专利名称：在记录载体上进行信息多级记录的方法、记录载体和记录设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及在包括第一材料的第一层和第二材料的第二层的光盘上记录信息的方法，所述方法包括用一定剂量的激光能照射光盘的区域，其中在用所述剂量的激光能照射的区域中第一层的第一材料和第二层的第二材料发生发应；涉及包括第一材料的第一层和第二材料的第二层的记录载体；和，涉及用于在光盘上记录信息的记录设备，所述设备包括用于控制激光器发射的照射剂量的控制电路和用于检测光盘类型的检测电路。
可以在包括第一Cu层和第二Si层的记录载体上记录信息。
所述层互相叠置，并直接物理接触。
当在一区域中用一定剂量的激光能照射所述层时，在该区域中的第一层和第二层被加热。当温度足够高时，两层都熔融或者由于温度诱导的或者光子诱导的反应而以另一种方式被破坏，并且在高温区域中，各层的材料互相反应形成CuSi。CuSi的反射率和位于发生熔融的区域之外的周围区域不同。因此，通过记录材料的不同反射率将信息记录下来。
该方法的缺点在于，甚至在没有一定剂量激光能量的照射下，Cu层和Si层可以互相反应，导致对比度损失，这进而导致可读性和长期稳定性都处于次优水平。而且，该方法不能进行多级记录。
本发明的目标在于提供其中各层只有在用一定剂量的激光能照射下才相互反应并且同时可以进行多级记录的方法。
为了达到这个目标，本发明特征在于在第一层和第二层之间设置有第三层，所述第三层使得当用第一剂量的激光能照射时在被所述第一激光剂量照射的区域中第一材料和第二材料之间可以发生反应；在第一材料的第五层和第二层之间设置有第四层，所述第四层使得当用第二剂量激光能照射时在被所述第二激光剂量照射的区域中第一材料和第二材料之间可以进一步反应。
通过将所述三个记录层用两个层，即第三层和第四层，分隔，则不可能有反应发生，除非第三层和/或第四层由于一定剂量和/或另一剂量的激光能照射而被破坏。在第三层被破坏的区域中，第一层和第二层之间可能发生反应。在第四层被破坏的区域中，第五层和第二层之间可以发生反应。在其它区域中，第一层和第二层保持被第三层分开，第二层和第五层保持被第四层分开，从而防止了导致对比度下降的任何反应。
通过在三个记录层之间提供两个隔层，获得了多级反射。当仅仅第三层被破坏时，获得了第一反射级。当仅仅第四层被破坏时，获得了第二反射级。当第三和第四层都被破坏时，获得了第三级。
由此，获得了最棒的可读性、长期稳定性并实现了多级记录。
当本说明书谈到第三、第四或者隔层的“破坏”时，必须认为“破坏”也表示“退化”、“熔化”、“蒸发”、“化学破坏”或者“机械破坏”。重要之处在于处于第一状态的第三层和第四层都防止在相邻层的材料之间发生反应，而当处于第二、破坏状态时，第三层和/或第四层不再防止在其中第三层和/或第四层被破坏的区域中发生反应。
本发明的实施方案的特征在于所述反应或所述进一步反应是熔化以形成第一材料和第二材料的合金。
通过对第一和第五层的第一材料和第二层的第二材料进行选择以使其在混和时产生对比度上的变化，可以获得对比度的变化。该材料可以是有机和无机材料。由于第三层和第四层都将两种材料分开，所以本发明允许材料组合选择为正常情况下，所述材料组合当互相接触时，甚至在常规室温而不是照射所导致的升高温度下，都互相反应。
此外材料的组合可以选择为当用比破坏第三层和/或第四层所需剂量激光能量低的剂量激光能量照射时，所述材料组合反应。
当选择的是在用比破坏一个或两个隔层，即，第三层和/或第四层，所需的激光能量剂量高的激光能量剂量照射时发生反应的材料组合时，所述隔层将在比其中第一、第二和第五层材料反应的区域更大的区域中发生破坏。但是，这仍然提供了对其中第一和第二层的材料、第二和第五层的材料发生反应的最大区域进行限定的优点，从而提高了长期稳定性，并为对比度的下降设置了上限。
可以对材料进行更广泛的选择。
本发明的另一实施方案特征在于所述反应或者所述另一反应是熔化以形成第一材料和第二材料的合金。通过升高第三层两侧上的材料的温度，并同时破坏第三层，那么第一层中的熔融材料可以和第二层中的熔融材料形成合金。通过升高第四层两侧上的材料的温度，并同时破坏第四层，那么第五层中的熔融材料可以和第二层中的熔融材料形成合金。通过同时升高第一、第二和第五层的温度，并同时破坏第三和第四层，那么第一和第五层中的熔融材料可以和第二层中的熔融材料形成合金，由此产生的反射水平与仅仅第一和第二层之间反应的不同。另外，温度升高可能诱发层间扩散。施加到各层上的激光能量剂量为钟形曲线形状。由于温度在区域中心最高，沿着区域中心径向向外下降，所以熔化以及由此形成的合金可能不均匀。在材料选择正确的条件下，隔层，即第三层和第四层，形成了位于各层之间的孔隙，由此限定了可以通过熔化发生反应的区域。在第三层中由所述孔隙限定的区域之外的其它层中材料的升高的温度，不会导致第一层和第二层之间发生任何反应，这是因为保持完整的第三层防止了这种反应的发生。这同样适用于在所述孔隙之外的第五层和第二层之间的反应，其中反应被第四层阻止。这样获得了限定更明晰的在其中形成合金的区域，因此改善了记录载体上信息的可读性。采用形成合金的材料使得信息可以存储在稳态合金中，由此防止记录载体的老化。
另外，由于所述激光能量剂量是钟形曲线，所以第四层中的孔隙可以和第三层中的孔隙具有不同尺寸。这是由于对于距离激光束进入记录载体的入口点最远的层而言剂量下降的结果。对隔层材料的合适选择允许控制孔隙尺寸，从而校正这些层接收到的能量剂量的差异。
本发明的又一实施方案特征在于通过永久改变第三层中的区域使得所述反应可以进行，通过永久改变第四层中的区域使得所述另一反应可以进行。永久改变可以是机械变形、热诱导降解、或者光诱导降解等。
通过永久性改变第三层中的所述区域，获得了一次性写入式记录载体，导致信息永久存储。
又一实施方案的特征在于永久性改变是通过照射第三层或者第四层中的有机材料来实现的。
