1.一种存储器件，包括：
多个字线，每个字线可操作地耦接到一个或更多个存储单元；
外围电路，适用于对所述多个字线执行第一刷新操作和第二刷新操作；
其中，第一刷新操作适用于保存存储器件的大多数存储单元的储存的数据，以及第二刷新操作适用于保存一个或更多个弱存储单元的储存的数据。
2.如权利要求1所述的存储器件，还包括：
非易失性存储单元，适用于储存所述多个字线之中的一个或更多个弱字线的弱行地址；以及
刷新控制单元，适用于控制外围电路来在刷新区段期间对所述多个字线顺序地执行第一刷新操作，以及在刷新区段期间基于弱行地址来对弱字线执行第二刷新操作。
3.如权利要求1所述的存储器件，
其中，非易失性存储单元储存每个弱行地址的单个数量或多个数量，以及
其中，刷新控制单元在刷新区段期间控制外围电路来对弱字线中的每个执行第二刷新操作与储存在非易失性存储单元中的对应的弱行地址的单个数量或多个数量一样多的次数。
4.如权利要求1所述的存储器件，
其中，非易失性存储单元被分成多个区域，以及
其中，刷新控制单元在刷新区段期间控制外围电路来根据储存在非易失性存储单元的第K区域中的对应的弱行地址对弱字线中的每个执行第二刷新操作K次。
5.如权利要求1所述的存储器件，
还包括刷新计数器，刷新计数器适用于产生计数地址，
其中，每当刷新命令被提供时，刷新控制单元控制外围电路来根据计数地址对多个字线执行第一刷新操作，以及
其中，每当刷新命令被提供预设次数时，刷新控制单元控制外围电路来对弱字线执行第二刷新操作。
6.如权利要求1所述的存储器件，
还包括一个或更多个锁存单元，所述一个或更多个锁存单元适用于锁存弱行地址，
其中，刷新控制单元控制外围电路来基于锁存的弱行地址对弱字线执行第二刷新操 作。
7.如权利要求1所述的存储器件，其中：
每当刷新命令被提供预设次数时，非易失性存储单元将一个或更多个地址顺序地发送至刷新控制单元，以及
其中，每当刷新命令在刷新区段期间被提供预设次数时，刷新控制单元控制外围电路来对弱字线逐一顺序地执行第二刷新操作。
8.如权利要求1所述的存储器件，
其中，非易失性存储单元包括适用于储存1位数据的多个熔丝单元，以及
其中，所述多个熔丝单元以阵列形式设置。
9.一种存储器件，包括：
多个字线，所述多个字线耦接到一个或更多个存储单元；
外围电路，适用于对所述多个字线执行第一刷新操作和第二刷新操作；
非易失性存储单元，适用于储存所述多个字线之中的一个或更多个弱字线的弱行地址；以及
刷新控制单元，适用于控制外围电路来在被分成N个子刷新区段的刷新区段期间对所述多个字线执行第一刷新操作一次，以及在刷新区段期间对弱字线执行第二刷新操作，N是大于2的自然数，
其中，刷新控制单元控制外围电路来以所述N个子刷新区段中的一个或更多个子刷新区段的间隔对弱字线中的每个执行第一刷新操作和第二刷新操作。
10.如权利要求9所述的存储器件，
其中，当刷新控制单元在第K子刷新区段期间控制外围电路来对弱字线执行第一刷新操作时，刷新控制单元在第K+N/2子刷新区段期间控制外围电路来对弱字线执行第二刷新操作，K是小于N/2的自然数，以及
其中，当刷新控制单元在第L子刷新区段期间控制外围电路来对弱字线执行第一刷新操作时，刷新控制单元在第L-N/2子刷新区段期间控制外围电路来对弱字线执行第二刷新操作，L是大于N/2并且小于N的自然数。
11.如权利要求9所述的存储器件，
还包括刷新计数器，刷新计数器适用于产生计数地址，
其中，每当刷新命令被提供时，刷新控制单元控制外围电路来根据计数地址对所述 多个字线执行第一刷新操作，以及
其中，每当刷新命令被提供预设次数时，刷新控制单元控制外围电路来基于弱行地址对弱字线中的每个执行第二刷新操作，弱行地址的预设部分与计数地址的对应部分形成预设模式。
12.如权利要求11所述的存储器件，
其中，当计数地址的预设部分表示第K+N/2子刷新区段以及对应的弱行地址的预设部分表示第K子刷新区段时，刷新控制单元能在第K子刷新区段期间控制外围电路来对弱字线中的每个执行第二刷新操作，K是小于N/2的自然数，以及
其中，当计数地址的预设部分表示第L-N/2子刷新区段以及对应的弱行地址的预设部分表示第L子刷新区段时，刷新控制单元在第L子刷新区段期间控制外围电路来对弱字线中的每个执行第二刷新操作，L是大于N/2并且小于N的自然数。
13.如权利要求9所述的存储器件，
其中，非易失性存储单元被分成分别与所述N个子刷新区段相对应的N个区域，以及
