专利名称：：垂直磁记录介质和磁记录/再现装置的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种垂直磁记录介质和紘己糾赋置，该装置用在例:H^1磁记录技术的^J:驱动器中。技术背景最近，对于增加石ti^区动器容量的需求已经出现，并且i^己录密度的增加记录位的尺寸^Mk决地减小。为了形成大容量^it介质，不仅需要减小记录位尺寸，还需要改善记^/再舰性，即，减小来自介质的辆。导致介质財的主要原因被iA^是在位的边界部^/大^LE之字形移动的一壁。减小来自位边界部^^音的一种方法是形成一个较清晰的记录^it界。这^f吏减小记录位之间的樹目互作用成为可能，并JL^每个单独的位Jjlt确i^m己^/再现。日本专利申请KOKAI公开号为2003-77122公开了一种用于改善记^/再现棒法的方法的例子，该方法是一种通it^非磁性衬^JJ顷序层叠至少一层非磁性衬层、磁1^^N^层来形成垂直记录介质的技术，磁li^由铁磁晶棘主要包括氧化物的非磁f^^ii界纟赋，非磁1!^#层由具有六角密^#^晶体结构的金属或^^赋，以及籽晶层由金属或具有面心立方晶体结构的^^a^，其形M非磁性衬层和非磁性衬底之间。该技术的^#絲于籽晶层由选自Cu、Au、Pd、Pt和Ir的^ir属，包含Cu，Au,Pd，Pt和Ir的至少一种的合金，或包含Ni和Fe的^r组成。该技术能使#^晶层一样的面心立方结构的密堆积面(closestpackedface)沿(111)面^C向，并且能4吏形^^晶层上并具有六角密堆积结构的非磁性衬层定向在沿(002)面上。这能够改-8^有和非磁性衬层同样六角密堆积结构的记录层的晶僻:^向，并且能够获得具有^"磁特性的垂直磁记录介质。5然而，当^f錢具有面心立方结构的结晶的籽晶层时，虽然晶棘向得以改善，但晶粒尺寸变得难以减小，因为籽晶层的颗粒尺寸^L^映在非磁性层上。日本专利申请KOKAI公开号为2004-327006公开了，例如，一种具有尝试性改善记^/再5Wr性并JUt过^^l垂直磁记录介质增加抗热衰减性的技术，其中垂直衞e^介质至少包^^^非磁性衬^ji的一层i^^'l!i^层，第一非磁性衬层，第二非磁I"^H"层，垂直磁记^M^:护膜，该第一衬层由Pt，Pd，或至少Pt和Pd中的一种的合^r^咸，并JL^二非磁性衬层由Ru或Ru的合^r^且成。^*，通ii^Pt或Pd添加另外的元素而获得的Pt合金或Pd^r^iW在第一衬层中以减小晶粒尺寸。所添加元素的伏i^例子为B，C，P，Si，Al，Cr,Co，Ta,W，Pr，Nd和Sm。该技械别舰it^加C尝试')^改善第~^^性^t层和^^i己M的结晶-遗憾的是，尽管晶，向^iS^/再旨'l"組it^Pt或Pd中添加添加物得以改善，，#笫一非磁1^于层中^!^到，即，如实施例所述，该>^##了晶粒的形状。在这种情况下，在笫一非磁性衬层中颗粒的尺寸强加限制并且使得^^记^i:中进一步减小颗粒尺寸变得很困难。
发明内容本发明是M虑割上述tW的情况下l故出的，并且其目的在于获^""种垂直衞己录介质，其中通it^絲直磁记絲中的磁lM^立的取向以;5U咸小磁I"顿粒的尺寸以gtl4己^/"^现特'性。本发明的一种垂直磁记录介质包括非磁性村底；在非磁性衬底上形成至少一层^^性层；^tm^上形成第一非磁性村层，^r有精细晶体结构，并且由4e^Me^金的一种城；在第一非磁性村层上形成第二非磁It^层，并且由钌和钌^r^一种M;以及在第二非磁性衬层上形成垂直磁记絲。另外，本发明的一种;^记^/再g置包括一种垂直磁记录介质，其包括非磁性衬底，在非磁性衬底上形成至少一层w^i^，^t^')!i^上形成第一非磁性衬层，^"有精细晶体结构，并且由4&He^金中的一种组成，在第一非磁l^t层上形成第二非磁l!i^层，并且由钌和钌^r^一种la^，以及在第二非磁性衬层上形成垂直磁记^4:;支^r^旋4H亥垂直磁记录介质的W^;磁头，具有用于在该垂直衞己录介质上记录信息的元件，和用于再现记M该垂直磁记录介质上信息的元件；以及可相对于该垂直磁记录介质可移动地支持磁头的输^M件。本发明提^-种垂直敏己录介质，其中通it^絲直^i&^中的磁I"顿粒的取向以及减'J、磁顿粒的尺寸以改善记影再赠性。本发明另外的目的和优点将在下面的描述中被阐明，并JL^于该描述而部分地变得清楚明显，或可以通过实^4^发明而知晓。本发明的目的和优点可以通过下面所特别指出的手^A其结合取得并实现。M^f构成说明书的-^分的附图展示了本发明的M实施例，并与上述所给出的一般说明和下面实施例的具体说明"-^用于解释本发明的原理。图l为示出條本发明一个实施例的垂直磁记录介质的布置的示奮性截面图；图2为示出^^本发明另一实施例的垂直磁记录介质的布置的示意性截面图；7图3为示出根据本发明的磁记^/再55^置的例子的部分分解逸现图；图4为示出概本发明再另一实施例的垂直磁记录介质的布置的示奮狄面图。M实施方式本发明的垂直^i己录介质包括非磁l^t底，形^非^^'l^Hv^Ji的一个或多个^^'l;i^，形威^^^^'^&上的第一非磁性衬层，形礼在第一非磁^H"层上的第二非磁性衬层，以及形絲第二非磁性衬层上的垂直磁记絲。第一非磁性衬层具有精细晶体结构并由Pd或Pd合^M成。第二非磁性衬层由Ru或Ru^r^a^。用在本发明的精细晶体结构是一种介于多晶结构和无定形结构之间的中间结构。当多晶结构^Nt细i^裂并且大小例如约1至3nm的精细的晶粒聚集在一^时得到该结构。当上述具有精细晶体结构的第一非磁性衬层形成时，形絲第一非磁性衬层上并具有晶体结构的第二非磁性衬层和垂直磁记录层中的晶粒能够形成得^>精细而不受第一非磁性衬^粒大小的限制，而且，因为第一非磁l":i^层不是保持在无定形态而是精细晶体态，所以第^#磁性衬层的晶棘向能够得到改善。