通过为第三层和/或第四层选择有机材料，比如目前在光学记录中常用的有机染料，可以形成当被照射时材料遭到破坏的第三层和/或第四层。可以将染料调成激光的颜色，从而吸收合适量的辐射。吸收影响着温度和照射剂量。第一层的材料、第二层的材料和第五层的材料都具有针对该材料的特殊吸收。通过选择第一和第二层的材料，来确定第一、第二和第五层的吸收。激光束辐射通过这五个层。辐射首先通过第一层，然后通过第三层，然后通过第二层，然后通过第四层，然后通过第五层。每层吸收部分辐射。结果，当辐射从各层中通过时照射量进一步下降。为了控制由于照射各层导致的温度升高，可以对吸收进行调节，以使各层吸收合适量的能量并到达反应发生所需的正确温度。
本发明的又一实施方案特征在于第三层和第四层为了发生反应所需的激光能量比第一材料和第二材料的反应所需的剂量大。
施加到各层上的激光能量剂量具有钟形曲线形状。所以，被该激光照射的区域中的温度并不均匀，而是具有温度较高的较小中心和所述区域中心周围的温度较低的区域。当为要求较高剂量激光能量才能被破坏的第三层选择材料时，第三层发生破坏的区域被限制在被激光照射的区域中心。第三层发生破坏的区域最终将比总照射区域小。第一层的材料和第二层的材料之间的反应被限制在第三层发生破坏的区域，以使第一层的材料和第二层的材料之间的反应区域也比激光照射的总区域要小。以此方式，第一层的材料和第二层的材料之间的反应由第三层中的孔隙尺寸限制，而不由第一和第二层的材料的熔化/反应性质限制。
当为要求较高剂量激光能量才能被破坏的第四层选择材料时，第四层发生破坏的区域被限制在被激光照射的区域中心。第四层发生破坏的区域最终将比总照射区域小。第五层的材料和第二层的材料之间的反应被限制在第四层发生破坏的区域，以使第五层的材料和第二层的材料之间的反应区域也比激光照射的总区域要小。以此方式，第五层的材料和第二层的材料之间的反应由第四层中的孔隙尺寸限制，而不由第一和第二层的材料的熔化/反应性质限制。
由此通过所述反应形成的标记也比总照射区域小。
换而言之可以在记录载体上写上比用于写入标记的激光光斑尺寸小的标记。更小的标记使得可以在记录载体上记录更多的标记，由于密度可以在切向和径向上都增加，所以导致记录载体的存储容量更高。更小的标记也使得可以写入二维数据图案。
而且，由于现在记录载体的反射受到多个层的影响，所以反射效应累加起来达到新的反射级别，而该反射级别是在两个反应层之间采用单一隔层所不能遇到的。这样可以进行多级记录，其中多个反射级别代表用于存储用户数据的多个值。
应该注意的是，吸收在来自所述照射的能量吸收方面起着重要作用。因此，当从上面照射时，即使第三层接收的照射比其上面的层接收的少，但是更高的吸收仍然导致第三层被照射的区域的温度分布偏移到比该区域内的第一层和第二层更高的温度。导致第三层(界面层)温度升高的第二效应是热扩散。所述热扩散从第一或者第二层发生。
这和第三层发生破坏的温度相互作用，导致和以第三层的具体材料作为参考点相比，可以获得多个优点。
申请人的观点就是通过合适选择记录叠层中的材料，在第三层中形成的孔隙比光斑小。在第三层获得所述温度分布(因此形成孔隙)方面，两种效应起到重要作用记录叠层的热性质(热扩散)和激光吸收(直接加热)。在此破坏温度定义为第一层和第二层反应形成稳定标记的温度。
这也适用于和第二层、第五层相关的第四层。当从上面照射时，即使第四层接收的照射比其上面的层接收的少，但是更高的吸收仍然导致第四层被照射的区域的温度分布偏移到比该区域内的第五层和第二层更高的温度。导致第三层(界面层)温度升高的第二效应是热扩散。所述热扩散从第五或者第二层发生。
申请人的观点就是通过合适选择记录叠层存储器中的材料，在第四层中形成的孔隙比光斑小。在第四层获得所述温度分布(因此形成孔隙)方面，两种效应起到重要作用记录叠层存储器的热性质(热扩散)和激光吸收(直接加热)。在此破坏温度定义为第五层和第二层反应形成稳定标记的温度。
对于每一隔层而言，可以区分两种不同情况隔层具有吸收性。(热扩散加上直接加热)——当针对相同照射选择较低吸收时，可以为隔层选择具有较高破坏温度的材料。
——当针对相同照射选择较高吸收并且隔层的目的仅仅是在室温获得化学稳定性(阻挡)时，可以为隔层选择具有较高破坏温度的材料。
——当针对相同照射选择较高吸收时，可以为隔层选择具有较低破坏温度的材料。
——当针对相同照射选择较低吸收并且隔层的目的仅仅是在更低温度获得化学稳定性时，可以为隔层选择具有较低破坏温度的材料。
——可以为隔层选择具有相同破坏温度的材料，对于相同照射而言，当选择较低吸收时，导致隔层中出现较小的开口。
——可以为隔层选择具有相同破坏温度的材料，对于相同照射而言，当选择较高吸收时，导致隔层中出现较大的开口。
隔层是半透明的(仅仅热扩散)——可以为隔层选择具有较高破坏温度的材料。热扩散导致隔层发生热破坏。
——当仅仅希望充当室温下的稳定反应阻挡层时，可以为隔层选择具有较低破坏温度的材料。
可以例如控制有机染料有关激光器辐射的颜色方面的吸收。
对于其中隔层为了使反应可以发生而需要的激光能量剂量比第一材料和第二材料发生反应所需的激光能量剂量更多的情况而言，具有的又一优点是串写效应降到最小。由于温度分布的钟形形状以及隔层的破坏被限制到照射区域的中心区域，所以相邻区域，例如相邻轨道，通过照射接收的能量不足以达到隔层被破坏的点。因此，即使在相邻区域中第一和第二层的材料接收的辐射足以达到可以发生反应的温度，但是由于隔层没有达到隔层在相邻区域中发生局部破坏所需的温度，所以隔层防止在所述相邻区域中发生任何变化。以此方式，不仅写入了小标记，而且防止了在相邻区域中写入所带来的串写效应。
另一实施方案的特征在于第一材料是Si，第二材料是Cu。
已经发现Si和Cu是合适的无机记录材料。隔层为采用Si和Cu作为记录材料的记录载体增添了稳定性，从而获得了更耐久的记录载体。
