抗效应元件的电阻值实施测定，一边对所述基板和所述磁性阻抗效应元件沿着高度方向实施研磨加工，从而对磁阻体高度值实施调整的制造方法，其特点在于当所述的电阻值或由该电阻值换算出的磁阻体高度值位于基准值之下时，使研磨加工用的研磨装置中研磨平台的转数至少一次切换至低速转数，进而结束加工。
因此，本发明可以在研磨加工接近结束时，即在所述电阻值或由该电阻值换算出的磁阻体高度值位于基准值之下时，将研磨装置中研磨平台的转数至少一次切换至低速转数，随后再停止研磨平台的转动，结束研磨加工，所以可以降低在滑动体和薄膜磁性元件上的暴露表面处产生瑕疵(条痕)的可能性，提高薄膜磁头的浮起性能，进而可以在作为薄膜磁头使用时，防止对记录媒体产生划伤。
而且在采用本发明时，还可以将当所述电阻值或由该电阻值换算出的磁阻体高度值位于基准值之下时，将研磨加工用的研磨装置中研磨平台的转数至少一次切换至低速转数的方式，与在加工时间超过预定时间，且所述电阻值或由该电阻值换算出的磁阻体高度值进入至与精加工制成品值相关的公差范围内之前，持续进行研磨加工的方式，同时结合使用。
而且，所述的研磨加工最好由粗加工和精加工两个研磨加工阶段构成，所述的研磨加工预定时间最好为所述精加工开始之后的加工时间。
而且，所述的研磨加工最好由粗加工和精加工两个研磨加工阶段构成，所述的转数切换最好在所述的精加工过程中进行。
因此，本发明还可以在磁阻体高度值接近至某一程度之前，通过和加工精度相比更加重视加工速度的粗加工方式实施快速研磨，而当磁阻体高度值接近目标值时，切换至更为重视加工精度的精加工阶段，所以可以提高研磨加工的精度，并且可以缩短整个加工时间。
而且对于采用由粗加工和精加工两个研磨加工阶段实施研磨加工的场合，还可以对精加工的加工时间是否超过所述预定时间实施监测，而对于比如说粗加工中的差量(凹退量)比较大的场合，即对于粗加工时对薄膜磁性元件施加了比基板更多加工的场合，还可以进一步缩短精加工时间，而且在加工结束时，可以防止基板的研磨量比较少而残存有比较大的凹退量等问题。
而且本发明所提供的、对是否到达所述预定时间实施监测的方式，也可以使用在不对粗加工和精加工实施区分的、仅通过一个工序实施全部加工的方法中，即也可以通过从该一个工序的加工开始时间起的经过时间实施监测的方式实施。
类似的，在不对粗加工和精加工实施区分的、仅通过一个工序实施全部加工的方法中，对转数的切换操作也可以按照在该一个阶段的加工工序中对转数实施切换的方式实施。
而且，研磨加工用的预定时间可以设定在两分钟以上，且最好是设定在三分钟以上。
而且如果举例来说，所述研磨平台的转数在转数切换之前可以为70～100转/每分钟，在转数切换之后可以为5～20转/每分钟。
而且，本发明还可以在精加工结束之后，对由所述磁性阻抗效应元件至所述基板上的记录媒体相对面之间的差量(凹退量)实施测定，并且按照可以使这一差量，或是磁性阻抗效应元件的磁阻体高度值或电阻值为适当值的方式，对随后加工时的加工条件实施变更。
而且，本发明还可以在对精加工开始至精加工结束之间的时间实施测定，进而按照使该加工时间位于预定值之内的方式，对随后加工用的加工条件实施变更。
如果举例来说，所述的加工条件可以为实施所述粗加工时的磁阻体高度值用凹入量，也可以为实施精加工时的润滑油供给时间。
而且在一种最佳实施形式中，还可以对诸如所述粗加工时的磁阻体高度值和所述精加工时的润滑油供给时间等若干个不同的加工条件进行归纳，并且以图表形式储存在位于每个研磨装置中的储存装置中，进而由这种图表中选择出所述的加工条件。
而且在一种最佳实施形式中，还可以按照使所述的加工条件与诸如磁阻体高度值等相对应的方式，呈按照加工等级划分的图表形式实施储存，并且通过选择加工等级的方式由图表中选择出加工条件。
本发明可以成组地设定研磨加工所必须的加工条件，而且还可以按照与磁阻体高度值的大小相对应的方式，依据加工等级构成为图表形式，并且储存在各研磨装置中，所以使用者可以依据作为前一次加工结果的数据(比如说差量、磁阻体高度值或电阻值，精加工的加工时间等)，通过对图表化的、作为加工条件的加工等级实施选择的方式，对随后研磨加工的加工条件(比如说磁阻体高度值、润滑油的供给时间等)实施设定，从而可以缩短设定所需要的时间，减少设定误差，由此可以进一步提高薄膜磁头的品质和有效生产率。
而且，本发明可以取所述的电阻值为基准进行加工作业，也可以将该电阻值换算成所述的磁阻体高度值，进而利用该换算值判断磁阻体高度值的研磨量和精加工值是否适当。
换句话说就是，对于所述各方法中对磁性阻抗效应元件的电阻值实施测定的场合，可以通过对该电阻值是否进入至预定范围之内，或是是否进入至与精加工制成品值相关的公差范围之内实施监测的方式进行研磨，也可以利用由所述电阻值换算出的磁阻体高度值，对所述的研磨状态实施监测。
