具有位交叉功能的8管存储子阵列结构的制作方法
【专利摘要】本发明属于集成电路存储器【技术领域】，具体为一种具有位交叉功能的8管存储子阵列结构。其单元结构包括一个由传统的单端8管存储单元组成的mx1子阵列、一对分别受全局列选位线WBL及其互补位线WBLB控制的PMOS电源共享管和一对分别受全局列选位线WBL及其互补位线WBLB控制的NMOS放电共享管。本发明还包括由n列的mx1子阵列组成的8管存阵列，当阵列中某一个存储单元进行写操作时，其所在列的其中一条列选位线跳变为高电平，则由这条列选位线控制的PMOS电源共享管关断，而控制的NMOS放电共享管打开，数据通过局部位线和放电共享管形成的对地通路将数据写入8管存储单元。本发明既支持位交叉功能，又能消除半选择破坏。
【专利说明】具有位交叉功能的8管存储子阵列结构
【技术领域】
[0001]本发明属于集成电路存储器【技术领域】，具体涉及一种寄存器文件(RegisterFile)及静态随机存储器(Static Random Access Memory, SRAM)阵列结构。
【背景技术】
[0002]随着工艺技术的继续发展，晶体管尺寸越来越小，芯片的密度和面积也越来越大，但是随之而来的是工艺偏差和器件参数不匹配越来越严重，芯片的功耗也越来越大。逻辑电路和存储器都易受到工艺偏差和器件参数不匹配的影响，尤其对于存储器来说，此影响更为严重。
[0003]传统存储器的阵列核心都是6管存储单元，为了实现芯片的高密度，6管存储单元通常都采用最小晶体管尺寸，这使得它比逻辑电路更容易受到工艺变化带来的干扰。再者，由于其本身的读、写约束的存在，使得它读、写稳定性越来越差，这同样也限制了它不能在比较低的电压下工作。换句话说，随着工艺尺寸的变小，6管SRAM慢慢的不再适合用于高稳定性及低功耗的场合。
[0004]随着6管SRAM退居这些场合，单端的8管存储单元开始进入大家的视野。这种8管存储单元在6管存储单元的基础上增加了两个堆叠的读NMOS管，并且将读、写字线和位线分开，使得它的读、写约束分开。如此，它的读、写操作各自独立，可以各自优化，使得它有很高的读、写稳定性，并且能够在低电压下工作，同时拥有比较小的漏电流和较快的读速度。但是，由于它是采用单端的动态读操作方式，需要局部动态读出电路和全局动态读出电路将数据输出，这使得它的面积有效性非常低，并且具有非常大的动态功耗。
[0005]因此，设计者们采用了很多方法来提高8管SRAM的面积有效性和降低它的动态功耗。例如，作者 Masood Qazi 于 2011 年在在杂志 JSSC(IEEE Journal of Solid-StateCircuits)中发表 “A 512kb 8T SRAM Macro Operating Down to 0.57V With anAC-Coupled Sense Amplifier and Embedded Data-Retent1n-Voltage Sensor in 45 nmSOI CMOS”，提出一种AC耦合单端敏感放大器的方法将8管SRAM的数据读出，提高了整个阵列的面积有效性。作者，B.Calhoun于2006年在会议会议ISSCC(IEEE Int.Solid-StateCircuits Conf.) Digital Technical Papers 中发表“A 256-kb sub-threshold SRAM in65nm CMOS”，提出了一种基于8管存储单元的10管SRAM，有效的改善了 8管单元的位线漏电流问题，降低了整个SRAM的功耗。
[0006]但是，这些方法虽然改善了 8管SRAM的密度或功耗问题，但是它们没有根本上解决8管SRAM的问题。提高面积有效性和降低功耗最有效的方法之一就是采用列选结构，也称位交叉结构。这种列选结构能够使得一位的数据分成多列，减小每条位线的负载电容，并且相邻列能够共享有源区，字线和位线，数据每次读、写操作只作用于其中一列，这大大提高了阵列的面积有效性和降低了读、写功耗。同时位交叉功能配合单位的纠错码能够有效的抵抗单粒子反转。由于8管存储的差分写，单端读的操作方式，使得它不能采用列选结构，因此，在一些高密度的SRAM中，8管存储单元无法得到应用。本发明提出一种支持位交叉的8管存储单元子阵列结构，有效的解决了 8管存储单元无法支持列选结构的缺点。
【发明内容】
[0007]本发明的目的在于提供一种支持位交叉功能的8管存储单元子阵列结构。
[0008]本发明提供的支持位交叉功能的8管存储单元子阵列结构，其单元结构包括: 一个由传统的单端8管存储单元组成的mxl子阵列，一对PMOS电源共享管，和一对
NMOS放电共享管。其中:
mxl子阵列中所有8管存储单元的两个电源结点都分别与虚拟电源结点CVDDl及CVDD2相连，并且所有存储单元共享一对局部写位线LBL和LBLB，及一条读位线RBL，各个存储单元拥有自己独立的写字线WWL及读字线RWL ；