又一实施方案的特征在于第一材料是Bi，第二材料是Sn。
已经发现Bi和Sn是合适的无机记录材料。隔层为采用Bi和Sn作为记录材料的记录载体增添了稳定性，从而获得了更耐久的记录载体。
又一实施方案的特征在于第一材料是In，第二材料是Sn。
已经发现In和Sn是合适的无机记录材料。隔层为采用In和Sn作为记录材料的记录载体增添了稳定性，从而获得了更耐久的记录载体。
又一实施方案的特征在于第三层和第四层包含选自ZnS-SiO2、SiC、Al2O3、Si3N4、SiO2、C、KCl、LiF、NaCl、Pt、Au、Ag的第三材料，其应用取决于所需的光学性质(系统的波长)。
发现ZnS-SiO2、SiC、Al2O3和Si3N4等的每一成员对于隔层而言都是合适的材料。只要隔层在一区域中没有被局部破坏，则它形成了防止第一材料和第二材料之间发生反应的阻挡。一旦隔层在一区域中被破坏，则该隔层的材料不再防止在该区域中在第一材料和第二材料之间发生反应。ZnS-SiO2 SiC、Al2O3、Si3N4等材料在用一定剂量的激光能量照射时发生破坏。用于隔层的材料选自ZnS-SiO2 SiC、Al2O3、Si3N4，从而使得在合适温度发生破坏，具体取决于相邻层材料的反应温度。如前所述，为了获得比不存在隔层时所得标记小的标记，优选隔层材料发生破坏的温度高于相邻层材料之间发生反应的温度，但是也可以有利地采用较低的隔层破坏温度，例如以便获得更耐久的记录载体。
又一实施方案的特征在于第三层包含选自Pt、Au、Ag的第三材料(吸收性的第三层)。
这些元素对于所述界面层而言是合适的材料。
又一实施方案的特征在于通过多级记录记录信息，所述多级记录通过采用第一层和第二层之间的反应创建第一级、以及通过采用第二层和第五层之间的又一反应创建第二级来实现。
采用这种方法精确控制标记尺寸使得当采用本发明的方法时可以实现多级记录。标记的反射取决于通过破坏一个或两个隔层而允许哪些层可以相互反应。而且，由于可以获得更小的标记，所以可以采用一系列连续直接相邻的标记以在相同区域中获得规则尺寸标记形式的多级记录。
又一实施方案的特征在于通过写入多个重叠标记进行多级记录。
一旦隔层在一区域中发生破坏，则它保持破坏状态，不会受到施加到所述区域的又一剂量的激光能量的显著影响。
因此，通过写入第一标记，并随后在写入所述第一标记之后即刻或者在记录载体的一次或者多次旋转之后(对于记录载体具有圆形或螺旋形轨道的情况而言)连续写入又一标记(和第一标记有所需量的重叠)，能够调节标记的尺寸。
通过将第一标记和第二标记的基本重叠，可以略微增加标记的尺寸，例如，如果重叠度为90％，则所得标记的尺寸是第一标记尺寸的110％。通过将重叠量在100％-0％之间变化，所得标记的尺寸可以在第一标记的100％和200％之间调节。当然，可以在所得标记的尺寸上增加第三或又一标记，直到达到标记的所需尺寸为止。
本发明的记录载体的特征在于第三材料的第三层和第三材料的第四层，所述第三层位于第一层和第二层之间，使得在被照射的区域中第一材料和第二材料之间可以发生反应；所述第四层位于第二层和第五层之间，第四层使得第五层的第一材料和第二层的第二材料之间可以发生又一反应。
通过用隔层分开记录层，除非隔层之一或两个隔层由于一定剂量的激光能量照射发生破坏，否则不可能发生反应。在隔层之一或两者被破坏的区域，能够在具有第一材料的层和具有第二材料的层之间发生反应。在其它区域中，和隔层相邻的这些层保持被所述隔层分开状态，任何导致对比度下降的反应被防止。
通过提供被多个隔层分开的多层，可以获得针对相同标记尺寸的多个反射等级。
因此，获得了鲁棒可读性、长期稳定性和多级记录。
记录载体的又一实施方案的特征在于所述反应和又一反应是化学反应。
通过选择第一和第五层的第一材料和第二层的第二材料使其在混合时产生对比度上的变化，可以实现对比度的变化。这可以是有机和无机材料。由于第三层和第四层都将两种材料分开，所以本发明允许选择如下材料组合当接触时，即使在常规室温而不是照射导致的升高温度下，通常互相会反应。
而且，可以选择如下材料组合当用剂量低于破坏第三层和/或第四层所需的激光能量剂量的激光能量照射时，发生反应。
当选择的材料组合在用剂量高于破坏一个或两个隔层，即，第三层和/或第四层，所需的激光能量剂量的激光能量照射会发生反应时，隔层在比其中第一、第二和第五层的材料发生反应的区域更大的区域中发生破坏。但是，这仍然提供了限定第一和第二层的材料以及第二和第五层的材料将发生反应的最大面积的优点，从而改善了长期稳定性，并为对比度的下降设置上限。材料的更宽选择也是可行的。
记录载体的又一实施方案特征在于第三层和第四层发生反应所需的激光能量剂量比第一材料和第二材料的反应所需的要大。
施加到各层上的激光能量剂量具有钟形曲线形状。所以，被该激光照射的区域中的温度并不均匀，而是具有温度较高的较小中心和所述区域中心周围的温度较低的区域。当为要求较高剂量激光能量才能被破坏的第三层选择材料时，第三层发生破坏的区域被限制在被激光照射的区域中心。第三层发生破坏的区域最终将比总照射区域小。第一层的材料和第二层的材料之间的反应被限制在第三层发生破坏的区域，以使第一层的材料和第二层的材料之间的反应区域也比激光照射的总区域要小。以此方式，第一层的材料和第二层的材料之间的反应由第三层中的孔隙尺寸限制，而不由第一和第二层的材料的熔化/反应性质限制。
当为要求较高剂量激光能量才能被破坏的第四层选择材料时，第四层发生破坏的区域被限制在被激光照射的区域中心。第四层发生破坏的区域因此将比总照射区域小。第五层的材料和第二层的材料之间的反应被限制在第四层发生破坏的区域，以使第五层的材料和第二层的材料之间的反应区域也比激光照射的总区域要小。以此方式，第五层的材料和第二层的材料之间的反应由第四层中的孔隙尺寸限制，而不由第一和第二层的材料的熔融/反应性质限制。
由此通过所述反应形成的标记也比总照射区域小。