而且，本发明还提供了实施上述本发明的薄膜磁性元件制造方法用的一种制造装置，这种装置具有对形成在基板上的、由包含有磁性阻抗效应元件的薄膜磁性元件构成的薄膜磁头实施保持用的保持组件，对由所述保持组件保持着的、位于薄膜磁头处的所述基板和所述薄膜磁性元件实施研磨用的研磨装置，在所述研磨加工过程中对所述磁性阻抗效应元件的电阻值实施测定用的阻抗测定组件，对由所述阻抗测定组件测定出的电阻值或由该电阻值换算出的磁阻体高度值实施监测，并且对加工时间是否超过预定时间实施计测，按照在加工时间超过预定时间，且所述电阻值或磁阻体高度值进入至与精加工制成品值相关的公差范围内之前，持续进行研磨加工的方式对所述研磨装置实施控制用的控制组件。
而且，本发明还提供了另一种薄膜磁头用制造装置，这种装置具有对形成在基板上的、由包含有磁性阻抗效应元件的薄膜磁性元件构成的薄膜磁头实施保持用的保持组件，对由所述保持组件保持着的、位于薄膜磁头处的所述基板和所述薄膜磁性元件实施研磨用的研磨装置，在所述研磨加工过程中对所述磁性阻抗效应元件的电阻值实施测定用的阻抗测定组件，对所述研磨装置中研磨平台的转数实施改变用的变速组件，对由所述阻抗测定组件测定出的电阻值或由该电阻值换算出的磁阻体高度值实施监测，并且按照当所述电阻值或由该电阻值换算出的磁阻体高度值位于基准值之下时，至少一次地将研磨加工用的研磨装置中研磨平台的转数，切换至低转数的方式对所述变速组件实施控制用的控制组件。
或者，本发明还提供了再一种薄膜磁头用制造装置，这种装置具有对形成在基板上的、由包含有磁性阻抗效应元件的薄膜磁性元件构成的薄膜磁头实施保持用的保持组件，对由所述保持组件保持着的、位于薄膜磁头处的所述基板和所述薄膜磁性元件实施研磨用的研磨装置，在所述研磨加工过程中对所述磁性阻抗效应元件的电阻值实施测定用的阻抗测定组件，对所述研磨装置中研磨平台的转数实施改变用的变速组件，对由所述阻抗测定组件测定出的电阻值或由该电阻值换算出的磁阻体高度值实施监测，并且对加工时间是否超过预定时间实施计测，按照在所述加工时间超过预定时间，且所述电阻值或由该电阻值换算出的磁阻体高度值进入至与精加工制成品值相关的公差范围内之前，持续进行研磨加工的方式对所述研磨装置实施控制，而且按照当所述电阻值或由该电阻值换算出的磁阻体高度值位于基准值之下时，至少一次地将研磨加工用的研磨装置中研磨平台的转数，切换至低转数的方式对所述变速组件实施控制用的控制组件。
而且，所述的研磨装置可以按照粗加工和精加工两个研磨加工阶段实施研磨加工，所述的控制组件可以对由所述精加工开始之后的加工时间实施计测。
而且，所述的研磨装置还可以按照粗加工和精加工两个研磨加工阶段实施研磨加工，所述的控制组件可以按照在所述精加工过程中，对研磨平台的转数实施切换的方式进行控制。
而且，在这种装置中还可以设置有对按加工等级划分的若干个加工条件，以图表形式实施储存用的储存装置，控制组件依据精加工后的精加工结果，按照将由所述图表读取出的加工条件作为随后加工用的加工条件的方式实施设定。
图1A、图1B为表示本发明一种实施形式用的流程图。
图2A、图2B为表示由图1所示的流程图中的③或⑤以后工序用的流程图。
图3为表示精加工的加工时间和凹退量之间关系用的曲线图。
图4为表示在研磨装置即将停止之前的研磨平台转数与在研磨装置停止运行时产生在棒状滑动体和薄膜磁性元件的暴露表面处的瑕疵的深度之间关系用的说明图。
图5为表示在基板上叠层设置有薄膜磁性元件时的状态用的立体图。
图6为表示由如图5所示的基板上切割而形成棒状滑动体时的立体图。
图7为表示由暴露表面的方向观察叠层设置在如图5所示的棒状滑动体上的薄膜磁性元件时的剖面图。
图8为表示对如图5所示棒状滑动体上的暴露表面实施研磨加工用的研磨平台的立体图。
图9A、图9B为表示现有薄膜磁头制造方法中的研磨加工工序用的流程图。
图10为表示本发明的薄膜磁头制造装置的一种实施形式用的方框图。
图11A为表示利用如图8所示的研磨平台对如图6所示的棒状滑动体实施研磨加工时，处于开始加工状态用的部分侧视图，图11B为表示在加工过程中或在加工之后用的部分侧视图。
下面参考
本发明的最佳实施例。
正如图5所示，薄膜磁头的制造工序是在由诸如氧化铝-碳化钛(Al2O3-TiC)等材料构成的基板2上，通过薄膜处理程序而形成若干个薄膜磁性元件1。如图5所示的基板2呈圆盘状，位于基板2上的若干个薄膜磁性元件1，呈按一定间隔成列的方式形成，当然也可以形成为若干列。
图7为表示沿着暴露表面(ABS面)3a，对形成在棒状滑动体(スライダバ-)3上的薄膜磁性元件1实施切断时的部分放大剖面图。薄膜磁性元件1为由电感型磁头部分和采用着磁性阻抗效应元件的磁阻型磁头部分构成的叠层复合型元件，而且在图7中，仅仅示出了薄膜磁性元件1中的磁阻型磁头部分，而省略了电感型磁头部分和盖覆着薄膜磁性元件1用的盖覆层(请参见图11)。
正如图7所示，在棒状滑动体3之上形成有由诸如氧化铝(Al2O3)等材料构成的下部绝缘层1b。在下部绝缘层1b之上形成有由诸如坡莫合金(NiFe合金)等磁性材料构成的下部屏蔽层1c，而且在下部屏蔽层1c之上还形成有由诸如氧化铝等绝缘材料构成的下部间隔层1d。若干个磁性阻抗效应元件1e位于下部间隔层1d之上，并且呈沿着暴露表面(ABS面)的方向(即图中X方向)为一列并列的方式形成。
