一种存储芯片的保护电路及存储器的制作方法

本实用新型涉及电路技术领域，尤其涉及一种存储芯片的保护电路及存储器。

背景技术：

随着人们的教育和信息化社会的不断完善，越来越多人可以通过论坛或其他信息渠道获取到各个领域的知识。例如，电子发烧友会自己动手，利用一些功能芯片和外围电路制作一些功能模块或功能电路，进而实现一些有意思的智能产品。

在实际的电路连接中，由于现有的大多数存储类型的芯片在封装时都做成引脚相互对称，因此导致在连接芯片引脚时容易接错引脚。虽然，有的存储芯片在封装外壳上有明显标识存储芯片的电源输入端的位置，但由于存储芯片本身的规格较小，人们容易忽略存储芯片上的标识。因此在组装电路时，容易出现存储芯片的电源输入端容易接错电源等情况，从而导致在电路工作时出现存储芯片烧坏等现象。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种存储芯片的保护电路及存储器，以解决现有技术中的存储芯片的电源输入端容易被接错电源，导致存储芯片烧坏的问题。

本实用新型的目的在于提供一种存储芯片的保护电路，与所述存储芯片的电源输入端相连，用于连接所述存储芯片的供电电源，并在所述存储芯片接错供电电源时对所述存储芯片进行保护，所述保护电路包括：开关单元、采样单元以及比较单元；

所述开关单元的第一输入端为电源输入端，用于与所述存储芯片的供电电源相连，所述开关单元的第二输入端接地，所述开关单元的输出端与所述采样单元的第一输入端相连，所述采样单元的第二端输入端与所述存储芯片的电源端相连，所述采样单元的输出端与所述比较单元的第一输入端相连，所述比较单元的第二输入端接参考电源，所述比较单元的输出端与所述开关单元的受控端相连；

当所述开关单元的第一输入端接错电源时，所述采样单元对所述存储芯片的电源输入端进行电流采样，并根据所述采样电流生成采样电压，所述比较单元接收所述采样电压，所述比较单元根据所述采样电压与参考电压，进而向所述开关单元输出控制信号，以控制开关单元关断。

进一步地，所述开关单元包括：第一开关管、第二开关管、第一电阻以及第二电阻；

所述第一开关管的低电位端为所述开关单元的第一输入端，所述第一开关管的低电位端与所述第一电阻的第一端共接所述第二电阻的第一端，所述第一开关管的高电位端为所述开关单元的输出端，所述第一开关管的受控端与所述第一电阻的第二端相连，所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第二端共接所述第二开关管的高电位端，所述第二开关管的低电位端为所述开关单元的第二输入端，所述第二开关管的受控端为所述开关单元的受控端。

进一步地，所述采样单元包括：第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻以及第一放大器；

所述第三电阻的第一端与所述第四电阻的第一端相连，组成所述采样单元的第一输入端，所述第三电阻的第二端与所述第六电阻的第一端相连，组成所述采样单元的第二端输入端，所述第四电阻的第二端与所述第五电阻的第一端共接所述第一放大器的第一输入端，所述第五电阻的第二端接地，所述第六电阻的第二端与所述第七电阻的第一端共接所述第一放大器的第二输入端，所述第一放大器的输出端与所述第七电阻的第二端相连，组成所述采样单元的输出端。

进一步地，所述比较单元包括：第八电阻、第九电阻、第十电阻以及比较器；

所述比较器的第一输入端为所述比较单元的第一输入端，所述比较器的第二输入端与所述第八电阻的第一端共接所述第九电阻的第一端，所述第八电阻的第二端为所述比较单元的第二输入端，所述第九电阻的第二端接地，所述比较器的输出端与所述第十电阻的第一端相连，所述第十电阻的第二端为所述比较单元的输出端。