换而言之可以在记录载体上写上比用于写入标记的激光光斑尺寸小的标记。更小的标记使得可以在记录载体上记录更多的标记，由于密度可以在切向和径向上都增加，所以导致记录载体的存储容量更高。
应该注意的是，吸收在从所述照射能量吸收方面起着重要作用。因此，当从上面照射时，即使第三层接收的照射比其上面的层接收的少，但是更高的吸收仍然导致第三层被照射的区域中的温度分布偏移到比该区域内的第一层和第二层更高的温度。导致第三层(界面层)温度升高的第二效应是热扩散。所述热扩散源自第一或者第二层。
这和第三层发生破坏的温度相互作用，导致和用于第三层的具体材料作为参考点相比，可以获得多个优点。
申请人的观点就是通过合适选择记录叠层存储器中的材料，在第三层中形成的孔隙比光斑小。在第三层获得温度分布(并因此形成孔隙)方面，两种效应起到重要作用记录叠层存储器的热性质(热扩散)和激光吸收(直接加热)。在此破坏温度定义为第一层和第二层反应形成稳定标记的温度。
这也适用于和第二层、第五层相关的第四层。当从上面照射时，即使第四层接收的照射比其上面的层接收的少，但是更高的吸收仍然导致第四层被照射的区域的温度分布偏移到比该区域内的第五层和第二层更高的温度。导致第三层(界面层)温度升高的第二效应是热扩散。这一热扩散源自第五或者第二层。
申请人的观点就是通过合适选择记录叠层存储器中的材料，在第四层中形成的孔隙比光斑小。在第四层获得所述温度分布(并因此形成孔隙)方面，两种效应起到重要作用记录叠层存储器的热性质(热扩散)和激光吸收(直接加热)。在此破坏温度定义为第五层和第二层反应形成稳定标记的温度。
对于每一隔层而言，可以区分两种不同情况隔层具有吸收性。(热扩散加上直接加热)——当针对相同照射选择较低吸收时，可以为隔层选择具有较高破坏温度的材料。
——当针对相同照射选择较高吸收并且隔层的目的仅仅是在室温获得化学稳定性(阻挡)时，可以为隔层选择具有较高破坏温度的材料。
——当针对相同照射选择较高吸收时，可以为隔层选择具有较低破坏温度的材料。
——当针对相同照射选择较低吸收并且隔层的目的仅仅是在更低温度获得化学稳定性时，可以为隔层选择具有较低破坏温度的材料。
——可以为隔层选择具有相同破坏温度的材料，对于相同照射而言，当选择较低吸收时，导致隔层中出现较小的开口。
——可以为隔层选择具有相同破坏温度的材料，对于相同照射而言，当选择较高吸收时，导致隔层中出现较大的开口。
隔层是半透明的(仅仅热扩散)——可以为隔层选择具有较高破坏温度的材料。热扩散导致隔层发生热破坏。
——当仅仅希望充当室温下的稳定反应阻挡时，可以为隔层选择具有较低破坏温度的材料。
可以控制有机染料在例如有关激光器辐射的颜色方面的吸收。
对于其中第三和第四隔层为了使反应可以发生而需要比第一材料和第二材料发生反应所需的激光能量剂量更多的情况而言，具有的又一优点是串写效应降到最少。由于温度分布的钟形形状以及隔层的破坏被限制到照射区域的中心区域，所以相邻区域，例如相邻轨道，通过照射接收的能量不足以达到隔层被破坏的点。因此，即使在相邻区域中第一、第二和第五层的材料接收的辐射足以达到可以发生反应的温度，但是由于隔层没有达到隔层在相邻区域中发生局部破坏所需的温度，所以隔层防止在所述相邻区域中发生任何变化。以此方式，不仅写入了小标记，而且防止了在相邻区域中写入所带来的串写效应。
记录载体的又一实施方案的特征在于第一材料是Si，第二材料是Cu。
已经发现Si和Cu是合适的无机记录材料。隔层为采用Si和Cu作为记录材料的记录载体增添了稳定性，从而获得了更耐久的记录载体。
记录载体的又一实施方案的特征在于第一材料是Bi，第二材料是Sn。
已经发现Bi和Sn是合适的无机记录材料。隔层为采用Bi和Sn作为记录材料的记录载体增添了稳定性，从而获得了更耐久的记录载体。
记录载体的又一实施方案的特征在于第一材料是In，第二材料是Sn。
已经发现In和Sn是合适的无机记录材料。隔层为采用In和Sn作为记录材料的记录载体增添了稳定性，从而获得了更耐久的记录载体。
记录载体的又一实施方案的特征在于第三层和第四层包含选自ZnS、SiO2 SiC、Al2O3、SiN的材料。
发现ZnS、SiO2 SiC、Al2O3和SiN的每一成员对于将记录载体上的第一层和第二层分开以及将第二层和第五层分开的第三和第四层而言都是合适的材料。只要第三层在一区域中没有被局部破坏，则它形成了防止第一层和第二层之间发生反应的阻挡；只要第四层在一区域中没有被局部破坏，则形成了位于第二层和第四层之间的阻挡层。一旦隔层在一区域中被破坏，则该隔层的材料不再防止在该区域中在相邻层之间发生反应。ZnS、SiO2 SiC、Al2O3、SiN材料在用一定剂量的激光能量照射时发生破坏。用于第三层和第四层的材料选自ZnS、SiO2 SiC、Al2O3、SiN，从而使得在合适温度发生破坏，取决于第一、第二和第五层的材料的反应温度。如前所述，为了获得比不存在隔层时所得标记小的标记，优选第三层和第四层材料发生破坏的温度高于第一、第二和第五层材料之间发生反应的温度，但是也可以有利地采用较低的隔层破坏温度，例如以便获得更耐久的记录载体。
记录设备的实施方案特征在于控制电路，当所述检测电路检测到一记录载体时，该记录载体包括第一材料的第一层和第二材料的第二层，其中第三材料的第三层位于第一层和第二层之间，并且其中第三材料的第四层位于第二层和第一材料的第五层之间；在当用一照射剂量照射第三层的一区域时，第三层使得该区域内的第一材料和第二材料之间可以发生反应的情况下，调节所述照射剂量以使第三层可以使所述反应发生；在当用又一照射剂量照射第四层的区域时，第四层使得在该区域内第一材料和第二材料之间可以发生又一反应的情况下，调整所述又一照射剂量以使所述第四层使得所述反应可以发生。
记录设备必须调整和写策略相关的参数，以满足其上将记录数据的记录载体的要求。
为此，记录设备必须能够检测记录载体的类型。或者，记录设备可以被制成仅仅适于单一类型的记录载体，因此不需要进行检测，或者可以采用其它方法来确定记录过程的合适参数。