另外，改善形成在第二非磁性衬层上的垂直磁记^ir的取向成为可能。如上所述，本发明用具有精细晶体结构的第一非磁性衬层。这样能够改善所ii^向和减小垂直敏己录层的颗粒尺寸，因此大大改善了记^/再恥降性。从而，能够获得能以高密度记录的垂直磁记录^h质。下面将参照附图^p^^,^^发明。图1为才晦本发明一个实施例的垂直磁记录介质的iU的示意'f錄面图。参照图i，垂直磁记录介质io通iit非磁性衬底iJ^l^层叠^t'I^H"背层2，第-HMt性衬层3，第二非磁性衬层4，垂直敏己^5^:护膜6而形成。保护层6的表面还可以通i^曼渍等涂敷润滑剂，例如全氟乙醚，从而形成润滑层(未示出)。衬;^Ji形^t^'Iii^背层。因为形成了具有高磁导率的该^^|±#背层，所以在该^^1±#背层_]1^得具有垂直己录层的所谓的X5^^直銜己录介质，在该xs^^直敏己录^h质中，软磁1^H"背层水平穿过由磁头，例如用于磁化垂直己^:的"^1头，产生的记^^场，并^i己^t场返回磁头，由》bijW亍了磁头的部分功能。该^^性衬背层能够向紘己^^;^口充分陵,的垂直>^场，并提高记^/再Sd^:率。用作软磁性衬背层的^t性材料是一种具有高雄^^m通密度W的^b^特性的材料，例如CoZrNb，CoTaZr，FeCoB，FeCoN,FeTaC，FeTaN，FeNi，CoB和FeAlSi。用在本发明中的软磁性衬背层是单层或具有两层或多层的层叠结构。在该层叠结构中，指定的非磁中间层可以形絲各^b^'I^之间。然后，^Mfc^'l^t背层上形A^作第一非磁l^H"层的膜。形^一非磁性衬层用于减小形M该第一非磁性衬层上的第二非磁性衬层的晶粒的尺寸，以Ml善晶粒的晶#向。第一非磁性村层由Pd或Pd^rM^。当使用Pd^时，可以使用Pd和从B，Hf，Si,Ti，Zr，Ge,Al，Cr，Mg和V中选择的至少一种元素的^ir。Pd和Si的^M^^UD作第一非^^性衬层。注意Pd和Si的混合材料也是Pd的合金。第一非磁性衬层必须具有精细晶体结构。术语"精细晶体结构"表示在多晶结构和无定形结构之间的较宽范围内的结构。然而，林申请中所用的精细晶体结构是指通itibNt细地分裂多晶结构形成约1至3nm的精细结晶颗粒的^沐，并且不包括所谓的颗丰i^构(偷f斤的(segregated)精细颗粒晶体)，其中无定形部分^Mt细颗粒周围^f斤。而且，当通过X省线衍射测量时，本申请的精细晶体结构^f皮检测到^^T清顿賴构，而在断面TEM结构等中，晶档^L净i^fr晰i^Ji^到。通过电子束衍射或刻以方法有时可食^L^到本申请的精细晶体结构为多个点而不同于无定形环。通过4賴具有不是晶粗結构而是精细晶体结构并且由Pd或Pd^r!M的9第一非磁lli^层，本发明能够减小^一非磁l^t层的颗^^寸而强加的限制，因必咸小了第二非磁l!i^层和垂直敏己^:中的晶粒尺寸。不具有颗M构的无定形材朴&能够消fi^第一非磁I^t层的颗粒尺寸所强加的P艮制。然而，这种无定形结构不能同时改善第二非磁1±#层的取向。偏析的(s^regated)精细颗粒晶体也^^寸的减小劲可能，因为精细颗粒晶体的颗^J^寸是小的，姊能消除由第一非磁|^#层所强加的限制。因此，偏析精细称险晶体不同于本发明的方法。然而，在这种情况下，取向性改善的禾I^与当使用具有面心立方结构的Pd多晶衬层时相当。另一方面，当如^L^发明中那^MWJ具有精细结构的第一非磁性衬层时，与^^具有Pd多晶结构的陈层的情yL^目比，第二非磁性衬层的取向能够被进一步地改善。当在具有Pd多晶结构的第一非磁I^t层上形成由Ru或Ru^^且成的第二非磁性衬层时，^^一非磁'I^t层到第二非磁I":i^层的外^长期间形成用于晶格酉維的晶格爭姚层(latticerelaxinglayer)(初始层)，因为这两个衬层的晶格常数有差异。这一晶格^H&层m^易形成，特别在由Ru或RuM构成的第二非磁性衬层中。另一方面，在用于本发明的具有精细晶体结构的第一非磁性衬层中，精细晶体的量很小，并JL^具有小应力的精细晶体中形成了晶格应变，因此晶格木^&层形成在第一非磁性衬层的侧面上。因此，与使用Pd多晶结构的情》X4目比，能够进一步改善第二非磁性衬层的取向。这种^不倉诚ii^细颗粒晶体获得。通过例如对~"^分PdJ3^^ff">^^^^^^yfit^t精细晶体Pd或Pd^ir膜。可以通过形成与由Si或Si化^^誠的非磁,晶层接触的Pd或Pd合金J!m^it种珪化。当Pd或Pd^r层如此形成时，""^分^t底"H^Pd或Pd层被珪化。因为在记^i:Hh的Pd或Pd合金^分不能WMt晶粒尺寸，所以形M细晶体。当^f^Pd-Si^^t为第一非磁^bH"层时，可^^J层叠结构，该结构包括第一Pd-Si层和具有Pd/Si成分比不同于第一Pd-Si^T层的第二Pd-Si层。如果需要，还可以层叠另一Pd4i层。^il样的结构中，i^^ti^lh的第一Pd-Si层用作Si供给层。因此，在第一Pd-Si层中Si的含量比形^垂直磁记f^^的第二Pd-Si层的Si的含量要大。如^fr垂直敏i^侧的Pd-Si膜中的Si^i:增加，那么Pd"Si膜就变^X定形膜或^f斤精细颗粒晶体度。ilif常难以获得改善晶体结构的效果。在垂直vf^i己^&侧的第二Pd-Si层中Si的^i:可以被设置为小于10at%，并还可以被设置为从3^10at。/。。如果该Si含量超过10。/0，Pd-Si膜很容易地^iL定形膜或^#精细颗粒晶，因jH^以取得晶^l向改善的^。当Si^J:为3at。/。或更多时，可以很容易在Pd-Si膜中获棒晴细晶体的效果。另一方面，^j^t^^侧的第一Pd-Si层中Si的^t^皮设置为10at。/o或更多，并且也可被设置为10-100at%。