在磁性阻抗效应元件1e的中央部处，形成有由旋转阀膜(一种GMR元件)等构成的多层膜1f，而这种旋转阀膜是由诸如反强磁性层、固定磁性层、非磁性导电层和自由磁性层等构成的。在多层膜1f的两侧还形成有由诸如铬(Cr)等的非磁性金属材料构成的电极层1g。
在磁性阻抗效应元件1e之上形成有由诸如氧化铝等绝缘材料构成的上部间隔层1h，而且在该上部间隔层1h之上还形成有由诸如坡莫合金(NiFe合金)等构成的上部屏蔽层1i。
这种多层膜1f是一种利用巨大磁性阻抗效应的元件，它会随着由记录媒体处泄露出的磁场变化而产生相应的电阻变化，进而可以由此检测出记录信号。
当沿着如图5所示的虚线对基板2实施切断时，可形成如图6所示的棒状滑动体3。在形成为这种棒状滑动体3的若干个薄膜磁性元件1中，可以将其中的一部分作为检测元件使用，从而可以一边对所述电极层1g与电极层1g之间的直流电阻值(DCR值)实施测定，一边对暴露表面3a实施研磨加工，从而确定出构成为磁性阻抗效应元件的多层膜1f的高度值(沿方向Y的长度)。
在本实施形式中，薄膜磁性元件的电阻值为所测定的、薄膜磁性元件的直流电阻值(DCR值)，然而当向薄膜磁性元件施加交流电流时，该电阻值也可以为所测定的交流电阻值(阻抗值)。
这种研磨加工可以通过使如图8所示的研磨平台21转动，并且使棒状滑动体3上的暴露表面3a与研磨平台21的表面相抵接的方式实施。
图1A、图1B和图2A、图2B为表示实施所述研磨加工用的流程图。
在本发明的这一实施形式中，对叠层设置在棒状滑动体3上的薄膜磁性元件1所进行的、有关高度的研磨加工，是分成粗加工和精加工这两个阶段进行的。
粗加工是通过在研磨平台21上，涂覆上包含有平均粒径为0.1～50.5微米的金刚石多结晶微粒的研磨液的方式实施的。
这种粗加工可以如图1A所示，在程序步1(程序步ST1)中对粗加工的加工等级实施设定。对加工等级的设定方式将在下面参考表1、表2和表3进行说明。由程序步ST2利用研磨平台21开始实施粗加工，由程序步ST3在加工过程中读取所述的直流电阻值。在由程序步ST4判断直流电阻值已经进入至预定值的范围之内时，结束粗加工。通过这种粗加工，可以按照在短时间里使直流电阻值接近精加工制成品值中的相关值的方式实施研磨。而且，程序步ST4也可以不对直流电阻值是否进入至预定值范围之内的监测，而是通过将直流电阻值换算成磁性阻抗效应元件(多层膜1f)的高度值，进而在该高度值进入至预定范围之内时结束粗加工。
随后进入至如图1B所示的精加工，在实施精加工时向研磨平台21供给润滑油。润滑油的供给时间，需要根据如下面表1中所示的加工等级的设定结果来确定。
如图1B所示的精加工，可以在加工开始(程序步ST6)之后，由程序步ST7对从精加工开始时的时间实施监测。这一加工时间可以象如后所述的那样，根据如图3所示的测定结果求解出，如果举例来说该时间可以为两分钟以上，当为三分钟以上则更好些。按照这种方式对精加工时间实施设定，并且在超过预定时间时使凹退出现标志8处于导通状态(ON状态)。
随后由程序步ST9对直流电阻值实施读取，由程序步ST10将该直流电阻值换算成磁阻体高度值。程序步ST11对该磁阻体高度值是否位于与精加工制成品值相关的公差范围之内实施判断。当磁阻体高度值未进入至与精加工制成品值相关的公差范围之内时，继续进行精加工操作，并且重复进行加工时间是否超过预定时间的判断。对于这种场合，也可以不将直流电阻值变换成磁阻体高度值，而是在程序步ST11中对直流电阻值是否位于与精加工制成品值相关的公差范围之内实施监测，进而判断是否已经进行了适当的加工。
对于磁阻体高度值已经进入至与精加工制成品值相关的公差范围之内的场合，程序步ST12对所述凹退出现标志是处于导通状态还是处于断开状态(OFF状态)实施确认。如果凹退出现标志处于导通状态，则判断加工时间是否超过预定时间，当加工时间超过预定时间，且磁阻体高度值也处于与精加工制成品值相关的公差范围时，结束这一精加工操作(程序步ST13)。
对于程序步ST12中的判断结果为凹退出现标志未处于导通状态的场合，如果磁阻体高度值已经进入至与精加工制成品值相关的公差范围之内，则表示至今为止对棒状滑动体3上的暴露表面3a的研磨量并不足够大，残存有比较大凹退量的概率比较高。对于这种场合，可以继续进行研磨作业，并由程序步ST7再次对加工时间实施监测，由程序步ST11确认磁阻体高度值是否已经处于与精加工制成品值相关的公差范围之内。对于重复实施操作而磁阻体高度值仍处于与精加工制成品值相关的公差范围之外的场合，这一棒状滑动体3被视为是废品(NG)。
通过使精加工时间必须持续至所述预定时间以上的方式，可以在研磨速率比较慢的状态下，对棒状滑动体3上的暴露表面3a实施充分的研磨，从而使暴露表面3a与薄膜磁性元件1上的相对面1a之间的凹退量R(请参见图11B)为最小。对于在粗加工时所述凹退量R比较大的场合，如果在精加工过程中不能同时满足加工时间到达预定时间，且磁阻体高度值位于与精加工制成品值相关的公差范围之内的条件，则认为该棒状滑动体为废品(NG)。