然后，将这些参数提供给控制电路，以对发射所述剂量激光能量的激光器设备进行控制，从而对记录过程进行调整以适应待记录的记录载体。
下面结合附图描述本发明。
图1示出了现有技术记录载体的横截面。
图2示出了照射现有技术的记录载体以在其上面写入标记。
图3示出了本发明的记录载体的横截面。
图4a示出了照射本发明的记录载体。
图4b示出了本发明的记录载体的横截面。
图4c示出了照射本发明的记录载体。
图4d示出了照射本发明的记录载体。
图5示出了在Si-Cu基记录载体上标记形成，体现了剂量对标记形成的影响。
图6示出了对具有各种材料的第一和第二层的记录载体的调制(modulation)测量结果。
图7示出了Bi-Sn基和Sn-Bi基记录载体的温度和反射、透射测量值之间的关系。
图8示出了利用本发明的记录载体实现多级一次性写入记录。
图8a示出了针对单一标记的写策略。
图8b示出了针对双标记的写策略。
图1示出了现有技术记录载体的横截面。
记录载体具有第一层2和与第一层2相邻的第二层3。第一和第二层2，3施加到载体4上。施加保护层5以保护第一和第二层2，3免受损坏。保护层5也可以是第二载体的形式，从而使第一和第二层2，3夹在两个载体之间，其中每个载体提供机械稳定性和保护。
图2示出了照射现有技术的记录载体以在其上写入标记。
在图2中仅仅示出了第一层2和第二层3。为了清楚，省略了载体4和保护层5。
当用一定剂量的激光束9的激光能量照射第一和第二层的区域6，10时，该区域6，10中的温度升高到记录载体的平均温度之上。
记录载体1的小区域6，10中的温度提高到第一层2的材料和第二层3的材料开始反应和形成新材料的温度点。区域6，10中的这一新材料的反射率和没有接收激光能量剂量的原始材料的不同。以此方式，在记录载体上写入标记。
所述剂量的激光能量7在激光束9上不是均匀分布，而是具有高斯曲线形状。用比激光剂量7的一定水平8高的激光剂量照射的区域6，10中的材料，发生反应和形成标记。
由于第一层2的材料和第二层3的材料在整个记录载体上互相接触，所以在没有激光能量剂量照射的区域中在例如室温下发生的缓慢反应，导致记录载体1的对比度缓慢损失，并因此导致记录载体在可读性和耐久性方面的可靠性都下降。
图3示出了根据本发明的记录载体的横截面。第一层2和第二层3由第三层11分开。第三层防止第一层2的材料和第二层3的材料互相接触。由于没有接触，所以两层2，3之间没有反应，除非第三层被毁坏或者被改变以至于能够发生反应。
图4a示出了照射具有由隔层分开的两个层的记录载体。
为了解释记录标记的基本方法，在图4a中仅仅示出了五层中的三层。在图4b中，描述了在具有全部五层的记录载体上的记录。
在图4a中，通过激光束9将一定剂量的激光能量7施加到区域6、6A、10、10A、12、14、15上。第一层2中的区域10、10A、12吸收激光束的能量，第一层的区域10、10A、12的温度上升。没有被第一层2吸收的能量传递到第三层11上。
第三层11的区域15、15A、15B吸收激光束的能量，区域15、15A、15B的温度上升。没有被第三层11吸收的能量传递到第二层3上。
第二层的区域6、6A、12也吸收来自激光束的能量，区域6、6A、12的温度升高。
在激光束9上激光能量7的剂量并不均匀。仅仅当激光能量7的剂量超过一定值8时，第一层2的区域10、10A、12的温度才升高到足以使第一层2的材料和第二层3的材料相互反应。另外，只有当激光能量7的剂量超过一定值8时，第二层3的区域6、6A、14的温度才升高到足以使第二层3的材料和第一层2的材料相互反应。
对于第三层11而言，为了使第三层11的区域15、15A、15B的温度升高到第三层11在区域15中的材料被破坏的温度点，激光能量剂量必须达到比第一和第二层2，3所需的值更高的值13。这可以通过选择第三层的材料进行控制，或者可以通过控制第三层11的材料的吸收来控制。
由于仅仅在第三层11的较小区域15中达到了所述较高值的能量剂量，虽然有第三层11的周围区域15A，15B，仅仅第三层的小区域15被破坏。这个区域比其中第一和第二层2，3的材料达到反应温度的区域10、10A、12、6、6A、14小。结果，仅仅在第一层2的小区域12中的材料和第三层的小区域14的材料反应。
图4b示出了本发明的记录载体的横截面。第一层2和第二层3目前由第三层11分开，第二层3和第五层2A目前被第四层11A分开。第三层防止第一层2的材料和第二层3的材料相互接触。由于两层2，3之间没有接触，所以没有反应。
图4c示出了照射具有由两个隔层分开的三个层的记录载体。
在图4b中，通过激光束9将一定剂量的激光能量7施加到区域6、6A、10、10A、12、14、15、16、17上。第一层2中的区域10、10A、12吸收激光束的能量，第一层的区域10、10A、12的温度上升。没有被第一层2吸收的能量传递到第三层11上。
第三层11的区域15、15A、15B也吸收激光束的能量，区域15、15A、15B的温度上升。没有被第三层11吸收的能量传递到第二层3上。
第二层的区域6、6A、12也吸收来自激光束的能量，区域6、6A、12的温度升高。
没有被第二层3吸收的能量被传递到第四层11a上。
第四层11a的区域16也吸收来自激光束的能量，区域16的温度升高。没有被第四层11a吸收的能量传递到第五层2a。第五层2a的区域17也吸收激光束的能量，区域17的温度升高。
在横过激光束9中激光能量7的剂量并不均匀。仅仅当激光能量7的剂量超过一定值8时，第一层2的区域10、10A、12的温度才升高到足以使第一层2的材料和第二层3的材料相互反应。另外，只有当激光能量7的剂量超过一定值8时，第二层3的区域6、6A、14的温度才升高到足以使第二层3的材料和第一层2的材料和/或第五层2a的材料反应。