如果该Si的舍t小于10at%，那么Si供给量减少，并JLJt使得^b^垂直紘己^^的Pd-Si膜中获4M细晶体'与在常规条件下形成的膜相比，硅^^应的应用具有能^M^^平^f且更能改善取向的优点。这^_>^(匕^所特有的特征'如果形成所含成分比没有变化的均匀的单层Pd-Si膜作为Pd-Si层，通常姊狄定形结构，因为Si在Pd颗粒周围^4斤的精细颗粒晶体结构，作为Pd-SiM^:初结构的正交结构，或晶体结构m^形成。也不可^^得硅^^所多^fr的平坦^fWLi^t常使改善第二非磁性衬层的取向变得困难。另一方面，^^发明中通it^叠具有不同成分比的Pd-Si层可以形成精细晶体Pd-Si膜。为了促i^:化，当形成包含Pd和Si的膜时，压强被iM在0.5Pa或更小。膜还可以在约0.3-0.05Pa的4^a下形成。因为这样防止了由杂质而导致的Si的氧化，取得更多的活性Si，并iL^^^^速。如^J^fet常所^^I的约0.7Pa的压强下形成，将抑制硅^^，因为Si部^MiclL化。因此，Pd膜或Pd^r膜通常未能形微细晶体，或^^斤颗粒Pd^r膜通常被形成。注意》狄所描述的压强是通过测量^^形成中用的整个真空室而获得的，但^"~个压强实际JL^示衬底附近的真^1。也^1说，',"^^^MtA在0.5Pa或更小的^^下。当不同的排^r法用于^f^H"底附近的压强同时所M空室或耙附近的保持高的压强以防止上迷不便时，衬底附近的压强tfe^Jl面所提到的所希望的真空度。以上描述的朋是Pd或Pd^f贿的；甚至当^^另一种材fl^如同样为柏族的Pt时，几乎不^^得晶,向改4^:。本发明通it^M的第一非磁性衬层上形^jt的第二非磁性衬层和垂直敏e^，能购获得具有SJ^i己录/再5W性并且能够高密度记录的垂直磁记录介质。第二非磁性衬层具有将层叠的衬层的颗粒尺寸和取向传送给磁记^J:的作用。重要的是第二非磁1^#层具有与第一非磁^#层相匹配的合适的晶体，并且具有允许磁记絲外处长的晶面。^il样的材料，具有六角密^^、结构的Ru或Ru合金可以被用在第二非磁lt^层的表面。这种材料具有使敏己^^肯^L^易^卜赵絲该材料上的优点。当4MRu^时，Ru^T可以是Ru和从Cr，Co，Rh，C，Si02，Ti02和Cr203中选择的至少一种物质的妙。特别地可以佳月Ru和Cr的合全。注意M所提到的Ru^ir包括Ru和例如C，Si02，1102或0203的混合物材料。当垂直^i己絲外赵絲第二非磁性衬层时，在该衬层Ji^得的精细的、^f"取向的晶体结构可以被《1A^垂直磁记絲。用于本发明中的垂JUti己絲^ffe^fe^有Co和Pt作为主要成分。该垂直磁ie^^具有相对好的晶W^向，并ilii具有高的抗热衰减性。该垂直磁记录介质也可以通战叠两层或多层具有不同^^分的^ti己^i:而形成。还可以在膜形成前后插A^热/^Hp处理。作为形成垂直^i己录介质的材料，可以4^1,例如，CoPt^T，CoCr^T，CoCrPt^ir，CoCrPtB^T，CoCrPtTa^T，CoCrPt-Si02^r，CoCrPtO^T，或CoCrPt-Ti02^ir。特别地可^！CoCrPt-Si02^r,CoCrPtO^T，或CoCrPt-Ti02合金。这些合金中^"种^Mr有有利的晶^向，大的磁各向异性，和高的抗热衰减性。包含氧的銜己录层能够^^丰iii^4目^P清晰，并更能够破:MbN互作用。可以在垂直磁己^i:上至少形成一^^护膜。保:护层的例子为C，^T刚石碳(DLC)，SiNx，SiOx,CNX，和CHx。^^r一种^^性村背层，籽晶层，衬层，第二非磁i^t层，垂直敏己录层，^^护膜可以通itit常用于敏己录介质领域的^t^^^^形成。注意4^t'蹄方法^fcil里以及下文将被iM7是;^^t术。在这些;;t^^支术中，可以使用，例如，DC^^控賊^Kmagnetronsputtering),RF/^控溅4ii^真空^4t。当^^两种或多种材料时，也可以^^J复合^2(compositetarget)进行单M射，或^U^"有一种材料的多个耙同时进行多把賊射。通过在表面上涂敷润滑剂例如通过浸渍、旋涂或类似方法的全氟聚醚(perfluoroether)，可以将润滑层形^垂直衞己录介质的表面上，例如磁记录层或保护层的表面。图2为才緣本发明另一实施例的垂直磁记录介质的布置的示意性截面图。除了偏置层(biasapplicationlayer)7和非磁',晶层8，图2所示的垂直磁记录介质20具有与图1所示相同的布置，该偏置^a层7为形威^^E^^性衬背层2和非磁性衬底l之间的例如纵向硬磁^Mi^ja^层，并且非磁,晶层8形成在^fc^性衬背层2和第一非磁性衬层3之间。^t^性衬背层24膝易形#，并且该^^产生尖峰糾噪声。因此，通过形成偏J^:7并且沿着偏J^7的半径方向;^a/^场，从而翻口偏置磁场到在该偏M7上形成的软磁由时背层2,由此可以PJUb^壁的产生。通过提，置层7层叠结构还能够细^J4^t各向异t沐防止大^^膝易的形成。偏J^7的偏J^材湘如是CoCrPt，CoCrPtB，CoCrPtTa,CoCrPtC，CoCrPtCuB，CoCrRuB，CoCrPtWC，CoCrPtWB，CoCrPtTaNd，CoSm,CoPt,CoPtO，CoCrPtO，CoPt-Si02，和CoCrPtO-Si02。这些偏置层中的任一种可以通itM形成方法例如';5yt法形成。注意为了改善偏置层的结晶和减小其厚度，在所述衬底和偏置层之间也可以形成多个非^"性层。非磁,晶层8由Si或Si合^rM^，该非>^缺晶层8能够形威^4fc^性衬背层2和第一非磁性衬层3之间。当由Si^^M的非磁J"沐晶层8形成为与由Pd或Pd^rM成的第一非磁性衬层相接触时，硅4议应在Pd或Pd合金与Si或Si合金之间的界面JJLt并形成Pd-Si^r^相。因为Pd-Si化合相在Pd或Pd^ir层下面形成，因此Pd或Pd^r层;f膝易地形，细晶体。