进一步地，所述第一放大器为差分放大器，所述差分放大器的正向输入端为所述第一放大器的第一输入端，所述差分放大器的负向输入端为所述第一放大器的第二输入端。

进一步地，所述第一开关管为MOS管或IGBT管。

进一步地，所述第二开关管为MOS管或IGBT管。

进一步地，所述第二开关管为带体二极管的IGBT管。

本实用新型的另一目的在于提供一种存储器，包括存储芯片，所述存储器还包括上所述的存储芯片的保护电路。

本实用新型提供一种存储芯片的保护电路，与存储芯片的电源输入端相连，包括：开关单元、采样单元以及比较单元；当存储芯片的电源输入端接错电源时，采样单元对存储芯片的电源输入端进行电流采样，并根据采样电流生成采样电压，比较单元接收采样电压，比较单元通过比较采样电压与供电电源输出的参考电压，进而向开关单元输出控制信号，以控制开关单元关断。实现了在当存储芯片接错供电电源时，切断供电电源与存储芯片之间的通路进而保护存储芯片，大大降低了照明控制系统存储芯片被烧坏的风险。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例提供的存储芯片的保护电路的结构示意图；

图2是本实用新型实施例提供的存储芯片的保护电路的具体电路图；

图3是本实用新型实施例提供的存储器的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

本实用新型的目的在于提供一种多士炉的加热控制电路和多士炉，以解决现有技术中的多士炉的加热控制电路实现成本高的问题。

为了说明本实用新型实施例所提供的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。

图1示出了本实施例提供的存储芯片的保护电路的结构，如图1所示，一种存储芯片的保护电路100，与存储芯片U1的电源输入端VCC相连，用于连接存储芯片U1的供电电源110，并在所述存储芯片U1接错电源时对存储芯片U1进行保护。

如图1所示，存储芯片的保护电路100包括：开关单元10、采样单元20以及比较单元30。

开关单元10的第一输入端为电源输入端，用于与存储芯片U1的供电电源110相连，开关单元10的第二输入端接地，开关单元10的输出端与采样单元20的第一输入端相连，采样单元20的第二端输入端与存储芯片U1的电源端VCC相连，采样单元20的输出端与比较单元30的第一输入端相连，比较单元30的第二输入端接参考电源VDD，比较单元30的输出端与开关单元10的受控端相连。

当存储芯片U1的电源输入端VCC接错电源时，采样单元20对存储芯片U1的电源输入端VCC进行电流采样，并根据采样电流生成采样电压，比较单元30接收采样电压，比较单元30根据采样电压与参考电压，进而向开关单元输出控制信号，以控制开关单元10关断。

可以理解的是，本实施例提供的存储芯片的保护电路100可以是内置于存储芯片中的电路，也可以是在现有的存储芯片的基础上增加的外围电路。

需要说明的是，由于比较单元30的第二输入端接供电电源110，因此参考电压与接供电电源110有关，即与芯片正确的供电电源有关。

在实际应用中，存储芯片的电源输入端接错电源的情况有多种，如在以及设计好走线的电路板上将存储芯片反插。具体的，例如，图2中，存储芯片U1的电源输入端为芯片第一侧边上从上往下的第二个引脚VCC，与第一侧边平行的第二侧边上从下晚上的第二个引脚则为芯片的串行数据输入端SI，当该芯片反插时，芯片的电源输入端则接入的为串行数据，即为接错电源的情况。

图2示出了本实施例提供的存储芯片的保护电路的具体电路图。如图2所示，开关单元10包括：第一开关管Q1、第二开关管Q2、第一电阻R1以及第二电阻R2。

第一开关管Q1的低电位端为开关单元10的第一输入端，第一开关管Q1的低电位端与第一电阻R1的第一端共接第二电阻R2的第一端，第一开关管Q1的高电位端为开关单元10的输出端，第一开关管Q1的受控端与第一电阻R1的第二端相连，第一电阻R1的第二端与第二电阻R2的第二端共接第二开关管Q2的高电位端，第二开关管Q2的低电位端为开关单元10的第二输入端，第二开关管Q2的受控端为开关单元10的受控端。