对于第三层11和第四层11a而言，为了使第三层11的区域15、15A、15B和第四层11a的区域16的温度升高到第三层11在区域15中的材料和第四层11a在区域16中的材料被破坏的温度点，激光能量剂量必须达到比第一层2、第二层3和第五层2a所需的值更高的值13。这可以通过选择第三层11和第四层11a的材料进行控制，或者可以通过控制第三层11和第四层11a的材料的吸收来控制。由于仅仅在第三层11的较小区域15中达到了所述较高值的能量剂量，虽然有第三层11的周围区域15A、15B，仅仅第三层的小区域15被破坏。
由于仅仅在第四层11a的较小区域16(如果需要)中达到了所述更高值的能量剂量，虽然有第四层11a的周围区域，仅仅第四层11a的小区域16被破坏。
这些面积比将其中第一层2、第二层3和第五层2a的材料达到反应温度的区域10、10A、12、6、6A、14小。因此，仅仅在第一层2的小区域12中的材料和第二层的小区域14的材料反应。另外，如果需要，仅仅第五层2a的小区域17中的材料和第二层的小区域14中的材料反应。
图4d示出了照射具有由两个隔层分开的三个层的记录载体。
在图4d中，通过激光束9将一定剂量的激光能量7施加到区域6、6A、10、10A、12、14、15、16、17上。第一层2中的区域10、10A、12吸收激光束的能量，第一层的区域10、10A、12的温度上升。没有被第一层2吸收的能量传递到第三层11上。
第三层11的区域15、15A、15B也吸收激光束的能量，区域15、15A、15B的温度上升。没有被第三层11吸收的能量传递到第二层3上。
第二层的区域6、6A、12也吸收来自激光束的能量，区域6、6A、12的温度升高。
没有被第二层3吸收的能量被传递到第四层11a上。
第四层11a的区域16也吸收来自激光束的能量，区域16的温度升高，但不足以毁坏或改变第四层的区域16，因此防止了第二层3和第五层2a之间的反应。没有被第四层11a吸收的能量传递到第五层2a。第五层2a的区域17也吸收激光束的能量，区域17的温度升高。
横过激光束9的激光能量7的剂量并不均匀。仅仅当激光能量7的剂量超过一定值8时，第一层2的区域10、10A、12的温度才升高到足以使第一层2的材料和第二层3的材料反应。另外，只有当激光能量7的剂量超过一定值8时，第二层3的区域6、6A、14的温度才升高到足以使第二层3的材料和第一层2的材料和/或第五层2a的材料反应。
对于第三层11和第四层11a而言，为了使第三层11的区域15、15A、15B和第四层11a的区域16的温度升高到第三层11在区域15中的材料和第四层11a在区域16中的材料被破坏的温度，激光能量剂量必须达到比第一层2、第二层3和第五层2a所需的值更高的值13。这可以通过选择第三层11和第四层11a的材料进行控制，或者可以通过控制第三层11和第四层11a的材料的吸收来控制。通过选择激光能量7的剂量，使得第三层受到影响但第四层不受影响，从而将标记的形成仅仅限制在第一和第二层。第四层由于对激光能量7的剂量的选择而保持完好无损，并防止第二层3和第五层2a之间的反应。这样影响了由此形成的标记的反射率，从而能够实现多级反射没有写入标记时是全反射，仅仅第三层受影响时是中等反射，当第三和第四层都受到照射影响时是低反射。由于仅仅在第三层11的较小区域15中达到了所述较高值的能量剂量，虽然有第三层11的周围区域15A、15B，仅仅第三层11的小区域15被破坏。
由于仅仅在第四层11a的较小区域16(如果需要)中达到了所述更高值的能量剂量，虽然有第四层11a的周围区域，仅仅第四层11a的小区域16被破坏。
这些区域比其中第一层2、第二层3和第五层2a的材料达到反应温度的区域10、10A、12、6、6A、14小。结果，仅仅在第一层2的小区域12中的材料和第二层的小区域14的材料反应。
人们已经提议采用Cu-Si体系作为一次性写入式记录体系。也提议采用Bi-Sn和In-Sn体系作为一次性写入式记录体系。这些体系的重要不足(尤其在用于二维数据存储时)在于热串写(thermalcross-write)和热轨道内干扰(thermal in-track interference)。所提出的阻挡层提供了针对这些热效应的更强的稳定性。附加优点是在升高的温度下的增加的稳定性。
数种提供稳定反应产物SinCum的体积比已经为人公知。对50-50体积％比进行的试验至少表明了所述无机记录体系的可行性。其它体积比也是可行的。通过反射-透射测量体系(RTM)对I-Si-Cu-IAg试样(其中，I表示ZnS-SiO2介电层)在初始状态和记录状态进行了对比测量。在对所述叠式存储器进行热退火(热退火在热RTM装置上进行)以引发化学反应后，达到了记录状态。Si和Cu层的厚度相等，取成5、7和9nm。图4e中给出了所述三种Si-Cu层厚(体积比都是50-50％)在第一I层厚度变化(在20-100nm之间变化)时的对比测量结果。在II层厚度为大约50nm时，9mn Si和Cu导致对比度为大约80％。
图5描述了在Si-Cu基记录载体上的标记形成，显示出剂量对形成标记的影响。
对M-I2-P-I1记录叠式存储器的标记形成进行了数值模拟，以举例说明所提出的记录叠式存储器的超分辨性质(I1和I2表示ZnS-SiO2介电层，P表示化合物记录层(P＝Si-I-Cu)，M是金属性吸热层(在是Ag的情况下))。各层的层厚是Ag-I2-(Cu-I-Si)-I1＝60-44-(5-2-5)-20nm。标记形成被限定为在所述记录叠式存储器内超过位于Si和Cu层之间的界面阻挡层的熔融温度的面内区域。图5给出了对于连续六个写脉冲而言，面内标记尺寸半值(halfinplane mark size)和阻挡层熔融温度之间的关系。应该注意的是，所述写策略用于以游程调制代码(run-length modulation code)写入更长的标记。该序列中第一写脉冲的结果，和所计算的标记的起始边相对应，对单一写脉冲策略例如当用于单元长度固定的多级记录方案中时的结果进行了大致说明。标记轮廓(mark profile)50是较低熔融温度的结果，而标记轮廓51是较高熔融温度的结果。标记尺寸的差异表明，实际上可以采用熔融温度、写功率以及记录叠式存储器的光学性质的组合来控制标记尺寸。蓝圈52(半径为R0)代表蓝色激光斑点的1/e尺寸。显然，对于较高熔融温度而言，在阻挡层中仅仅形成了非常小的孔隙以使两个反应性记录层Si和Cu可以发生物理接触。