用于非磁小沐晶层8的Si^^r^合适的金属是从Zr,Hf，Ta，和Pd中选择的至少一种。这^r属中的^^n都容易地与Si形成Jr^^^,从而在非磁胁晶层和第一非磁性衬层之间形成强的Pd-Si^^相。非磁f沐晶层的厚度可以被设置为1至10nm。如果非磁1^晶层的膝葶小于lnm，沿非磁,晶层J^4面方向的成分的一致性将变得不充分。这将经常使利用第一非磁)4#层形成的Pd-Si^t^相不充分。如^^斤鄉厚大于lOrnii，从磁头到软磁性衬背层之间的距离，加。这种间距的损失将劣^^记录介质的记^/再舰性。还可以4Wt^火例如后狄(postannealing)来^ii金/ir^^^层的形成。作为用于本发明的非>^性衬底，可能<捐，例如，铝^UL玻璃，化学强化玻璃，Al基/^^t底例如A!Mg^t底，或具有更高耐热性的非磁性衬底，例如，晶化破^H"底，Si村底，C衬底，Ti衬底，^:有l^腺面的Si村^底，陶瓷，或塑料。甚至当这些非磁性衬底中的li-种的表面被电镀NiP^r或勤以物时，可预期能实现同样的^。图3为才^;^发明的^^i己^/再5e^^^的部^^^解逸现图。如图3所示，本发明的垂直^^i己^^置30具有矩形盒状外壳31，其具有上端开口，以及顶盖(未示出)，该顶盖通过螺丝固定在夕卜壳31上并封闭外壳上端开口。外壳31容纳，例如，Wt本发明的垂直敏己录介质32，主轴马达33，磁头34，磁头致动器35，旋转轴36，音圏马达37，和磁头放大电路38。主轴马达33^于支#^1##直磁记录介质32的驱动装置。磁头34对敏己录介质32执^f亍g号的i己^^^现。磁头致动器35具有悬臂，在该悬臂的g安装有磁头34，并，头致动器35相对于垂直磁记录介质32可移动地支採磁头34。旋转轴36可旋转地支撑磁头致动器35。音圏马达37通过旋转轴36旋转并定^^头致动器35。下面通过实施例的方式更详细,il^发明。实施例实施例1制备由玻^HVM誠的用于2.5英寸磁盘的非磁性衬底。该非磁性衬^j:于具有1x10'"Pa真纽的真空室内，并JLfrArU中在0.7Pa的W下，依下面步骤^f亍DC^溅射。首先，将非磁性村底设置为与糾目对，并JLit过对CoCrPt^ii行DC500W放电来形成25nm厚的CoCrPt铁>^&作为偏置层。在获得的CoCrPt铁^上形成120nm厚的CoZrNb^tt性村背层。在低于正常W的0.1Pa的ArU下，通断Si^ii行DC500W放电，在CoZrNb^fc^性衬背层上形成5nm厚的Si絲为非磁'缺晶层。然后，在低于正常W的0.1Pa的ArU下，通iW"Pd^ii行DC500W放电，从而在Si籽晶层上形成5nm厚的Pd层作为第一非磁性衬层。^!tii种状态下，在膜形成的过程中^!E回到正常的0.7Pa的Ar^A。，通iW"Ru^feii行DC500W放电，在Pd第一非磁性衬层上形成20nm厚的Ru^ft为第二非磁性衬层。通it^备(Co"16at。/。Pt画10at。/。Cr)^8molo/oSi02合成物乾，在Ru第二非磁性衬层上形成15nm厚的CoPtCr-Si02垂直磁记^&。最后，形成7nm厚的C旨膜。^"空容器中在其上如上所勤目继地形成^^膜的衬^^皮取出itfc大气中，并ilii逸旻渍形成1.5nm厚的基于全IL^的润滑层，从而获##直磁记录介质。所获得的垂直敏己录介质具有和图2所示垂直激e^:介质相同的断面结构。对所获得的垂直敏己录介质进行X省线衍射测量。结果，观察到Ru(00.2)特CoCrPt(00.2)峰，敏有解到Pd(111)峰。当在这些J^上进^t摇摆曲线测量时，该峰的半宽为2.5°(Ru)和3.0°(CoOPt)。这表明垂直磁记^ir具有好的结晶性。另外，对所获得的垂直磁记录介质在截面方向进行透射分析电子显微镜(TEM)测量，从而检测本发明的介质的晶体结构。结絲明，Si籽晶层狄155i^到晶^^:。另一方面，在Pd第一非磁性衬层中清晰观察到晶;fN^:。然而，这些錄的方向不是一致的，錄明第一非磁性村层具有精细晶体结构。在Ru第二非^^'I^H"层和CoCrPt-Si02iS^中，晶^^MJ3'Jiife^垂直于膜面的方向排列。狄明4二非磁性衬层到记^^;^了外处长。然后，对所获得的垂直磁记录介质的垂直^i己M进行it^分析电子显微镜(TEM)测量，从而^"测本发明的介质的垂直紘己录层中的晶粒的颗粒尺寸的分布。结果显示，组成垂直磁记录层的晶粒具有约4至6nm的平均颗粒尺寸。磁记录介质;^nU85A/mQ5000Oe)的磁场，从而^fc4面的^N圣方向-h^^/ft为偏置层的铁磁层。使用美国GUZIK制造的Read-writeanalyzer1632和SpinstandS1701MP评估了这种被磁化的垂直磁记录介质的记^/再现特性。记^/再自头具有作为记录元件的,头，和利用磁阻秘并具有0.25|im记^t道^jL和0.15pm再^5ltiJL的磁头作为再^L件。该测量在离磁盘中心22.2mm的预定半径位置^fr^盘餘泉4200rpm的情况下进行。结果，介质的SNRm(再现信号输出S:在119kFCI的幾I"生记录密度的输出，Nm:当在716kFCI下记录数据时所测量的絲的rms(方均根)值)为27.0dB，錄明获得了一个好的介质。比较例1除了不形成Si籽晶层，Pd第一非磁性衬层^frit常的0.7Pa的ArW下形成夕卜，^^照与实施例1的垂直激2^介质相同的步^jt的到一种垂直^i己录介质作为用于比较的垂直磁记录介质。除了没有形成Si籽晶层,所获得的垂直^i己录介质具有与图2所示的垂直磁记录介质相同的层的排列。然后，对所获得的垂直磁记录介质进行X省线衍射测量。结果，XC^到Rn(00.2)峰，CoCrPt(00.2)峰，和Pd(111)峰。当对Ru和CoCrPtJ^ii行縱曲线测量时，賴半宽为4.2°(Ru)和5.1Q(CoCrPt)。