图3示出了设定所述程序步ST7中的预定时间用测定结果的一个实例。这一曲线图的横轴为精加工的加工时间，纵轴为棒状滑动体3上的暴露表面3a与薄膜磁性元件1上的相对面1a之间的差量(凹退量)。这一凹退量取棒状滑动体3上的暴露表面3a处为0，并且取该差量的增大方向为正方向。
棒状滑动体3的材质为氧化铝-碳化钛，薄膜磁性元件1为由氧化铝、坡莫合金、钴(Cu)等材料构成的叠层体。
由图3所示的测定结果可知，在精加工开始之后两分钟时，凹退量为10毫微米。在三分钟后的凹退量大体为0，并稳定在这一状态。因此，精加工的加工时间可取为两分钟以上，但最好是取为三分钟以上。
如果将所述的预定加工时间取为两分钟以上或三分钟以上时，凹退量将位于10毫微米至0毫微米之间。现有技术中的凹退量为30毫微米至0毫微米之间，所以通过采用在监测所述加工时间的条件下实施精加工的方式，可以明显地抑制凹退量的增大和偏差，从而可以提高薄膜磁头的品质，特别是可以抑制间隔损耗，而进一步提高记录/再生性能。
而且在如图1B所示的精加工过程中，当程序步ST11判断磁阻体高度值(或是作为基准的直流电阻值)已经位于与精加工制成品值相关的公差范围之内时，可以实施如图2B中的程序步ST17、程序步ST18所示的加工工序。
通过如图2B所示的程序步ST17，可以在精加工研磨将近结束、磁阻体高度值位于基准值之下时，将研磨平台21的转数至少一次切换至低转数(程序步ST18)。在切换至这种低转数之后，当由程序步ST11判断磁阻体高度值位于与精加工制成品值相关的公差范围之内时，中止研磨平台21的转动，结束研磨加工。
在本实施形式中，通过程序步ST17切换至低转数之前，研磨加工用研磨平台的转数大约为100转/每分钟(rpm)。可以由程序步ST17将直流电阻值换算成磁阻体高度值，并且按照该磁阻体高度值是否位于基准值以下的方式实施监测，当磁阻体高度值位于、比如说精确值+0.5～+1微米以下时，将研磨平台21的转数切换至大约20转/每分钟。
图4为表示在研磨装置即将停止运行之前研磨平台21的转数，与在研磨装置停止运行时出现在棒状滑动体3和薄膜磁性元件1处的瑕疵(条痕)的深度之间关系用的曲线图。如果举例来说，当研磨装置中研磨平台21的转数由大约100转/每分钟，通过阶段性驱动控制而停止转动时，出现在棒状滑动体3和薄膜磁性元件1处的瑕疵(条痕)的深度大约为5～20毫微米。然而当研磨平台的转数由、比如说20转/每分钟处时通过阶段性驱动控制而停止转动时，瑕疵(条痕)的深度大约为1～2毫微米。
在本实施形式中仅对研磨平台实施了一次转数切换，然而也可以实施若干次转数切换。
而且，在如图1B所示的流程图中也可以不包括有如图2B所示的、切换研磨平台转数用的工序。还可以仅仅实施如图2B所示的研磨平台转数的切换操作，或是仅仅实施如图1B所示的加工时间监测操作。
而且，也可以不区分粗加工和精加工，而是仅作为一个阶段实施加工操作，而且在这种呈一个阶段的加工操作过程中，也可以实施如图1B所示的加工时间监测操作和/或如图2B所示的研磨平台转数的切换操作。
而且在所述的研磨加工过程中，还可以将设定研磨加工所需要的加工条件分成为若干个等级，形成为相应的图表，并且根据实际的加工状态，阶段性地改变设定在各研磨装置中的所述加工条件。
如果举例来说，在如图1B所示的处理工序中，程序步ST11的判断结果为磁性阻抗效应元件的磁阻体高度值或直流电阻值未进入至与精加工制成品值相关的公差范围之内，这时程序步ST7中的判断结果也可能为加工时间未超过预定时间。因此通过如图1B所示的粗加工过程，薄膜磁性元件1的研磨量会比棒状滑动体3上的暴露表面3a的研磨量更多些，从而在进入至精加工时，也可能会形成有非常大的凹退量R。
而且对于如图1A所示的粗加工过程，在程序步ST4中所设定的直流电阻值用预定值比较大的情况下，当粗加工过程中对薄膜磁性元件1有关高度值的处理过于凹入时(过分研磨时)，凹退量R也同样会比较大，通过如图1B所示的精加工，也可能在经过预定的加工时间之前，就已经使直流电阻值位于与精加工制成品值相关的公差范围之内。
而且，在如图1B所示的精加工过程中，向研磨平台21施加润滑油的供给时间也可以对结果产生影响。通过实施预定时间加工的加工方式，可以通过精加工对棒状滑动体3上的暴露表面3a实施切削，从而使暴露表面3a与薄膜磁性元件1之间的差量比较小。由此在这种精加工过程中，润滑油的施加时间可以对所述差量施加有影响。
因此，在由图1B中的程序步ST11判断磁阻体高度值位于与精加工制成品值相关的公差范围之内时，如果程序步ST12中的判断结果为凹退出现标志未处于导通状态，则进入至程序步ST14，使加工等级变更标志处于导通状态。随后如图2A所示，当精加工结束时，由程序步ST15判断加工等级变更标志是否处于导通状态，如果加工等级变更标志处于导通状态，则由程序步ST16对随后进行的粗加工用的粗加工等级实施变更(程序步ST1)。而且，也可以对精加工过程中的润滑油供给时间实施变更。所述加工条件(加工等级)用图表的一个实例如表1所示。
表1