所述薄阻挡层可能采用的例子是ZnS-SiO2、SiC、Al2O3、Si3N4、SiO2、C、KCl、LiF、NaCl、Pt、Au、Ag等。对隔层，即，阻挡层的要求如下1、阻挡层的温度应该高于Cu-Si或者Bi-Sn或者In-Sn体系的混合温度。可以预见，等于或者略微低于CuSi、Bi-Sn或者In-Sn体系的反应温度的熔融温度也会导致形成更小的位，但是不同层之间的、可能不完全的反应/混合可能导致调制较弱(lower modulation)。
2、室温时化学稳定性。
3、强阈值行为熔融导致在合适温升下形成孔隙，不可能穿过层扩散。
图6示出了具有各种第一和第二层材料的记录载体的调制测量。
在图6中，将对Cu-Si盘、(ZnS-SiO2)-Cu-Si-(ZnsS-SiO2)盘和SiN-Bi-Sn-SiN盘的静态测试仪测量结果和标准相变Blue-ray盘的结果进行比较。所示的是信号调制(来自最长游程(在此情况I8)的峰-峰信号和信号幅值的比)和写脉冲长度的变化关系。标准Blu-ray盘基于GeInSbTe相变材料，所述材料可以在无定形态和晶态之间可逆变换。Blu-ray Cu-Si是测试盘，CuSi是层厚为7nm的国产盘，BiSn体系的层厚为15nm。从图中可以发现，采用所建议的一次性写入系统，可以获得和标准Blu-Ray盘相等或者比其更高的调制。
图7示出了Bi-Sn和Sn-Bi基记录载体的反射、透射测量结果和温度的变化关系。
能够提供稳定反应产物SinCum的数种体积比是公知的，对50-50体积％进行了试验。通过测量反射和透射值对I-Si-Cu-I-Ag试样(其中I表示ZnS-SiO2介电层)进行了初始态和记录态的对比测量。对比度定义为如下的比值对比度＝(R初始-R写入)/R初始。图9给出了对比度测量结果和介电层I1在三种层厚5、7和9nm时的变化关系。可以发现对于所示三种层厚而言，当体积比为50％时获得了良好的对比度。对于具有3个记录层和两个隔层的五层叠式存储器而言，通过引发第一层和第二层之间以及第二层和第五层之间的反应，可以获得另外的对比度。
在对叠式存储器进行热退火以引发化学反应之后，获得记录态。图7示出了对Bi-Sn体系进行的这些热反射和透射测量结果(RTM测量)。示出的是两种层厚，15/15和30/30nm，的试验结果，每种层厚都具有50％的体积比和两种取向，SiBi和BISn。在大约140℃发生阈值型反应(threshold kind of reaction)。反射率开始是大约70％(用70表示)，但下降到大约10-15％的值(用72表示)。相反，透射率开始低于5％(用71表示)，但升高到30％以上(用73表示)。
初始态和写入态都具有低的透射率，表明所述记录叠式存储器也可用于透明模式，比如双层盘中的第一记录叠式存储器。
图8示出了采用本发明的记录载体实施多级一次性写入记录。
图8给出了2D多级记录的示意图。申请人所考虑的是矩形网格，但是也可以采用六边形结构(蜂窝结构)(比如在2DOS项目中采用的方案)。在初始阶段，用轨道N-1、N和N+1和后续单元M-1、M和M+1表示的9单元的矩阵没有被写入(还有轨道N-2没有被写入)。在步骤1中，在轨道N1中写入数据。标记尺寸仅仅受写功率的控制。在步骤2中，在轨道N中写入数据。在步骤3中，在轨道N+1中写入数据。
所建议的记录叠式存储器和方法的明显优点在于能够以极佳的分辨率(即，比光斑小)写入标记。这样可以使轨道节距显著减小。然后，能够采用所述方法和记录载体来写入二维数据图案。
对于轨道节距显著减小的情况而言，从轨道N测得的反射率也包括来自N-1和N+1的贡献(光学串扰)。光斑强度通常是Gauss型(位于Gauss型和Airy之间的某种情况)。所以，应该将读出信号看作是强度分布和现有数据的卷积。通常，中心轨道中的标记比相邻轨道中的标记对总反射信号的贡献要大很多。在大多数光学记录应用中，都不希望有来自侧轨道的贡献，但是申请人可以对该系统进行设计以使其最优化地利用光学串扰。
可以通过正确选择写策略(脉冲时间和脉冲功率)来控制刻录坑(pit)的形成。需要至少针对三个连续单元(M-1、M和M+1)对写策略进行最优化。如果在前一单元M-1中写入，则在此位置散发的热量可以影响单元M的写入(预热效应)。另外，在单元M+1中写入可能影响前面已经写入的单元M，(所谓的后热效应)。为了控制单元M的写入，需要控制后热和预热效应。
可能与此相关的参数是写脉冲的功率和长度、针对下一待写标记的预热脉冲种类、以及可能的冷却间距。图8a给出了这样一个写策略的例子。脉冲高度P熔融决定熔融区域的尺寸。P扩散的持续时间和功率可用于控制层1和层2的扩散程度。需要冷却间距来冷却记录叠式存储器，并可用于控制记录叠式存储器中的热干扰(预热效应)(偏磁电平(bias level))。轨道节距、功率水平和脉冲持续时间密切相关，所以，需要在集群优化算法中进行最优化。
由于相邻轨道中的刻录坑需要被设置成相对于中心轨道中的刻录坑具有高的空间精度，所以刻录坑的同步化非常重要。有两种选项1、用于同步化的预先录制的平台或尖峰。2、使同步模式能够重建的、已写入的长(例如120)刻录坑/标记。通过经由光串扰测量相邻轨道中的长同步(syncs)，实现同步化。由于轨道节距远远小于光斑尺寸(衍散极限)，所以预期当聚焦在中心轨道上时能检测到相邻的标记。