通it^J"所获得的垂直磁记录介质进行断面TEM测量而来检测用于》嫩的介质的晶体结构。结果，在Pd第一非磁性衬层清晰:^JL^到晶;f^L，并且各所述^L的方向几乎与垂直于膜面方向一致。另夕卜，在Ru第二非磁性衬层和CoCrPt-Si02^^中，晶^^t垂直于膜面的方向MJ，J地排列。这些结絲明从Pd第一非磁性衬层到记^^^A了外处长。(TEM)测量，从而;f^测用于》懷的介质的垂直敏己录层中的晶粒的颗粒尺寸的分布。结果，组成该垂直磁记录层的晶粒具有约8至14nm的平均颗粒尺寸。当以实施例1同样的方法^(古记^/再51#性时，SNRm为17.5dB。因此，在垂直磁记絲中的晶津械细度和结晶性以及ie^/再舰性方面，实施例1中在低ArM下形成了Si籽晶层和Pd第一非磁性衬层的本发明的介质#^于比较例1的传统介质。雄例2除了没有形成Si籽晶层并且用Pt代替Pd作为第一非磁性衬层外，按照与实施例1的垂直^己录介质相同的步^^J^f^种垂直磁记录介质作为用于tb^的垂直衞己录介质。除了没有形成Si籽晶层和形成Pt第一非磁性衬^f戈替Pd第一非磁I^t层，所获得的垂直己录介质具有与图2所示的垂直磁记录介质相同的层的朝,列。然后，对所获得的垂直磁"ie^介质进行X4)"线衍射测量。结果，，Ji^到Ru(00.2)峰，CoCrPt(00.2)峰，和Pt(111)峰。当对Ru和CoCrPtJ^ri^行，曲线测量时，，半宽为4.5°(Ru)和5.5。(CoCrPt)。通it/fc所获得的垂直磁记录介质进行断面TEM测量iM^测用于tb^的介质的晶体结构。结果，在pt第一非磁性衬层清晰:k^J^到晶;^^L，并且各所述#^:的方向几乎与垂直于膜面的方向一致。另夕卜，在Ru第二非磁衬层和CoCrPt-Si02记絲中，晶格条纹垂直于膜面的方向规则地排列。这些结果表明从Pt第一非磁性衬层到垂直紘e^^发生了外M长。(TEM)测量，从而检测用于t嫩的^h质的垂直敏e^层中的晶粒的颗丰i^寸的分布。结果，纽威垂直磁记录层的晶粒具有约9至16nm的平均颗粒尺寸。当以和实施例1同样的方法评估记^/再现特性时，SNRm为15.5dB。因此，在垂直敏己录层中的晶#细度和结晶性以及记^/再^#性上，实施例1中在低Ar气压下形成Si籽晶层和Pd第一非磁性衬层的本发明的介质*^优于比较例2的传统介质。她例3除了Si籽晶层和Pd第一非磁性衬层"常的0.7Pa的ArW下形^卜，较的垂直磁记录介质。所获得的垂直磁记录介质具有与图2所示的垂直磁记录介质相同的层的排列。然后，对所获得的垂直磁衬层；介质进行X4J"线衍射测量。结果，^L^到Ri1(00.2)峰，CoCrPt(00.2)峰，和Pd(111)峰。当对Ru和CoCrPt"^ii行，曲线测量时，，半宽为4.0。(Ru)和5.0。(CoCrPt)。通iW所获得的垂直衞己录介质进行断面TEM测量;iN^测用于》b^的介质的晶体结构。结果，在Si籽晶层M定形的，因为没有，J^^到晶4M^紋。在pd第一非磁衬层中，清晰i^Ji^到晶格条纹，并且^^L的方向;uf与垂直于膜面的方向一致。另外，在Ru第二非磁性衬层和CoCrPt-Si02记絲中，晶格条纹垂直于膜面的方向^!J!，〗地排列。这些结絲明从Pd第一非磁性衬层到记^^纽了夕卜处长。^，对所获得的垂直^i己录介质的垂l/^i己M进行it^分析电子显微镜(TEM)测量，从而;^测用于》b^的介质的垂直磁记^i:中的晶粒的颗粒尺寸的分布。结果，组成垂直磁记录层的晶粒具有约8至14nm的平均颗粒尺寸。当以与实施例1同样的方法^H古记^/再现特性时，SNRm为183dB。因此，在垂直敏己^^中的晶津械细度和结晶性以及记^/再S^'l!lJi，实施例1中的在低ArW下形成Si籽晶层和Pd第一非>^性衬层的本发明的介质都M于tb^例3的传统介质。比较例4除了Si籽晶层和代替Pd第一非磁性衬层的Pt第一非磁性衬层在正常的0.7Pa的Ar气压下形成，按照与实施例1的垂直磁记录介质相同的步^_##直>^记录4"质作为用于比较的垂直磁记录介质。除了形成Pt第一非磁lt^yg^替Pd第一非磁性衬层，所获得的垂直紘己录介质具有与图2所示的垂直磁记录介质相同的层的排列。然后，对所获得的垂直磁记录介质进行X省线衍射测量。结果，^^到Ru(00.2)峰，CoCrPt(00.2)峰，和Pt(111)峰。当对议11和(:00^"1^^行摇摆曲线测量时，峰的半宽为4.7。(Ru)和5.9。(CoCrPt)。通iW"所获得的垂直衞i录介质进行断面TEM测量i!M^测用于tb^的介质的晶体结构。结果，Si籽晶层AiL定形的，因为'没有X)i^到晶4^^。在Pt第一非i兹性衬层中，清晰:)455i^到晶^^L,并且该^L的方向几乎与垂直于膜面的方向一致。另夕卜，在Ru笫二非磁性衬层和CoCrPt-Si02iE^中，晶^^垂直于膜面的方向^J'ji^^列。这些结^明从Pt第一非磁性衬层到记^i:发生了外赵长。(St^，对所获得的垂直^己录介质的垂直磁记^J:进行,分析电子显微镜(TEM)测量，从而检测用于t懷的介质的垂直敏己录层中的晶粒的颗粒尺寸的分布。结果，组成的垂直磁记录层的晶粒具有约10至15nm的平均颗粒尺寸。当以与实施例1同样的方法^H古记^/再5W性时，SNRm为14.9dB。因此，在垂直激己录层中的晶Wfr细度和结晶性以及记^/再,性上，实施例1中的在低Ar气压下形成Si籽晶层和Pd第一非磁性衬层的本发明的介质都M于比较例4的传统介质。膽例5除了Si籽晶层和代替Pd第一非磁)^#层的Pt第一非磁性衬层在比正常气压低的0.1Pa的ArU围下形成，按照与实施例1的垂直磁记录介质相同的步Wl^f^直磁记录介质作为用于t汲的垂直磁记录介质。