其中，非易失性存储单元将弱行地址储存在所述N个区域中，使得与在所述N个子刷新区段中的特定一个期间经受第一刷新操作的弱字线中的一个相对应的弱行地址中的一个储存在与对应于特定的子刷新区段的区域不同的区域中。
14.如权利要求9所述的存储器件，
其中，非易失性存储单元被分成分别与所述N个子刷新区段相对应的N个区域，
其中，所述N个区域之中的第K区域储存在第K+N/2子刷新区段期间经受第一刷新操作的弱字线的弱行地址，K是小于N/2的自然数，
其中，所述N个区域之中的第L区域储存在第L-N/2子刷新区段期间经受第一刷新操作的弱字线的弱行地址，L是大于N/2并且小于N的自然数，以及
刷新控制单元依次在所述N个子刷新区段期间控制外围电路来按所述N个区域的顺序对弱字线执行第二刷新操作。
15.如权利要求9所述的存储器件，
还包括一个或更多个锁存单元，所述一个或更多个锁存单元适用于锁存弱行地址，
其中，刷新控制单元控制外围电路来基于锁存的弱行地址对弱字线执行第二刷新操作。
16.如权利要求9所述的存储器件，其中：
每当刷新命令被提供预设次数时，非易失性存储单元将一个或更多个地址顺序地发送至刷新控制单元，以及
每当刷新命令在刷新区段期间被提供预设次数时，刷新控制单元控制外围电路来对弱字线逐一顺序地执行第二刷新操作。
17.如权利要求9所述的存储器件，
其中，非易失性存储单元包括适用于储存1位数据的多个熔丝单元，以及
其中，所述多个熔丝单元以阵列形式设置。
18.一种存储器件，包括：
第一字线至第N字线，第一字线至第N字线耦接到一个或更多个存储单元；
外围电路，适用于对多个字线执行第一刷新操作和第二刷新操作；
非易失性存储单元，包括第一非易失性存储单元至第N非易失性存储单元，第一非易失性存储单元至第N非易失性存储单元适用于储存第一弱数据至第N弱数据，第一非易失性存储单元至第N非易失性存储单元对应于相应的第一字线至第N字线，以及第一非易失性存储单元至第N非易失性存储单元中的每个储存第一值和第二值中的一个；以及
刷新控制单元，适用于控制外围电路来在刷新区段期间对所述多个字线顺序地执行第一刷新操作，以及在刷新区段期间基于第一弱数据至第N弱数据来对弱字线执行第二刷新操作。
19.如权利要求18所述的存储器件，
其中，第一非易失性存储单元至第N非易失性存储单元顺序地对应于相应的第一字线至第N字线，以及
其中，刷新控制单元通过以第一顺序次序查阅第一非易失性存储单元至第N非易失性存储单元来控制外围电路对弱字线执行第二刷新操作。
20.如权利要求18所述的存储器件，
其中，第一非易失性存储单元至第N非易失性存储单元以第二顺序次序对应于相应的第一字线至第N字线，以及
其中，刷新控制单元通过顺序地查阅第一非易失性存储单元至第N非易失性存储单元来控制外围电路对弱字线执行第二刷新操作。
21.如权利要求18所述的存储器件，
还包括刷新计数器，刷新计数器适用于产生计数地址，
其中，每当刷新命令被提供时，刷新控制单元控制外围电路来根据计数地址对所述多个字线顺序地执行第一刷新操作，以及
其中，每当刷新命令被提供时，刷新控制单元控制外围电路来基于弱行地址对弱字线执行第二刷新操作，弱行地址根据第一弱数据至第N弱数据的第一值通过将计数地址的预设部分反转来产生。
22.如权利要求18所述的存储器件，
还包括第一锁存器至第N锁存器，第一锁存器至第N锁存器适用于顺序地锁存相应的第一弱数据至第N弱数据，
其中，每当刷新命令被提供时，刷新控制单元控制外围电路来根据计数地址对所述多个字线顺序地执行第一刷新操作，以及
其中，每当刷新命令被提供时，刷新控制单元控制外围电路来基于弱行地址对弱字线执行第二刷新操作，弱行地址根据锁存的第一弱数据至第N弱数据的第一值通过将计数地址的预设部分反转来产生。
23.如权利要求18所述的存储器件，
其中，非易失性存储单元包括适用于储存1位数据的多个熔丝单元，以及
其中，所述多个熔丝单元以阵列形式设置。
24.如权利要求19所述的存储器件，其中，刷新控制单元查阅储存在第一非易失性存储单元至第N非易失性存储单元的第二半中的针对第一字线至第N字线的第二半的第一弱数据至第N弱数据的一半，然后查阅储存在第一非易失性存储单元至第N非易失性存储单元的第一半中的针对第一字线至第N字线的第一半的第一弱数据至第N弱数据的另一半。
25.如权利要求20所述的存储器件，其中，针对第一字线至第N字线的第一半的第一弱数据至第N弱数据的一半储存在第一非易失性存储单元至第N非易失性存储单元的第二半中，以及针对第一字线至第N字线的第二半的第一弱数据至第N弱数据的另一半储存在第一非易失性存储单元至第N非易失性存储单元的第一半中。