通过写入重叠标记可以生成多级图案，例如80是单一标记，81是双标记(2个重叠的标记)，都如图8所示。在下一写循环中，写入图案83和82。在第三次写循环中，在轨道N+1中写入图案85和84。图8b示出了通常用来写入双标记的写策略。
权利要求
1.用于在包括第一材料的第一层和第二材料的第二层的光盘上记录信息的方法，所述方法包括用一剂量的激光能量照射所述光盘的区域，在用所述剂量的激光能量照射的区域中，第一层的第一材料和第二层的第二材料反应，其特征在于第三层和第四层，所述第三层位于所述第一层和第二层之间，当用第一剂量的激光能量照射时，使得被所述第一激光剂量照射的区域中第一材料和第二材料之间发生反应；所述第四层位于第一材料的第五层和第二层之间，当用第二剂量的激光能量照射时，使得被所述第二激光剂量照射的区域中第一材料和第二材料之间发生又一反应。
2.权利要求1的用于在光盘上记录信息的方法，其特征在于所述反应或所述又一反应是化学反应。
3.权利要求1的用于在光盘上记录信息的方法，其特征在于所述反应或者所述又一反应是第一材料和第二材料熔融以形成合金。
4.权利要求1的用于在光盘上记录信息的方法，其特征在于所述反应或所述又一反应是有机反应。
5.权利要求1的用于在光盘上记录信息的方法，其特征在于所述反应通过永久改变第三层中的所述区域而得以实现，其所述又一反应通过永久改变第四层中的所述区域而得以实现。
6.权利要求1的用于在光盘上记录信息的方法，其特征在于通过照射第三层或第四层中的有机材料来实现所述永久性改变。
7.权利要求1、2、3、4、5或6的用于在光盘上记录信息的方法，其特征在于所述第三层和第四层为了能发生反应需要的激光能量比第一材料和第二材料发生反应所需的激光能量的剂量大。
8.权利要求1、2、3、4、5、6或7的用于在光盘上记录信息的方法，其特征在于第一材料是Si，第二材料是Cu。
9.权利要求1、2、3、4、5、6或7的用于在光盘上记录信息的方法，其特征在于第一材料是Bi，第二材料是Sn。
10.权利要求1、2、3、4、5、6或7的用于在光盘上记录信息的方法，其特征在于第一材料是In，第二材料是Sn。
11.权利要求1、2、3、4、5、6或7的用于在光盘上记录信息的方法，其特征在于第三层和第四层包括选自ZnS-SiO2、SiC、Al2O3、Si3N4、SiO2、C、KCl、LiF、NaCl、Pt、Au、Ag的第三材料。
12.权利要求1的用于在光盘上记录信息的方法，特征在于采用多级记录来记录信息，所述多级记录通过利用第一层和第二层之间的反应创建第一级、和利用第二层和第五层之间的又一反应创建第二级来实现。
13.包括第一材料的第一层和第二材料的第二层的记录载体，特征在于第三材料的第三层和第三材料的第四层，所述第三层位于所述第一层和第二层之间，当对区域进行照射时，它能够使得所述区域中第一材料和第二材料之间发生反应；所述第四层位于第二层和第五层之间，它能够使得第五层的第一材料和第二层的第二材料之间可以发生又一反应。
14.权利要求13的记录载体，其特征在于所述反应或所述又一反应是化学反应。
15.权利要求13的记录载体，其特征在于所述反应或者所述又一反应是第一材料和第二材料熔融以形成合金。
16.权利要求13的记录载体，其特征在于所述反应或者所述又一反应通过永久改变第三层而得以实现。
17.权利要求13、14、15或16的记录载体，其特征在于所述第三层和第四层为了能发生反应所需要的激光能量比第一材料和第二材料的所述反应和又一反应所需的激光能量的剂量大。
18.权利要求17的记录载体，其特征在于第一材料是Si，第二材料是Cu。
19.权利要求17的记录载体，其特征在于第一材料是Bi，第二材料是Sn。
20.权利要求17的记录载体，其特征在于第一材料是In，第二材料是Sn。
21.权利要求17的记录载体，其特征在于第三层包括选自ZnS-SiO2、SiC、Al2O3、Si3N4、SiO2、C、KCl、LiF、NaCl、Pt、Au、Ag的第三材料。
22.权利要求13-21的记录载体，其特征在于所述记录载体包含又一记录层。
23.用于在光盘上记录信息的记录设备，包括用于控制激光器发射的辐射剂量的控制电路和用于检测光盘类型的检测电路，其特征在于所述控制电路，当所述检测电路检测到如下记录载体时，调节所述照射剂量以使第三层使得反应可以发生，调整又一照射剂量以使第四层使得反应可以发生所述记录载体包括第一材料的第一层和第二材料的第二层，其中第三材料的第三层位于第一层和第二层之间，其中第三材料的第四层位于第二层和第一材料的第五层之间；其中当用照射剂量照射第三层的区域时，第三层使得该区域内的第一材料和第二材料之间可以发生反应；其中当用又一照射剂量照射第四层的区域时，第四层使得在该区域内第一材料和第二材料之间可以发生又一反应。
24.权利要求23的用于在光盘上记录信息的记录设备，其特征在于所述记录是多级记录。
25.权利要求24的用于在光盘上记录信息的记录器，其特征在于所述记录器的控制电路控制激光器发出的辐射以使一个区域被照射或者多个重叠区域被照射。
全文摘要
本发明涉及记录载体，该记录载体包括三层，当被照射时所述三层互相反应以在记录载体上形成标记。所述三层由两个隔层分开，防止所述三层直接接触，由此为记录载体提供稳定性。通过照射一个或两个隔层，这些隔层的某区域被毁坏或者改变，由此形成开口，并且不再防止和所述隔层相邻的层在所述区域内的反应，可以形成标记。由于如果一个或两个隔层被毁坏或者改变时能够发生一个或两个反应，所以可以标记的获得多个反射级，由此可以进行多级记录，和仅仅能够获得两个反射级的情况相比，多级记录的单个标记可以代表更多的信息。最终开口的尺寸确定了标记的尺寸，从而可用于形成非常小的、能够高密记录的标记。
文档编号G11B7/0045GK1981335SQ200580022989
公开日2007年6月13日 申请日期2005年6月23日 优先权日2004年7月7日
发明者E·R·梅恩德斯, A·米杰里特斯基 申请人:皇家飞利浦电子股份有限公司