第一个PMOS电源共享管的栅极与全局列选位线WBLB相连，漏极与mxl子阵列的虚拟电源结点CVDDl相接，而源极与全局电源VDD相连；第二个PMOS电源共享管的栅极与全局列选位线WBL相连，漏极与mxl子阵列的虚拟电源结点CVDD2相接，而源极同样与全局电源VDD相连；第一个NMOS放电共享管的栅极与全局列选位线WBLB相连，漏极与局部写位线LBL相连，而源极与全局地相连；第二个NMOS放电共享管的栅极与全局列选位线WBL相连，漏极与局部写位线LBLB相连，而源极同样与全局地相连。
[0009]当存储子阵列处于静止状态时，全局列选位线WBL和WBLB都为“0”，第一个NMOS放电共享管Ml和第二个NMOS放电共享管M2关断，第一个PMOS电源共享管M3和第二个PMOS电源共享管M4开启，子阵列进行数据保持。
[0010]当子阵列中的某个存储单元进行写“O”操作时，相应的写字线WffL开启，同时全局列选位线WBLB开启，而WBL关闭，则第一个PMOS电源共享管关断，而第一个NMOS放电共享管打开，则存储单元的第一个传输的NMOS管、局部写位线LBL及第一个NMOS放电共享管形成对地通路。由于存储单元电源供电被第一个PMOS电源共享管关断，所以第一个存储结点的数据被快速拉至“0”，对应的第二个存储结点被充电至“ I ”，再通过交叉耦合的反馈环保持数据。
[0011]当子阵列中的某个存储单元进行写“I”操作时，相应的写字线WffL开启，同时全局列选位线WBL开启，而WBLB关闭，则第二个PMOS电源共享管关断，而第二个NMOS放电共享管打开，则存储单元的第二个传输的NMOS管、局部写位线LBLB及第二个NMOS放电共享管形成对地通路。由于存储单元电源供电被第二个PMOS电源共享管关断，所以第二个存储结点的数据被快速拉至“0”，对应的第一个存储结点被充电至“ I ”，再通过交叉耦合的反馈环保持数据。
[0012]本发明还包括由η列上述8管存储单元子阵列结构构成的mxn的存储阵列。当阵列中某一个存储单元进行写操作时，其所在列的其中一条列选位线(WBL或WBLB)跳变为高电平，则由这条列选位线控制的PMOS电源共享管关断，而控制的NMOS放电共享管打开，数据通过局部位线和放电共享管形成的对地通路将数据写入8管存储单元。由于此时，所选列的存储单元电源被关断，所以由存储单元的传输NMOS管与放电共享管组成的下拉路径能快速的将数据写入。同时，对于所写存储单元同一列上的未选择单元，它的写字线WWL未开启，所以它们存储的数据未受到写操作的影响。而对于所写存储单元同一行上的未选择单元，它的全局列选位线皆未开启，所以它们存储的数据同样未受到写操作的影响。所以，由本发明组成的存储阵列既支持了位交叉功能，同时又消除了半选择破坏。本发明给8管存储单元阵列提供了一种支持位交叉功能的阵列结构，并且提高了它的写噪声容限。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1是本发明的电路结构示意图。
[0014]图2是本发明写“O”操作时的电路操作示意图。
[0015]图3是本发明写“ I ”操作时的电路操作示意图。
[0016]图4是本发明组成的mxn的存储阵列结构示意图。
【具体实施方式】
[0017]本发明描述了一种支持位交叉功能的8管存储单元子阵列结构，以下阐述本发明的设计思想及实例。
[0018]图1所示为本发明实现的支持位交叉功能的8管存储单元子阵列电路结构。存储子阵列的核心有mxl个8管存储单元构成，外加一对PMOS电源共享管，和一对NMOS放电共享管。其中，mxl子阵列中所有8管存储单元的两个电源结点都分别与虚拟电源结点CVDDl及CVDD2相连，并且所有存储单元共享一对局部写位线LBL和LBLB，及一条读位线RBL，各个存储单元拥有自己独立的写字线WWL及读字线RWL。第一个PMOS电源共享管M3的栅极与全局列选位线WBLB相连，漏极与子阵列的虚拟电源结点CVDDl相接，而源极与全局电源VDD相连；第二个PMOS电源共享管M4的栅极与全局列选位线WBL相连，漏极与子阵列的虚拟电源结点CVDD2相接，而源极同样与全局电源VDD相连；第一个NMOS放电共享管Ml的栅极与全局列选位线WBLB相连，漏极与局部写位线LBL相连，而源极与全局地相连；第二个NMOS放电共享管M2的栅极与全局列选位线WBL相连，漏极与局部写位线LBLB相连，而源极同样与全局地相连。