作为实用新型的一实施例，第一开关管Q1为MOS管或IGBT管。

作为实用新型的一实施例，第二开关管Q2为MOS管或IGBT管。

在实际应用中，第一开关管Q1与第二开关管Q2的选用可以为NMOS管或PMOS管，以最大目的实现开关单元10的开关功能。

可以理解的是，当第二开关管Q2为IGBT管时，第二开关管Q2具体可以为带体二极管的IGBT管。

进一步的，如图2所示，采样单元20包括：第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7以及第一放大器D1。

第三电阻R3的第一端与第四电阻R4的第一端相连，组成采样单元20的第一输入端，第三电阻R3的第二端与第六电阻R6的第一端相连，组成采样单元20的第二端输入端，第四电阻R4的第二端与第五电阻R5的第一端共接第一放大器D1的第一输入端，第五电阻R5的第二端接地，第六电阻R6的第二端与第七电阻R7的第一端共接第一放大器D1的第二输入端，第一放大器D1的输出端与第七电阻R7的第二端相连，组成采样单元20的输出端。

作为实用新型的一实施例，第一放大器D1为差分放大器D1，差分放大器D1的正向输入端为第一放大器D1的第一输入端，差分放大器D1的负向输入端为第一放大器D1的第二输入端。

如图2所示，比较单元30包括：第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10以及比较器D2。

比较器D2的第一输入端为比较单元30的第一输入端，比较器D2的第二输入端与第八电阻R8的第一端共接第九电阻R9的第一端，第八电阻R8的第二端为比较单元30的第二输入端，第九电阻R9的第二端接地，比较器D2的输出端与第十电阻R10的第一端相连，第十电阻R10的第二端为比较单元30的输出端。

以下结合图2对本实施例提供的存储芯片的保护电路100的具体电路的工作原理进行详细说明。

如图2所示，第二开关管Q2的低电位端、第一电阻R1的第一端以及第二电阻R2的第一端共接供电电源VDD_IN。第三电阻R3为采样电阻，当芯片U1通过保护电路100与供电电源VDD_IN接通时，第三电阻R3对芯片U1的电源输入端VCC的电流进行采样，并经过第四电阻R4发送给放大器D1。

在本实施例中，采样单元20中的第六电阻R6的第二端和第七电阻R7的第一端与放大器D1的第二输入端，用于形成放大器D2的负反馈。

如图2所示，在比较单元30中，比较器D2的第二输入端通过第八电阻R8与参考电源VDD相连。需要说明的是，参考电源VDD在经过第八电阻R8与第九电阻R9的作用后，向比较器D2的第二输入端输入参考电压。

当存储芯片U1的电源输入端VCC接错电源时，即VDD_IN为错误的电源时，且开关单元10中的第一开关管Q1能在接通电源时导通，通过第三电阻R3对存储芯片U1的电源输入端VCC的工作电流进行采样后，由放大器D1对采样电流进行放大处理，并向比较器D2的第一输入端输出对应的采样电压。由比较器D2将采样电压与参考电压进行比较，并向开关单元10输出控制信号，该控制信号控制第二开关管Q2截止，由于第二开关管Q2截止，进而导致第一开关管Q1也截止，实现了对存储芯片U1的保护。

图3示出了本实施例提供的存储器的结构，如图3所示，存储器200，包括存储芯片U1，所述存储器200还包括如上所述的存储芯片的保护电路100。

本实施例中的存储器200与本实用新型相关的实现方式或工作原理已经在上述实施例中详细说明，故此处不再赘述。

本实用新型提供一种存储芯片的保护电路，与存储芯片的电源输入端相连，包括：开关单元、采样单元以及比较单元；当存储芯片的电源输入端接错电源时，采样单元对存储芯片的电源输入端进行电流采样，并根据采样电流生成采样电压，比较单元接收采样电压，比较单元通过比较采样电压与供电电源输出的参考电压，进而向开关单元输出控制信号，以控制开关单元关断。实现了在当存储芯片接错供电电源时，能够切断供电电源与存储芯片之间的通路进而保护存储芯片，大大降低了照明控制系统存储芯片被烧坏的风险。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下做出若干等同替代或明显变型，而且性能或用途相同，都应当视为属于本实用新型由所提交的权利要求书确定的专利保护范围。