正如表1所示，研磨加工时的加工条件(加工等级)，是由粗加工时的磁阻体高度值和精加工时的润滑油供给时间组合而成的。润滑油的供给时间是由磁性阻抗效应元件的直流电阻值表示的。而且，加工等级的划分是依据粗加工之后的磁阻体高度值实施的，比如说在粗加工后的磁阻体高度值为0.9微米的场合，取加工等级为1。对于磁阻体高度值为0.8微米的场合取加工等级为2，磁阻体高度值为0.7微米的场合取加工等级为3，......。在精加工过程中供给润滑油时的直流电阻值，在表1中由a、b、c、d、e表示，在实际使用时可以设定为对每个研磨装置32的机体为最适当的数值。
如果举例来说，对于由图1A所示的程序步ST1设定的加工等级为1的场合，可通过如图2A所示的程序步ST15，使加工等级变更标志15处于导通状态，进而对下一次(对下一个或是对下一批棒状滑动体3)实施加工时的加工等级实施变更。如果举例来说，这时最好是通过如表3所示的、精加工用的直流电阻值超过量(高度值与精确值之间的偏置量)，来形成加工等级选择用图表。
当对所述的加工等级实施变更时，可以通过如图1B所示的精加工中的程序步ST12实施，从而可以降低产生废品的概率，并且可以缩短整个加工时间。而且还可以减少研磨装置机种之间特性差异所产生的影响，使品质均匀化。表2为表示采用三台研磨装置32，对叠层设置在薄膜磁性元件1上的棒状滑动体3实施粗加工和精加工时，对精加工之后的试样的凹退量、直流电阻值和精加工时间实施比较时的比较结果。
表2
在表2中，是在将三台研磨装置32的加工等级全部设定为如表1所示的加工等级3，并且由如图1 B所示的程序步ST7，将精加工时间基准值设定为两分钟的条件下，由一号机、二号机和三号机分别实施研磨后的结果。
当采用一号机时，直流电阻值位于公差范围之内，而且精加工的加工时间为3分10秒。而当采用二号机、三号机时，在到达作为精加工时间预定值的两分钟时，直流电阻值超过公差的偏差分别为2欧姆和5欧姆。在这儿，如图1B所示的精加工结果表示它们为废品。由程序步ST14使加工等级变更标志处于导通状态。
随后采用二号机、三号机，在改变加工等级的条件下实施加工。对于这种场合可以相应于精加工后的直流电阻值超过量，设定出如下述表3所示的加工等级变更图表，进而依据该加工等级变更图表实施加工等级的变更。
在表3中是以直流电阻值为基础对加工等级实施选择的，然而也可以根据由直流电阻值换算出的磁阻体高度值，对加工等级实施选择。
表3
通过二号机、三号机研磨加工出的试样，其直流电阻值分别超过公差偏差2欧姆和5欧姆。换句话说就是，在粗加工过程中薄膜磁性元件1的高度值过分凹入。随后可以参考表3，将二号机的加工等级变更为2，将三号机的加工等级变更为1。即略微对粗加工后薄膜磁性元件1的高度值的凹入量实施一些变更。在实施这种变更后进行粗加工和精加工的结果如表4所示。
表4
由所述表4所示的研磨结果可知，通过改变加工等级的方式，便可以使二号机、三号机实施精加工后的直流电阻值，处于公差范围之内。
就精加工的加工时间而言，通过改变粗加工的加工条件的方式，还可以缩短精加工的加工时间。
如果举例来说，当采用如表5所示的加工等级用变更图表时，就可以缩短所述的精加工时间。
表5
表5为表示前一阶段的研磨加工按加工等级3进行，并根据精加工的加工时间和试样的直流电阻值，对下一阶段研磨加工的加工等级实施设定用的加工等级变更图表。对于前一阶段研磨加工按照加工等级3进行，直流电阻值位于公差范围之内且精加工加工时间为两分钟以上、三分钟以下的场合，不需要实施加工等级变更，所以下一阶段的研磨加工仍按加工等级3进行。当按加工等级3实施加工时，也有可能使直流电阻值位于公差范围之内，而精加工加工时间为四分钟以上、五分钟以下。这意味着当按照如表1所示的加工等级3实施研磨加工时，粗加工后的磁阻体高度值凹入量不够合理，所以在此基础上实施精加工时，将需要比较多的时间才能使高度值进入至与精加工制成品值相关的公差范围之内。因此对于这种场合，可以通过将加工等级变更为等级5的方式，来缩短精加工的加工时间。
图10为表示根据本发明构造的薄膜磁头制造装置的一种实施形式用的方框图。
如图10所示的薄膜磁头用制造装置，是使用作为本发明的阻抗测定组件的电阻测定器31，对叠层设置在如图6所示的棒状滑动体3上的薄膜磁性元件1的磁性阻抗效应元件的电阻值实施测定，进而沿着高度方向，使用研磨装置32对薄膜磁性元件上的棒状滑动体3的暴露表面3a和薄膜磁性元件1实施研磨加工，并且对被研磨加工的磁阻体高度值实施调整的。
计算机35构成为本发明的控制组件，它用于对电阻测定器31和研磨装置32实施控制，对由电阻测定器31和研磨装置给出的数据实施接收，将磁性阻抗效应元件的电阻值换算成磁阻体高度值，进而参考储存在储存装置34内部的加工条件图表，对诸如测定出的电阻值等的数据实施显示，并且向操作者发出指示。
通过与研磨装置32相连接的计时组件33，研磨装置32可以对薄膜磁性元件1的加工时间是否超过预定时间实施测定。而且计算机35按照加工时间超过预定时间，且所述电阻值或由该电阻值换算出的磁阻体高度值进入至与精加工制成品值相关的公差范围内之前，持续进行研磨加工的方式对所述研磨装置32实施控制。