[0019]图2表示本发明写“O”操作时的电路操作。存储阵列静止状态时，全局列选位线WBL和WBLB都为“0”，M1和M2关断，M3和M4开启，子阵列进行数据保持。当子阵列中的某个存储单元(图以第一个存储单元为例)进行写“O”操作时，相应的写字线WffL开启，同时全局列选位线WBLB开启，而WBL关闭，则第一个PMOS电源共享管M3关断，而第一个NMOS放电共享管Ml打开，则存储单元内的第一个传输的NMOS管、局部写位线LBL及第一个NMOS放电共享管Ml形成结点Q对地通路。由于存储单元电源供电被第一个PMOS电源共享管M3关断，所以所写存储单元的结点Q被快速拉至“0”，对应的存储结点QB被充电至“ I ”，再通过交叉耦合的反馈环保持数据。
[0020]图3表示本发明写“I”操作时的电路操作。当子阵列中的某个存储单元(图以第一个存储单元为例)进行写“I”操作时，相应的写字线WWL开启，同时全局列选位线WBL开启，而WBLB关闭，则第二个PMOS电源共享管M4关断，而第二个NMOS放电共享管M2打开，则存储单元的第二个传输的NMOS管、局部写位线LBLB及第二个NMOS放电共享管M2形成结点QB对地通路。由于存储单元电源供电被第二个PMOS电源共享管M4关断，所以第二个存储结点QB的数据被快速拉至“0”，对应的存储结点Q被充电至“1”，再通过交叉耦合的反馈环保持数据。
[0021]图4表示本发明组成的mxn的8管存储阵列。当存储阵列的某个存储单元(图中以Ixl这个存储单元为例)进行写操作时，对于同一列上的未选择单元，它们的写字线WWL未开启，所以它们存储的数据未受到写操作的影响。而对于同一行上的未选择单元，它的全局列选位线皆未开启，所以它们存储的数据同样未受到写操作的影响。所以，由本发明组成的存储阵列既支持了位交叉功能，同时又消除了半选择破坏。
【权利要求】
1.一种支持位交叉功能的8管存储单元子阵列结构，其特征在于其单元结构包括:一个由传统的单端8管存储单元组成的mxl子阵列，一对PMOS电源共享管，和一对NMOS放电共享管；其中: mxl子阵列中所有8管存储单元的两个电源结点都分别与虚拟电源结点CVDDl及CVDD2相连，并且所有存储单元共享一对局部写位线LBL和LBLB，及一条读位线RBL，各个存储单元拥有自己独立的写字线WWL及读字线RWL ； 第一个PMOS电源共享管的栅极与全局列选位线WBLB相连，漏极与子阵列的虚拟电源结点CVDDl相接，而源极与全局电源VDD相连；第二个PMOS电源共享管的栅极与全局列选位线WBL相连，漏极与子阵列的虚拟电源结点CVDD2相接，而源极同样与全局电源VDD相连；第一个NMOS放电共享管的栅极与全局列选位线WBLB相连，漏极与局部写位线LBL相连，而源极与全局地相连；第二个NMOS放电共享管的栅极与全局列选位线WBL相连，漏极与局部写位线LBLB相连，而源极同样与全局地相连。
2.根据权利要求1所述的8管存储单元子阵列结构，其特征在于:存储子阵列静止状态时，全局列选位线WBL和WBLB都为“0”，第一个NMOS放电共享管(Ml)和第二个NMOS放电共享管(M2)关断，第一个PMOS电源共享管(M3)和第二个PMOS电源共享管(M4)开启，子阵列进行数据保持。
3.根据权利要求1所述的8管存储单元子阵列结构，其特征在于:当子阵列中的某个存储单元进行写“O”操作时，相应的写字线WWL开启，同时全局列选位线WBLB开启，WBL关闭，第一个PMOS电源共享管关断，第一个NMOS放电共享管打开，存储单元的第一个传输的NMOS管、局部写位线LBL及第一个NMOS放电共享管形成对地通路；由于存储单元电源供电被第一个PMOS电源共享管关断，所以第一个存储结点的数据被快速拉至“0”，对应的第二个存储结点被充电至“ 1”，再通过交叉耦合的反馈环保持数据。
4.根据权利要求1所述的8管存储单元子阵列结构，其特征在于:当子阵列中的某个存储单元进行写“ I ”操作时，相应的写字线WWL开启，同时全局列选位线WBL开启，WBLB关闭，第二个PMOS电源共享管关断，第二个NMOS放电共享管打开，存储单元的第二个传输的NMOS管、局部写位线LBLB及第二个NMOS放电共享管形成对地通路；由于存储单元电源供电被第二个PMOS电源共享管关断，所以第二个存储结点的数据被快速拉至“0”，对应的第一个存储结点被充电至“ I ”，再通过交叉耦合的反馈环保持数据。
5.一种由η列如权利要求1所述的8管存储单元子阵列结构构成的mxn的存储阵列，当阵列中某一个存储单元进行写操作时，其所在列的其中一条列选位线WBL或WBLB跳变为高电平，由这条列选位线控制的PMOS电源共享管关断，而控制的NMOS放电共享管打开，数据通过局部位线和放电共享管形成的对地通路将数据写入8管存储单元。
【文档编号】G11C11/413GK104409095SQ201410742898
【公开日】2015年3月11日 申请日期:2014年12月9日 优先权日:2014年12月9日
【发明者】温亮, 文海波, 周可基, 程旭, 曾晓洋 申请人:复旦大学