除了形成Pt第一非磁性衬^f戈替Pd第一非磁性衬层，所获得的垂直敏己录^h质具有与图2所示的垂直>^记录介质相同的层的排列。然后，对所获得的垂直磁记录介质进行X省线衍浙测量。结果，，JJ^到Ru(00.2)峰，CoCrPt(00.2)峰，和Pt(111)峰。当对Ru和CoCrPt#^行##曲线测量时，，半宽为3.7。(Ru)和3.9。(CoCrPt)。通iW"所获得的垂直敏己录介质进行断面TEM测量^M^测用于》b^的介质的晶体结构。结果，Si籽晶层狄定形的，因为没有M^到晶4M^:。在Pt第一非磁1^H"层中，清晰J455L^到晶^^:,但是^^:的方向不一致。i^明该层具有精细晶体结构。另夕卜，在Ru笫J^^磁性衬层和CoCrPt-Si02记絲中，晶^^/t垂直于膜面的方向^J，JJ^,列。这些结果表明从第二非磁性衬层到记录层发生了外延生长。随后，对所获得的垂直敏己录介质的垂直敏己M进行it^分析电子显微镜(TEM)测量，从而;j^测用于》b^的介质的垂直^^i己录层中的晶粒的颗丰iJC寸的分布。结果，M的垂直磁记录层的晶粒具有约7至llnm的平均颗粒尺寸。当以与实施例1同样的方法^H古记^/再现特性时，SNRm为19.1dB。尽管颗粒尺寸比，比较例的颗粒尺寸小，,向的改4^5然不食&令人满意。因此，在垂直磁记^Ir中的晶粒的精细度和结晶性以及记^/再5W'ltJl，实施例1中的在低ArM下形成Si籽晶层和Pd第一非磁性衬层的本发明的介质#^于比较例5的传统介质。实施例2作为本发明介质的第一非磁14#层，准备两种具有不同成^f:的靶，即，一个Pd-34at%Si靶(Ifc^'l^"H^)和一个Pd-5at%Si靶(垂直磁记絲U)。除了^JU上述两种Pd-Si靶，即Pd-34at%SiPd-5at%Si乾来^RPdWt为第一非磁性衬层以;5U殳有形成Si籽晶层外，按照与实施例1中相同的步骤制造垂直磁记录介质。除了没有形成Si籽晶层以及形成两层具有不同成^Pd-Si/^#为第一非磁性衬层外，所获得的垂直磁记录介质具有与图2所示的垂直敏己录介质相同的层的排列。图4为所获得的垂直磁记录介质的布置的示意性截面图。如图4所示，垂直磁记录介质50具有在非磁性衬底11JJi齡层叠CoCrPt纟^ir17，CoZrNb软磁性衬背层12，第一非磁'Iii^层13(其中Pd-34at%Si层19和Pd-5at%Si层21层叠在"-fe)，Ru第二非磁'ti^层14,CoPtCr-Si02垂直磁记絲15，C狱膜16和的润滑层(未示出)而形成的结构。对本发明的介质进行X省线衍射测量。结果，观^^到Ru(00.2)峰和CoCrPt(00.2)峰，縱有，膽到Pd(111)峰。当对这些>#^行，曲线测量时,，半宽为2.6°(Ru浙3.2。(CoCrPt)。i^明该垂直磁记M具有好的结晶性。通过对所获得的垂直磁记录介质沿断面方向进行透射分析电子显微镜(TEM)测量iM^测本发明的介质的晶体结构。结果，在lfc^'^gr—侧的Pd-Si第一非磁性衬层A^定形的，因为没有，Ji^到清晰的晶^^:。在垂直磁'I^一侧上的Pd-Si第一非磁I"^H"层中，清晰;N^J^到晶4M^L,21^^^^L的方向不一致'i!4明该层具有精细晶体结构。在Ru第二非>^性衬层和CoCrPt-Si02记M中，晶^^JO!'jilk^^在垂直于膜面的方向。i^4明从第二非磁性衬层到记^&;^了夕卜^^长。，对所获得的垂直^己录介质的垂直磁记M进行it^分析电子显微镜(TEM)测量，从而^r测本发明的介质的垂直敏己录层中的晶粒的颗粒尺寸的分布。结果，组成垂直磁记录层的晶粒具有约5至7nm的平均颗粒尺寸。另夕卜，当以与实施例l同样的方法^H古记^/再i^L^性时，81\11111为26.0孤，&明该介质具有有利的特性。比较例6除了没有形成Si籽晶层和用Pd-5at%Si代替Pd作为第一非磁性衬层外，按t懷的垂直磁记录介质。除了形成Pd-Si第一非/^Iii^^a替Pd第一非磁',层和没有形成Si籽晶层外，所获得的垂直銜己录介质具有与图2所示的垂直紘己录介质相同的层的排列。然后，对所获得的垂直磁记录介质进行X省线衍射测量。结果，M^到Ru(00.2)特CoOPt(00.2)峰，^a殳有XE^到Pd(111)峰。当对Ru和CoCrPtJ^i行^4I曲线测量时，峰的半宽为5.0。(Ru)和6.2。(CoCrPt)。通it^所获得的垂直磁记录介质进行断面TEM测量iN^测所^l于tb^的介质的晶体结构。结果，Pd-Si第一非磁性衬层处于精细晶糾态，因为，J^到了晶^^L,但是精细晶体的取向舰即的。另夕卜，所i^M具有凸起和凹陷，并不是平整。另一方面，晶^^沿垂直于从Ru第二非磁t4^层到CoCrPt-Si02记絲的膜面的方向#^，狄明纽了夕卜处长。然而，从Pd-Si第一非磁性衬层到Ru第二非磁性衬层没有特定的外处^A。因此，在Ru第二非磁性衬层的初始^分可以观^^到生长方向和颗粒大小的变同。因此，在Ru第二非磁性衬层和CoCrPt-Si02记^Jr，J^^到大的颗粒尺寸变化。对所获得的垂直己录介质的垂直5^^进^^分析电子显微镜22(TEM)测量，从而;l^测用于》嫩的介质的垂直磁^^层中的晶粒的颗^X^寸的分布。结果，组成该垂直磁记录层的晶粒具有约7至17nm的平均颗粒尺寸。当以与实施z判1同样的方法评估i己^/再现特性时，SNRm为17.5dB。因此，在垂直敏己M中的晶粒的精细度和结晶性以及记^/再S^^Ji,实施例2中本发明的介质^阮于比较例6的传统介质。雄例7除了没有形成Si籽晶层和用Pd-26at%Si代替Pd作为第一非磁性衬层，按于》b^的垂直v^i己录介质。除了形成Pd-Si第一非磁性村>^^替Pd第一非磁性衬层和没有形成Si籽晶层,所获得的垂直紘i录介质具有与图2所示的垂直紘己录介质相同的层的排列。然后，对所获得的垂直磁记录介质进行X省线衍發测量。