而且，研磨装置32还可以配置有对研磨平台32a的转数实施阶段性速度改变用的、作为本发明的变速组件的速度变换器32b，而且计算机35可以按照在薄膜磁头1的电阻值或由该电阻值换算出的磁阻体高度值位于基准值之下时，至少一次地将研磨平台32a的转数切换至低速转数，进而结束加工的方式实施控制。
而且也可以不设置如图10所示方框图的速度变换器32b。还可以仅设置有速度变换器32b，而不设置计时组件33。
作为本实施形式的薄膜磁头用制造装置，其中的研磨装置是按照粗加工和精加工两个研磨加工阶段实施研磨加工的。然而也可以不区分粗加工和精加工这两个研磨加工阶段，并按照仅实施一个阶段加工的方式实施研磨操作。
而且，如表3和表5所示的、表示按加工等级划分的若干组不同的粗加工和精加工用加工条件的图表，也可以呈数据库形式，并保存在储存装置34内，当需要实施加工等级变更时可以对其实施读取。储存装置34可以通过网络形式相连接，也可以直接连接在与研磨装置相连接的计算机35处。
如果采用如上所述的、根据本发明构造的薄膜磁头用制造方法以及制造装置，便可以通过在对磁性阻抗效应元件的直流电阻值实施测定所获得的磁阻体高度值进入至与精加工制成品值相关的公差范围之内，且由研磨加工开始后的加工时间超过预定时间之前，持续进行研磨加工的方式，明显地减小薄膜磁性元件上的棒状滑动体的暴露表面与磁性阻抗效应元件的相对面之间的差量(凹退量)，并且可以进一步提高薄膜磁头的品质和有效生产率，特别是还可以抑制间隔损耗，而进一步提高记录/再生性能。
而且，如果采用本发明，还可以通过在研磨加工即将结束，磁阻体高度值位于基准值以下时，至少一次将研磨装置的研磨平台的转数阶段性地切换至低速转数之后，再停止研磨平台的转动，结束研磨加工的方式，减少出现在棒状滑动体上的暴露表面与磁性阻抗效应元件相对面处的瑕疵(条痕)的深度，提高薄膜磁头的浮起特性，从而还可以进一步提高薄膜磁头的品质和有效生产率。
而且，本发明还可以通过将粗加工设定用的必要加工条件进行归纳，进而将与磁阻体高度值大小相对应的加工等级变更图表储存的各研磨装置中的方式，缩短设定用的时间，减少设定误差，从而可以进一步提高薄膜磁头的品质和有效生产率。
权利要求
1.一种薄膜磁头用制造方法，它是一种在基板上形成包含有由诸如绝缘层、磁性层、导电层等薄膜层叠层构成的磁性阻抗效应元件的薄膜磁性元件，而且一边对所述磁性阻抗效应元件的电阻值实施测定，一边对所述基板和所述磁性阻抗效应元件沿着高度方向实施研磨加工，从而对磁阻体高度值实施调整的制造方法，其特征在于，在加工时间超过预定时间，且所述电阻值或由该电阻值换算出的磁阻体高度值进入至与精加工制成品值相关的公差范围内之前，持续进行研磨加工。
2.一种薄膜磁头用制造方法，它是一种在基板上形成包含有由诸如绝缘层、磁性层、导电层等薄膜层叠层构成的磁性阻抗效应元件的薄膜磁性元件，而且一边对所述磁性阻抗效应元件的电阻值实施测定，一边对所述基板和所述磁性阻抗效应元件沿着高度方向实施研磨加工，从而对磁阻体高度值实施调整的制造方法，其特征在于，当所述的电阻值或由该电阻值换算出的磁阻体高度值位于基准值之下时，将研磨加工用的研磨装置中研磨平台的转数至少一次切换至低速转数，进而结束加工。
3.一种薄膜磁头用制造方法，它是一种在基板上形成包含有由诸如绝缘层、磁性层、导电层等薄膜层叠层构成的磁性阻抗效应元件的薄膜磁性元件，而且一边对所述磁性阻抗效应元件的电阻值实施测定，一边对所述基板和所述磁性阻抗效应元件沿着高度方向实施研磨加工，从而对磁阻体高度值实施调整的制造方法，其特征在于，在所述的电阻值或由该电阻值换算出的磁阻体高度值位于基准值之下时，将研磨加工用的研磨装置中研磨平台的转数至少一次切换至低速转数，而且在加工时间超过预定时间，且所述电阻值或由该电阻值换算出的磁阻体高度值进入至与精加工制成品值相关的公差范围内之前，持续进行所述的研磨加工。
4.一种如权利要求3所述的薄膜磁头用制造方法，其特征在于研磨加工作业由粗加工和精加工两个研磨加工阶段构成，所述的预定时间为由所述精加工开始之后的加工时间。
5.一种如权利要求4所述的薄膜磁头用制造方法，其特征在于所述的预定时间设定在两分钟以上。
6.一种如权利要求4所述的薄膜磁头用制造方法，其特征在于在加工结束之后，对由所述薄膜磁性元件至所述基板上的记录媒体相对面之间的差量(凹退量)实施测定，并且按照对这一差量、磁性阻抗效应元件的磁阻体高度值或电阻值实施适当修正的方式，对随后加工用的加工条件实施变更，所述的加工条件为实施粗加工时的磁阻体高度值，若干个不同的所述加工条件以图表形式储存在储存装置中，并且由该图表之中选择加工条件，而且所述的加工条件按照加工等级划分，并呈图表形式储存在储存装置中，进而通过选择加工等级的方式由图表中选择出加工条件。
7.一种如权利要求4所述的薄膜磁头用制造方法，其特征在于在加工结束之后，对由所述薄膜磁性元件至所述基板上的记录媒体相对面之间的差量(凹退量)实施测定，并且按照对这一差量、磁性阻抗效应元件的磁阻体高度值或电阻值实施适当修正的方式，对随后加工用的加工条件实施变更，所述的加工条件为实施精加工时的润滑油供给时间，若干个不同的所述加工条件以图表形式储存在储存装置中，并且由该图表之中选择加工条件，而且所述的加工条件按照加工等级划分，并呈图表形式储存在储存装置中，进而通过选择加工等级的方式由图表中选择出加工条件。
