1.一种第一半导体结构，用于由第一类型双极型晶体管和相反类型双极型晶体管构成的交叉耦合对，所述第一半导体结构包括：
第一导电类型半导体衬底，所述第一导电类型半导体衬底具有上表面；
绝缘区，所述绝缘区延伸到所述衬底中，以围绕所述衬底的上表面的第一部分；
与第一导电类型相反导电类型的埋层，所述埋层布置在所述衬底中且位于所述上表面的第一部分下方，所述埋层和所述绝缘区共同提供与所述衬底的剩余部分电隔离的半导体材料桶；
第一导电类型的连接区，所述第一导电类型的连接区从所述衬底的上表面延伸到所述埋层，以提供与所述埋层的电连接；
相反导电类型的浅阱区，所述相反导电类型的浅阱区在所述上表面的第二部分上方从所述上表面延伸到所述衬底中，所述第二部分小于所述第一部分，所述浅阱区不延伸到所述埋层；
第一导电类型区，所述第一导电类型区与所述上表面相邻，并在所述上表面的所述第一部分之外延伸到所述桶中，并且不与所述埋层接触，以提供与所述桶的电连接；
场效应晶体管栅极，所述场效应晶体管栅极布置在所述浅阱区上方；
与所述场效应晶体管栅极的第一侧相邻布置的第一导电类型区；
与所述场效应晶体管栅极的第二侧相邻布置的相反导电类型区；并且其中：
所述埋层提供所述第一类型双极型晶体管的发射极；
所述第一导电类型桶提供所述第一类型双极型晶体管的基极；
所述浅阱提供所述第一类型双极型晶体管的集电极和所述相反类型双极型晶体管的基极；并且
与所述场效应晶体管栅极电极的一侧相邻布置的所述第一导电类型区提供所述相反类型双极型晶体管的发射极区。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，进一步包括：
与所述第一半导体结构相邻布置的、根据权利要求1的第二半导体结构；
在所述第一半导体结构的阱区与所述第二半导体结构的浅阱区之间的第一电连接；以及
在所述第二半导体结构的阱区与所述第一半导体结构的浅阱区之间的第二电连接。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中：
所述第二半导体结构相对于所述第一半导体结构旋转180度；并且
所述第一电连接和所述第二电连接是直接线路。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，第一电势源耦合到所述埋层，并且第二电势源耦合到与所述场效应晶体管栅极的第一侧相邻布置的所述第一导电类型区。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，所述半导体结构提供SRAM单元。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，进一步包括位于所述桶之外的场效应晶体管。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中，所述场效应晶体管包括相反导电类型的源极区和漏极区。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述相反导电类型的源极区和漏极区中的一个电连接到所述浅阱区。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中：
位线电连接到所述相反导电类型的源极区和漏极区中的另一个；并且
字线电连接到所述场效应晶体管的栅极。
10.根据权利要求5所述的半导体结构，进一步包括位于所述桶之外的另外的双极型晶体管。
11.根据权利要求10所述的半导体结构，其中，所述另外的双极型晶体管包括连接到所述浅阱的发射极。
12.根据权利要求11所述的半导体结构，其中：
位线电连接到所述另外的双极型晶体管的集电极；并且
字线电连接到所述另外的双极型晶体管的基极。
13.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一导电类型是P型，并且所述相反导电类型是N型。
14.根据权利要求10所述的半导体结构，其中，所述另外的双极型晶体管是垂直NPN双极型晶体管。
15.一种用于形成第一交叉耦合双极型晶体管对的方法，包括：
电隔离第一导电类型半导体衬底中的第一半导体材料桶，所述第一导电类型半导体衬底具有上表面，所述第一桶占用所述上表面的第一部分；
将相反导电类型掺杂剂引入所述上表面的所述第一部分中，以形成埋层；
将第一导电类型掺杂剂引入所述上表面的所述第一部分中，以形成延伸到所述埋层的第一导电类型阱；
将相反导电类型掺杂剂引入所述第一桶的第二部分中，以形成不延伸到所述埋层的浅阱区，所述第二部分小于所述第一部分；
在与集成电路上其他位置处用于形成场效应晶体管的栅极的相同过程中，在所述第一桶的所述第一部分的第一局部上方形成第一栅极，并在所述第一桶的所述第二部分的某些部分和所述第一部分的某些部分上方形成第二栅极；
使用所述栅极作为掩膜，执行将第一导电类型掺杂剂和相反导电类型掺杂剂引入到所述第一桶中的步骤；以及
向所述第一桶中的期望位置供电。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，电隔离第一桶的步骤包括：将环形绝缘材料区形成为围绕所述上表面的所述第一部分的全部。
17.根据权利要求16所述的方法，进一步包括在所述上表面的所述第一部分之外形成场效应晶体管的步骤。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，在所述上表面的所述第一部分之外形成场效应晶体管的步骤包括：
在与所述集成电路上其他位置处用于形成栅极的相同过程中，在所述第一桶之外提供另外的栅极；以及
在与将所述栅极用作掩膜的相同过程中，执行将相反导电类型杂质引入到与所述另外的栅极相邻的区域中的步骤。
19.根据权利要求16所述的方法，进一步包括：在所述上表面的所述第一部分之外形成双极型晶体管的步骤。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，在所述上表面的所述第一部分之外形成双极型晶体管的步骤包括：
电隔离所述第一导电类型半导体衬底中的第二半导体材料桶，所述第二桶占用所述上表面的第三部分；
将相反导电类型掺杂剂引入到所述上表面的第三部分中，以形成第二埋层；
将第一导电类型掺杂剂引入到所述上表面的第三部分中，以形成延伸到所述埋层的另一第一导电类型阱；
在与所述集成电路上其他位置处用于形成场效应晶体管的栅极的相同过程中，在所述第二桶的第三部分上方形成两个另外的栅极；
使用所述两个另外的栅极作为掩膜，执行将第一导电类型掺杂剂和相反导电类型掺杂剂引入到所述第二桶中的步骤；以及
向所述桶中的期望位置供电。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，位于所述上表面的第一部分之外的所述双极型晶体管包括垂直NPN双极型晶体管。
22.根据权利要求15所述的方法，进一步包括：在所述第一导电类型半导体衬底中、在所述第一桶之外且与所述第一桶相邻的位置处形成第二双极型晶体管对。
23.根据权利要求22所述的方法，其中，通过在所述第一导电类型半导体衬底的上表面上方的电连接，将所述第二双极型晶体管对电连接到所述第一双极型晶体管对。
24.根据权利要求23所述的方法，其中：
使所述第二双极型晶体管对相对于所述第一双极型晶体管对旋转180度，以便能够电连接到所述第一双极型晶体管对；并且
所述电连接是在所述第一双极型晶体管对与所述第二双极型晶体管对之间的直接线路。