结果，，J^到Ri1(00.2)特CoCrPt(00.2)峰，^L有，Ji^到Pd(111)峰。当对Ru和CoCrPt^^行##曲线测量时，峰的半宽为4.1。(Ru)和5.1。(CoCrPt)。通iW"所获得的垂直^i己录介质进行断面TEM测量絲测该用于t嫩的介质的晶体结构。结果，Pd-Si第一非磁性衬层具有^t斤为Pd颗粒和Si颗^i^界的^4斤颗粒结构。从Pd-Si第一非磁性衬层到CoCrPt-Si02记絲晶4M^W'J船P'J，錄明^jt了夕卜g长。然而，膜的界面具有凸起和凹陷，并不;l平整的。，对所获得的垂l/ti己录介质的垂直^^i己M进行it^分析电子显微镜(TEM)测量，从而;)^测用于》b^iVh质的垂直衞己^g"中的晶粒的颗丰!A寸的分布。结果，组成垂直磁记^Jr的晶粒具有约7至10nm的平均颗粒尺寸。当以与实施例1同样的方法评估记^/再5^性时，SNRm为19.5dB。因此，在垂直衞己录层中的晶粒的精细度和结晶性以及记^/再5W性上，实施例2中本发明的介质*阮于比较例7的传统介质。比较例8除了既没有形成Si籽晶层也没有形成Ru第二非磁性衬层以及用23Pd-26at。/。Si代替Pd作为第一非磁性衬层外，按照与实施例1中制造垂直紘己录介质相同的步W^得一种垂直磁记录介质作为用于》b^的垂直磁记录介质。除了形成了Pd-Si第一非磁性衬^f戈替Pd第一非磁性衬层以AI^殳有形成Si籽晶层H^L有形成Ru第二非磁t^t层外，所获浮的垂直衞己录介质具有与图2所示的垂直磁记录介质相同的层的湘刚。然后，对所获得的垂直敏己录介质进行X-射线衍射测量。结果，观察到弱的CoCrPt(00.2)峰。当对CoCrPt"J^ii行摇摆曲线测量时，峰的半宽为10.1。(CoCrPt)。通i^J"所获得的垂直磁记录介质进行断面TEM测量*^*测用于》嫩的介质的晶体结构。结果，Pd-Si第一非磁性村层具有^f斤为Pd颗丰沐Si颗津iii界的偏析颗粒结构。从Pd-Si第一非磁'1^H"层到CoCrPt-Si02记^:晶^^0!，3*#列，明U了夕卜处长。然而，膜的界面具有凸起和凹陷，不是平整的。，对所获得的垂直紘6录介质的垂直紘己^^进行it^分析电子显微镜(TEM)测量，从而^l^测用于t嫩的介质的垂直^^记H:中的晶粒的颗粒尺寸的分布。结果，组成垂直磁记录层的晶粒具有约14至20nm的平均颗粒尺寸。另外，当以与实施例l同样的方法^H古记^/再恥阵性时，81\11111为3.8冊。因此，在垂直磁记^中的晶粒的精细度和结晶性以及记^/再m^'IiiJi，实施例2中本发明的介质*阮于比较例8的传统介质。比较例9除了用Pd-26at%Si代替Pd作为第一非磁性衬层，按照与实施例1中制造垂直磁记录介质相同的步W^得一种垂直磁记录介质作为用于比较的垂直磁记录介质。除了形成了Pd-Si第一非磁性衬^^替Pd第一非磁性衬层外，所获得的垂直磁记录介质具有与图2所示的垂直銜己录介质相同的层的排列。然后，对所获得的垂直敏己录介质进行X省线衍射测量。结果，观察到Ru(00.2CoCrPt(00.2)峰，敏有贿到Pd(111)峰。当对Ru和CoCrPt"^i^行摇摆曲线测量时，峰的半宽为4.2。(Ru)和5.7。(CoCrPt)。介质的晶体结构。结果，Pd-Si第一非磁性衬层A/^狄定形的，因为没有，膝另一方面，从Ru第二非磁性衬层到CoCrPt-Si02记絲晶4^^!0!'J^卜列，錄明U了夕卜赵长。(TEM)测量，从而#^测用于t嫩的介质的垂直^ie^层中的晶粒的^3JC寸的分布。结果，组成该垂直磁记录层的晶粒具有约8至13nm的平均颗粒尺寸。当以与实施例1同样的方法评估记^/再赠性时，SNRm为18.1dB。因此，在垂直敏己录层中的晶粒的精细度和结晶性以及记^/再5(1#性上，实施例2中本发明的介质;tl^于比较例9的传统介质。实施例3除了用AL45at。/。Si^S^替Si靼形成非磁I"沐晶层外，垂直銜己录介质按照与实施例1中相同的步^皮制造。除了代替Si軒晶层形成AlSi籽晶层，所获得的垂直磁记录介质具有与图2所示的垂直磁记录介质相同的层的排列。对本发明的介质进行X4f线衍射测量。结果，，JL^到Ru(00.2)特CoCrPt(00.2)峰，^L有)5l^到Pd(111)峰。当对这些"^^行鄉曲线测量时，辆半宽为2.7°(Ru)和3.4。(CoCrPt)。i^明垂直磁记M具有好的结晶性。质的晶体结构。结果，在Pd第一非磁l^ft层中，清晰J455i^到晶^^L，但是M统的方向不一致。i^明该层具有精细晶体结构。在Ru第二非磁寸^t层和CoCrPt-Si02记录层中，沿垂直于膜面的方向晶格^JJ'JJ^^列。狄明从第二非磁性衬层到记^^纽了夕卜处长。，对所获得的垂直^i己录介质的垂直磁记^J:进行it^分析电子显微镜(TEM)测量，从而^r测本发明的介质的垂直敏6录层中的晶粒的颗粒尺寸的分布。结果，M^垂直磁记M的晶粒具有约4至7nm的平均颗粗:尺寸。另夕卜，当以与实^fe例l同样的方'^H古i己^/再5W性时，SNRm为27.3dB，狄明该介质具有有利的特性。实施例4除了当形^"发明介质的Si籽晶层和Pd第一非磁性衬层时，在DC>^溅射过程中，Ar^的压强在0.05至l.OPa之间变^^卜，按照与实施例1相同的步骤制造垂直磁记录介质。所获得的垂直磁^f:介质具有如图2所示的垂直磁记录介质相同的布置。如在实施例1中一样，对本发明介质进行X省线衍射测1^4目同的记^/再恥f争性评估。下面的表l展示了记录层的峰的半宽和SNRm。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>表1所示的结^明，当籽晶层和第一非磁性衬层在0.5Pa或更小的压强下形成时，获得了有利的棒l"生。