8.一种如权利要求4所述的薄膜磁头用制造方法，其特征在于在对精加工开始至精加工结束之间的时间实施测定，进而按照使该加工时间位于预定值之内的方式，对随后加工用的加工条件实施变更，所述的加工条件为实施粗加工时的磁阻体高度值，若干个不同的所述加工条件以图表形式储存在储存装置中，并且由该图表之中选择加工条件，而且所述的加工条件按照加工等级划分，并呈图表形式储存在储存装置中，进而通过选择加工等级的方式由图表中选择出加工条件。
9.一种如权利要求4所述的薄膜磁头用制造方法，其特征在于在对精加工开始至精加工结束之间的时间实施测定，进而按照使该加工时间位于预定值之内的方式，对随后加工用的加工条件实施变更，所述的加工条件为实施精加工时的润滑油供给时间，若干个不同的所述加工条件以图表形式储存在储存装置中，并且由该图表之中选择加工条件，而且所述的加工条件按照加工等级划分，并呈图表形式储存在储存装置中，进而通过选择加工等级的方式由图表中选择出加工条件。
10.一种如权利要求4所述的薄膜磁头用制造方法，其特征在于在对精加工开始至精加工结束之间的时间实施测定，进而按照使该加工时间位于预定值之内的方式，对随后加工用的加工条件实施变更，若干个不同的所述加工条件以图表形式储存在储存装置中，并且由该图表之中选择加工条件，而且所述的加工条件按照加工等级划分，并呈图表形式储存在储存装置中，进而通过选择加工等级的方式由图表中选择出加工条件。
11.一种如权利要求3所述的薄膜磁头用制造方法，其特征在于研磨加工作业由粗加工和精加工两个研磨加工阶段构成，所述的转数切换在所述的精加工过程中进行。
12.一种如权利要求11所述的薄膜磁头用制造方法，其特征在于所述研磨平台的转数在转数切换之前为70～100转/每分钟，在转数切换之后为5～20转/每分钟。
13.一种如权利要求11所述的薄膜磁头用制造方法，其特征在于在加工结束之后，对由所述薄膜磁性元件至所述基板上的记录媒体相对面之间的差量(凹退量)实施测定，并且按照对这一差量、磁性阻抗效应元件的磁阻体高度值或电阻值实施适当修正的方式，对随后加工用的加工条件实施变更，所述的加工条件为实施粗加工时的磁阻体高度值，若干个不同的所述加工条件以图表形式储存在储存装置中，并且由该图表之中选择加工条件，而且所述的加工条件按照加工等级划分，并呈图表形式储存在储存装置中，进而通过选择加工等级的方式由图表中选择出加工条件。
14.一种如权利要求11所述的薄膜磁头用制造方法，其特征在于在加工结束之后，对由所述薄膜磁性元件至所述基板上的记录媒体相对面之间的差量(凹退量)实施测定，并且按照对这一差量、磁性阻抗效应元件的磁阻体高度值或电阻值实施适当修正的方式，对随后加工用的加工条件实施变更，所述的加工条件为实施精加工时的润滑油供给时间，若干个不同的所述加工条件以图表形式储存在储存装置中，并且由该图表之中选择加工条件，而且所述的加工条件按照加工等级划分，并呈图表形式储存在储存装置中，进而通过选择加工等级的方式由图表中选择出加工条件。
15.一种如权利要求11所述的薄膜磁头用制造方法，其特征在于在对精加工开始至精加工结束之间的时间实施测定，进而按照使该加工时间位于预定值之内的方式，对随后加工用的加工条件实施变更，所述的加工条件为实施粗加工时的磁阻体高度值，若干个不同的所述加工条件以图表形式储存在储存装置中，并且由该图表之中选择加工条件，而且所述的加工条件按照加工等级划分，并呈图表形式储存在储存装置中，进而通过选择加工等级的方式由图表中选择出加工条件。
16.一种如权利要求11所述的薄膜磁头用制造方法，其特征在于在对精加工开始至精加工结束之间的时间实施测定，进而按照使该加工时间位于预定值之内的方式，对随后加工用的加工条件实施变更，所述的加工条件为实施精加工时的润滑油供给时间，若干个不同的所述加工条件以图表形式储存在储存装置中，并且由该图表之中选择加工条件，而且所述的加工条件按照加工等级划分，并呈图表形式储存在储存装置中，进而通过选择加工等级的方式由图表中选择出加工条件。
17.一种如权利要求11所述的薄膜磁头用制造方法，其特征在于在对精加工开始至精加工结束之间的时间实施测定，进而按照使该加工时间位于预定值之内的方式，对随后加工用的加工条件实施变更，若干个不同的所述加工条件以图表形式储存在储存装置中，并且由该图表之中选择加工条件，而且所述的加工条件按照加工等级划分，并呈图表形式储存在储存装置中，进而通过选择加工等级的方式由图表中选择出加工条件。
18.一种如权利要求3所述的薄膜磁头用制造方法，其特征在于所述的预定时间设定为两分钟以上。
19.一种如权利要求3所述的薄膜磁头用制造方法，其特征在于所述研磨平台的转数在转数切换之前为70～100转/每分钟，在转数切换之后为5～20转/每分钟。
