1.一种电压产生电路，其特征在于具备：
第1调整电路，调整第1电压而输出第2电压；
第1晶体管，根据第1控制电压而将所述第2电压传送或遮断；
第1升压电路，使所述第2电压升压；
第2晶体管，根据所述第1控制电压而将所述第1电压传送或遮断；
第2升压电路，使所述第1电压升压；以及
第2调整电路，比较从所述第1及第2升压电路输出的输出电压与第1参照电压，并输出与比较结果相应的所述第1控制电压。
2.根据权利要求1所述的电压产生电路，其特征在于，还具备：第3晶体管，根据所述第1控制电压而将所述第2电压传送或遮断；以及
第3升压电路，使所述第2电压升压；并且
所述第3晶体管具有与所述第1晶体管的阈值电压不同的阈值电压。
3.根据权利要求1或2所述的电压产生电路，其特征在于，所述第1调整电路具备：第4晶体管，根据第2控制电压而使所述第1电压降压；以及调节器，比较所述第2电压与第2参照电压，并基于比较结果而输出所述第2控制电压。
4.根据权利要求1或2所述的电压产生电路，其特征在于，所述第1升压电路具有与所述第2升压电路的升压能力不同的升压能力。
5.一种半导体存储装置，其特征在于具备：
存储单元；
字线，连接于所述存储单元；
第1调整电路，调整第1电压而输出第2电压；
第1晶体管，根据第1控制电压而将所述第2电压传送或遮断；
第1升压电路，使所述第2电压升压；
第2晶体管，根据所述第1控制电压而将所述第1电压传送或遮断；
第2升压电路，使所述第1电压升压；以及
第2调整电路，比较从所述第1及第2升压电路输出的输出电压与第1参照电压，并输出与比较结果相应的所述第1控制电压；并且
所述输出电压用作供给至所述字线的电压或用于产生此电压。
6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于，还具备：第3晶体管，根据所述第1控制电压而将所述第2电压传送或遮断；以及
第3升压电路，使所述第2电压升压；并且
所述第3晶体管具有与所述第1晶体管的阈值电压不同的阈值电压。
7.根据权利要求5或6所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第1调整电路具备：第4晶体管，根据第2控制电压而使所述第1电压降压；以及调节器，比较所述第2电压与第2参照电压，并基于比较结果而输出所述第2控制电压。