注意实际中这一压强可以被设置为0.053或更大。压强小于0.05Pa是不合适的，因为不能长A^y^l定的DC溅射。实施例5除了使用用于层叠具有不同成分的两层Pd-Si层的乾代替Pd染沐形成第一非磁性衬层以;^更有形成Si籽晶层外，按照与实施例i的相同的步骤制造垂直磁记录介质。作为用于层叠两层Pd-Si层的靶，Pd-34at%Si耙用在^t^I4^一侧，以及Pd國xat。/。Si靼(其中x为3，5，7，10,13，17,20，26和34)用在垂直紘己录层U。所获得的垂直磁记录介质具有与图4所示的垂直^t记录^h质相同的布置。对所获得的介质进行X省线衍射测量。另外，以和实施例1同样的方式对记^/再现特性进fr^估。下面的表2展示了垂直磁记录层的峰的半宽和SNRm。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>表2所示的结絲明了，当在Pd-Si层的Si的^i:在3-10at。/o时，这种应用的介质具有有利的特性。另外的优泉^f务財于4^^域^M^员来iX^容易的。因此，在^/"的方面在不偏离由所附权矛虔^^其等，i^斤定义的""^明概念的^ft和范围下，可以产生M修改。权利要求1.一种垂直磁记录介质(10)，其特征在于包括非磁性衬底(1)；在该非磁性衬底(1)上形成的至少一层软磁性层(2)；在该软磁性层(2)上形成第一非磁性衬层(3)，其具有精细晶体结构，并且由钯和钯合金的其中之一构成；在该第一非磁性衬层(3)上形成第二非磁性衬层(4)，并且该第二非磁性衬层由钌和钌合金其中之一构成；以及在第二非磁性衬层上形成垂直磁记录层(5)。2.^H5l利要求1所述的介质，^#站于该第一非磁14#层(3)由4彌成。3.如权利要求i所述的介质，^Nr4^于该第一非磁性衬层(3)包括Pd-Si层。4.:H5L利要求3所述的介质，*##于该第一非磁性衬层(3)包括在所^^'1"生层(2)"H)3'j上形成的第一Pd-Si层，以;S^该第一Pd-Si层上形成的第二Pd-Si层，并且该第二Pd-Si层的成分比不同于第一Pd-Si层。5.:fc^又矛J^"求4所述的介质，^^絲于在第一Pd画Si层中Si衬比在第二Pd-Si层中的Si含量更大。6.:H5^'J要求5所述的介质，其特絲于在第一Pd-Si层中Si含量不少于10at%，并且在第二Pd-Si层中Si含量少于10at%。7.:H5U'J要求1所述的介质，^4WE^于在W不超过0.5Pa的^中通过蒸镀法絲第一非磁性衬层(3)。8.:H3Uf慎求1所述的介质，絲站于还包括在第一非磁性衬层(3)和所述^t^性层(2)之间形成的至少包括珪的非磁I^晶层(8)，并且其中该非磁l"沐晶层(8)与第一非磁性衬层(3)接触。9.力wMiJ要求8所述的介质，其特征在于该非磁寸沐晶层(8)由珪构成。10.如权利要求8所述的介质,其特征在于该非磁性籽晶层(8)包括Pd-Si层和A1-Si层中的一层。11.如权利要求8所述的介质，其特征在于气压不超过0.5Pa的气氛中通过蒸镀法沉积所述非磁性籽晶层(8)。12.—种磁记录/现现装置，其特征在于包括一种垂直磁记录介质，其包括非磁性衬底(1)，在该非磁性衬底(1)上形成的至少一层软磁性层(2)，在该软磁性层(2)上形成的第一非磁性衬层(3)，其具有精细晶体结构，并且由钯和钯合金其中之一构成，在第一非磁性衬层(3)上形成的第二非磁性衬层(4)，并且该第二非磁性衬层由钌和钌合金其中之一构成，以及在第二非磁性衬层(4)上形成的垂直磁记录层(5);所述磁记录/再现装置还包括支持和旋转该垂直磁记录介质的机构(33);磁头(34)，其具有用于在该垂直磁记录介质上记录信息的元件，和用于再现记絲该垂直磁记录介质上信息的元件；以及能够相对于该垂直记录介质可移动地支持该磁头的输运组件(35).13.如权利要求12所述的装置，其特征在于所述记录/现现磁头(34)包括单极记录头。14.如权利要求12所述的装置，其特征在于该第一非磁性衬层(3)由钯构成。15.如权利要求12所述的装置，其特征在于该第一非磁性衬层(3)包括Pd-Si层。16.如权利要求15所述的装置，其特征在于该笫一非磁性衬层(3)包括在所述软磁性层(2)一侧上形成的笫一Pd-Si层，以及在该第一Pd-si层上形成的第二Pd-Si层，并且第二Pd-Si层的成分比不同于第一Pd-Si层。17.如权利要求16所述的装置，其特征于在第一Pd-Si层中Si含量化在第二Pd-Si层中的Si^i:更大。18.如权要求17所述的装置，其特M于在第一Pd-Si层中Si含量不少于10at%，并且在第二Pd-Si层中Si含量少于10at%。19.如权要求12所述的装置，*#;^于在^￡不超过0.5Pa的U中通过蒸镀法^^第一非磁^H"层(3)。20.如权要求12所述的装置，^#絲于还包括在第一非磁|^#层(3)和所i^t^性层(2)之间形成的至少包含硅的非磁胁晶层(8)，并且其中该非磁脉晶层(8)与第一非磁性衬层(3)接触。21.如权要求20所述的装置，^Nr4iE^于该非磁I"沐晶层(8)由糊成。22.如权要求20所述的装置，其特征在于该非磁1"沐晶层(8)包括Pd國Si层和A1-Si层中的一层。23.:如权要求20所述的装置，*#站于在^￡不超过0.5汪的^^中通过蒸镀法^^F、该非磁,晶层(8)。全文摘要本发明涉及一种垂直磁记录介质和磁记录/再现装置。在该垂直磁记录介质中，软磁性层(2)，具有精细晶体结构并且由Pd或Pd合金构成的第一非磁性衬层(3)，由Ru和Ru合金构成的第二非磁性衬层(4)，和垂直磁记录层(5)层叠在非磁性衬底(1)上。文档编号G11B5/738GK101256779SQ20081009200公开日2008年9月3日申请日期2008年1月25日优先权日2007年1月26日发明者岩崎刚之申请人:株式会社东芝