20.一种薄膜磁头用制造装置，其特征在于，具有对形成在基板上的、由包含有磁性阻抗效应元件的薄膜磁性元件构成的薄膜磁头实施保持用的保持组件，对由所述保持组件保持着的、位于薄膜磁头处的所述基板和所述薄膜磁性元件实施研磨用的研磨装置，在所述研磨加工过程中对所述磁性阻抗效应元件的电阻值实施测定用的阻抗测定组件，对由所述阻抗测定组件测定出的电阻值或由该电阻值换算出的磁阻体高度值实施监测，并且对加工时间是否超过预定时间实施计测，按照在加工时间超过预定时间，且所述电阻值或由该电阻值换算出的磁阻体高度值进入至与精加工制成品值相关的公差范围内之前，持续进行研磨加工的方式对所述研磨装置实施控制用的控制组件。
21.一种如权利要求20所述的薄膜磁头用制造装置，其特征在于所述的研磨装置按照粗加工和精加工两个研磨加工阶段实施研磨加工，所述的控制组件对由所述精加工开始之后的加工时间实施计测。
22.一种如权利要求21所述的薄膜磁头用制造装置，其特征在于还设置有对按加工等级划分的若干个加工条件，以图表形式实施储存用的储存装置，控制组件相应于通过精加工后的精加工结果，按照将由所述图表读取出的加工条件作为随后加工用的加工条件的方式实施设定。
23.一种薄膜磁头用制造装置，其特征在于，具有对形成在基板上的、由包含有磁性阻抗效应元件的薄膜磁性元件构成的薄膜磁头实施保持用的保持组件，对由所述保持组件保持着的、位于薄膜磁头处的所述基板和所述薄膜磁性元件实施研磨用的研磨装置，在所述研磨加工过程中对所述磁性阻抗效应元件的电阻值实施测定用的阻抗测定组件，对所述研磨装置中研磨平台的转数实施改变用的变速组件，对由所述阻抗测定组件测定出的电阻值或由该电阻值换算出的磁阻体高度值实施监测，并且按照当所述电阻值或由该电阻值换算出的磁阻体高度值位于基准值之下时，至少一次地将研磨加工用的研磨装置中研磨平台的转数，切换至低转数的方式对所述变速组件实施控制用的控制组件。
24.一种如权利要求23所述的薄膜磁头用制造装置，其特征在于所述的研磨装置按照粗加工和精加工两个研磨加工阶段实施研磨加工，所述的控制组件对由所述精加工开始之后的加工时间实施计测。
25.一种如权利要求24所述的薄膜磁头用制造装置，其特征在于还设置有对按加工等级划分的若干个加工条件，以图表形式实施储存用的储存装置，控制组件相应于通过精加工后的精加工结果，按照将由所述图表读取出的加工条件作为随后加工用的加工条件的方式实施设定。
26.一种如权利要求23所述的薄膜磁头用制造装置，其特征在于所述的研磨装置按照粗加工和精加工两个研磨加工阶段实施研磨加工，所述的控制组件按照在所述精加工过程中，对研磨平台的转数实施切换的方式进行控制。
27.一种如权利要求26所述的薄膜磁头用制造装置，其特征在于还设置有对按加工等级划分的若干个加工条件，以图表形式实施储存用的储存装置，控制组件相应于通过精加工后的精加工结果，按照将由所述图表读取出的加工条件作为随后加工用的加工条件的方式实施设定。
28.一种薄膜磁头用制造装置，其特征在于，具有对形成在基板上的、由包含有磁性阻抗效应元件的薄膜磁性元件构成的薄膜磁头实施保持用的保持组件，对由所述保持组件保持着的、位于薄膜磁头处的所述基板和所述薄膜磁性元件实施研磨用的研磨装置，在所述研磨加工过程中对所述磁性阻抗效应元件的电阻值实施测定用的阻抗测定组件，对所述研磨装置中研磨平台的转数实施改变用的变速组件，对由所述阻抗测定组件测定出的电阻值或由该电阻值换算出的磁阻体高度值实施监测，并且对加工时间是否超过预定时间实施计测，按照在所述加工时间超过预定时间，且所述电阻值或由该电阻值换算出的磁阻体高度值进入至与精加工制成品值相关的公差范围内之前，持续进行研磨加工的方式对所述研磨装置实施控制，而且按照当所述电阻值或由该电阻值换算出的磁阻体高度值位于基准值之下时，至少一次地将上述研磨装置中研磨平台的转数，切换至低转数的方式对所述变速组件实施控制用的控制组件。
29.一种如权利要求28所述的薄膜磁头用制造装置，其特征在于所述的研磨装置按照粗加工和精加工两个研磨加工阶段实施研磨加工，所述的控制组件按照在所述精加工过程中，对研磨平台的转数实施切换的方式进行控制。
30.一种如权利要求29所述的薄膜磁头用制造装置，其特征在于还设置有对按加工等级划分的若干个加工条件，以图表形式实施储存用的储存装置，控制组件相应于通过精加工后的精加工结果，按照将由所述图表读取出的加工条件作为随后加工用的加工条件的方式实施设定。
全文摘要
在对叠层设置在棒状滑动体上的薄膜磁性元件的暴露表面实施研磨加工、以调整磁性阻抗效应元件的磁阻体高度值时,其棒状滑动体上的暴露表面与磁性阻抗效应元件的相对面之间的差量(凹退量)比较大,从而会使薄膜磁头的品质下降。本发明通过采用在磁性阻抗效应元件的磁阻体高度值进入至与精加工制成品值相关的公差范围内,且直至由研磨加工开始时的加工时间超过预定时间之前,持续进行研磨加工的方式,可以明显减小这种凹退量。
文档编号G11B5/39GK1262503SQ00100490
公开日2000年8月9日 申请日期2000年1月28日 优先权日1999年1月28日
发明者加藤政人, 宫岛茂信 申请人:阿尔卑斯电气株式会社